2'-CMPとは 意味・読み方・使い方

A polishing pad 3 and a load cup 4 are provided on a base pat 2 of a CMP device 1.例文帳に追加

ＣＭＰ装置１のベース部２上には、研磨パッド３とロードカップ４とが設けられている。 - 特許庁

This retainer ring includes a base ring 1 of an integrated structure mounted to a CMP device body and high in rigidity, and a resin ring 2 fixed to a lower surface of the base ring 1 and contacting a polishing pad.例文帳に追加

リテーナーリングは、CMP装置本体に取り付けられる剛性の高い一体構成の台リング１と、台リング１の下側面に固定されて研磨パッドと接触する樹脂リング２とを備える。 - 特許庁

A Cu film 3 is flattened by CMP and when the surface of the A1 pattern 2 appears, it is finished.例文帳に追加

ＣＭＰによりＣｕ膜３を平坦化していき、Ａｌパターン２の表面が現れた時点で終了する。 - 特許庁

Next, the conductive film 5 is polished by a CMP method, until the surface of the interlayer insulation film 3 is exposed (Fig. 2 (c)).例文帳に追加

次に、ＣＭＰ法を用いて、層間絶縁膜３の表面が露出するまで導電膜５を研磨する（図２（ｃ））。 - 特許庁

After the hard mask layer is removed, a ferromagnetic body is deposited in the first and second grooves by a plating method to form the main magnetic pole and main magnetic pole auxiliary layer together at a time, and then the main magnetic pole layer is flattened by CMP.例文帳に追加

ハードマスク層を除去した後、めっき法にて第1と第2の溝に強磁性体を堆積させて主磁極と主磁極補助層を一括して形成した後、CMPにて、主磁極層を平坦化する。 - 特許庁

The surface of the organic compound film 2 is exposed by polishing (etch back) through the use of CMP, RIE, etc., (c), and the organic compound film 2 is removed (d).例文帳に追加

ＣＭＰ、ＲＩＥ等により研磨（エッチバック）を行って有機化合物膜２の表面を露出させ（ｃ）、有機化合物膜２を除去する（ｄ）。 - 特許庁

Resistors R1, R2, and R3 are set to resistor values R, R, and 0.7R respectively, and comparators CMP 1 and CMP 2 discriminate high/low, by comparing input voltage with threshold of 5% of source voltage.例文帳に追加

抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の抵抗値はそれぞれＲ、Ｒ、０．７Ｒに設定され、比較器ＣＭＰ１、ＣＭＰ２は入力電圧を電源電圧の５０％の閾値と比較することによりハイ／ローを判別する。 - 特許庁

In this CMP process and products thereof, alumina is used including α-alumina particles with a particle size of less than 50 nm and a surface area of at least 50 m^2/g.例文帳に追加

粒子幅が５０ｎｍ未満で且つ表面積が少なくとも５０ｍ^2／ｇのα−アルミナ粒子を含むアルミナを使用するＣＭＰプロセス及び生成物とする。 - 特許庁