Adopted (film)とは 意味・読み方・使い方

In this method, an ultrathin film jetting technique is adopted and the thickness of the thin film is assumed to be 2 mm and the jetting speed of liquid nitrogen to be 30 m/s.例文帳に追加

この方法には超薄膜噴射技術が採用され、前記薄膜の厚さは２ｍｍ、液体窒素の噴射速度は３０ｍ／ｓとする。 - 特許庁

In the element laminate film 25, the laminate film is adopted which satisfies the required specifications of protection for every part of the electric wire 9.例文帳に追加

要素ラミネートフィルム２５には、電線９の部位毎の保護の要求仕様を満たすラミネートフィルムが採用される。 - 特許庁

To provide a useful rust preventive film forming and working method for a guard cable capable of sufficiently exhibiting its rust preventing effect by selecting the kinds of metal thermal spraying in such a manner that aluminum thermal spraying is adopted in the case of salt damage regions, and aluminum zinc alloy thermal spraying is adopted in the case of heavy industry regions.例文帳に追加

環境条件によってその防錆性能に違いが生じてくるものであり、例えば、塩害地帯、或いは重工業地帯では防錆性能が低く、取替頻度が多くなるなどの問題がある - 特許庁

Particularly, the combination of green and blue is adopted in the case of coping with an extended color space, and the combination of red and blue is adopted in the case of coping with color tone reproduction of a positive film.例文帳に追加

特に、拡張色空間に対応する場合にはグリーンとブルーの組合せを採用し、ポジフィルムの色調再現に対応する場合にはレッドとブルーの組合せを採用する。 - 特許庁

Since the thin electrode film thickness is good, the lift-off method is adopted for the processing method for the interdigital electrode.例文帳に追加

電極膜厚が薄くて良いので、すだれ状電極の加工方法としてリフトオフ法を使用することができる。 - 特許庁

Aluminium nitride, zinc oxide, polyvinylidene fluoride and the like are adopted as materials of the tin-film piezoelectric body 6.例文帳に追加

薄膜状圧電体６の材料としては、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、ポリフッ化ビニリデン等が採用される。 - 特許庁

Or, only the ion beam sputtering method is adopted just after starting deposition and just before completing the deposition so as to form layers of high denseness on the interfaces of the film.例文帳に追加

また成膜開始直後と成膜終了直前でイオンビームスパッタ法のみを適用して緻密度の高い層を膜の境界に形成する。 - 特許庁

The following structure is adopted to each shift stage of the shift register circuit, formed by thin-film transistors of a single channel on an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板上に単一チャネルの薄膜トランジスタにより形成されるシフトレジスタ回路の個々のシフト段に以下の構造を採用する。 - 特許庁