ＣＭＯＳイメージセンサの英語

The present invention can be applied to a CMOS image sensor performing a global shutter operation corresponding to a moving image.例文帳に追加

本発明は、例えば、動画像に対応したグローバルシャッタ動作を行うCMOSイメージセンサに適用することができる。 - 特許庁

To expand a dynamic range by making a value of a saturation level of a low-sensitivity photodiode in a pixel different for each color in a CMOS image sensor.例文帳に追加

CMOSイメージセンサにおいて、画素内の低感度のフォトダイオードの飽和レベルを色毎に異なる値にして、ダイナミックレンジを大きくする。 - 特許庁

To expand dynamic range of output by suppressing a voltage rise of a floating diffusion of a unit pixel in a non-selected row of a CMOS image sensor.例文帳に追加

CMOSイメージセンサにおける非選択行の単位画素のフローティングディフュージョンの電圧上昇を抑え、出力のダイナミックレンジを拡大する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor which is provided with a wide dynamic range and can obtain the output signal of high quality even if a power voltage is low.例文帳に追加

電源電圧が低い場合でも、広い動的範囲を備え、高画質の出力信号が得られるCMOSイメージセンサを提供すること。 - 特許庁

To extend a dynamic range maintaining a signal output level and an S/N characteristic in the time of dark (low illuminance) without performing complicated signal processing in a CMOS image sensor.例文帳に追加

CMOSイメージセンサにおいて、複雑な信号処理を行うことなく、暗時（低照度時）の信号出力レベルおよびS/N 特性を維持してダイナミックレンジを大きくする。 - 特許庁

To reduce vertical line noise and/or lateral line noise for causing deterioration in image quality in a CMOS image sensor mixedly mounting a column type A-D conversion circuit in an imaging region.例文帳に追加

撮像領域にカラム型のAD変換回路を混載したCMOSイメージセンサにおいて、画質を劣化させる要因となる縦筋ノイズおよび／または横筋ノイズを低減する。 - 特許庁

A unit pixel 10 in a pixel array of a CMOS image sensor is equipped with: a photodiode 1; a lead transistor 2; a floating diffusion FD; a reset transistor 3; and an amplification transistor 4.例文帳に追加

CMOSイメージセンサの画素アレイにおける単位画素１０は、フォトダイオード１と、リードトランジスタ２と、フローティングディフュージョンFDと、リセットトランジスタ３と、増幅トランジスタ４とを具備する。 - 特許庁

When a change from an accumulation time T_11 to an accumulation time T_12 is determined as decrease of the accumulation time equal to or more than a threshold TH, the CMOS image sensor generates a ramp signal increased from a current clamp amount D_11 relatively by a clamp amount Df.例文帳に追加

蓄積時間T_11から蓄積時間T_12への変更が、閾値TH以上の蓄積時間の減少であると判定された場合、CMOSイメージセンサは、現在のクランプ量D_11から相対的にクランプ量Dfだけ上昇させたランプ信号を生成させる。 - 特許庁