| 例文 (11件) |
非消去記憶装置の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11件
非選択ブロックにおいて、メモリセルに保持されたデータの誤った消去動作を防ぐことができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加
To provide a nonvolatile semiconductor memory device preventing an erroneous erase operation of data held by a memory cell in a non-selective block. - 特許庁
不揮発性半導体記憶装置において、１つ、もしくは複数ブロックのデータ消去動作時に非選択ブロックのデータ破壊を防止する。例文帳に追加
To prevent the data destruction of a non-selection block at the data erasing operation of one or multiple blocks, in a nonvolatile semiconductor memory device. - 特許庁
データ記憶装置における記録媒体に対し、データエラーの原因を解析するための一部データの非消去と、個人情報保護のための全面データ消去と、を両立させることを目的とする。例文帳に追加
To satisfy both nonerasure of partial data for analyzing a cause of an data error and erasure of overall data for personal information protection, regarding a recording medium in a data storage device. - 特許庁
また、ページング選局機能が能動から非能動となるとページング記憶装置をなすタイマー部４ｂの計時が開始され一定時間の経過に伴い音声記憶部に録音されたページングの内容は消去される。例文帳に追加
The activated paging channel selecting function is made inactive, time counting of a timer part 4b included in the paging storage device is started, and contents of paging recorded in the sound storage part are erased after a certain time. - 特許庁
よって、ハードディスク駆動機構部が収納される密閉空間と、誤消去防止爪が配置される非密閉空間とが隔絶された状態を維持しながら誤消去防止爪をスライドさせることにより情報記憶装置へのデータの書き込みが可能か否かを簡便な構造で設定することができる。例文帳に追加
Consequently, it is possible to set whether data can be written to the information storage device with a simple structure by sliding an accidental erasure prevention tab while keeping the hermetically sealed space housing the hard disk drive mechanism part separated completely from the non-sealed space with the accidental erasure prevention tab disposed. - 特許庁
不揮発性半導体記憶装置１０００は、ワード線が非選択状態であってビット線を選択し、選択されたビット線上において過消去状態にあるセルのみを自己選択的に書戻しを行なう。例文帳に追加
A non-volatile semiconductor storage 1000 selects a bit line while a word line is not selected, and self-selectively rewrites only a cell in an over-erased state on the selected bit line. - 特許庁
レイアウト面積が小さく、消去非対象のメモリセルのしきい値電圧の変化を防止することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加
To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a small layout area and preventing the threshold voltage of memory cells not to be erased from varying. - 特許庁
選択セルでのプログラム又は消去時に非選択セクタのセルにてデータがディスターブされることを回避しながら、読み出し・書き込み時に高速アクセス可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加
To provide a non-volatile semiconductor storage device capable of fast accessing when reading/writing while avoiding the program in a selected cell or the data in the cell which is not selected at erasing from disturbed. - 特許庁
選択セルでのプログラム又は消去時に非選択セクタのセルにてデータがディスターブされることを回避しながら、読み出し・書き込み時に高速アクセス可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加
To provide a non-volatile semiconductor memory in which quick access can be performed at the time of read-out and write-in preventing that data is disturbed in a cell of a non-selection sector at the time of programming in a selection cell or the time of erasure. - 特許庁
そして、主制御回路２１への電力供給が開始されるとともに導通部７０の抵抗値に基づいて非締結状態が検知される場合であって、操作キー１２による開封用操作が実施されていない場合（フラグＦ＝０）には、記憶装置２５に記憶された取得情報が消去される。例文帳に追加
When supply of electric power into the main control circuit 21 is started, the non-fastened state is detected based on the resistance value of the electrically conducting part 70, and the opening operation by using the operation keys 12 is not performed (flag F=0), the obtained information stored in the storage device 25 is erased. - 特許庁
機密モードの時間帯でなく（Ｓ２１：ＮＯ）、実行すべき印刷ジョブがある場合（Ｓ２２：ＹＥＳ）、その印刷ジョブに基づいて印刷処理を行い（Ｓ２３）、実行すべき印刷ジョブが無い場合（Ｓ２２：ＮＯ）、ＨＤＤ装置に記憶された非機密データを完全に消去する（Ｓ２６）。例文帳に追加
Outside a time range of a confidential mode (S21: NO), if there is a print job to be executed (S22: YES), printing processing is executed according to the print job (S23); or if there is no print job to be executed (S22: NO), nonconfidential data stored in an HDD device are completely erased (S26). - 特許庁
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