Ag interfaceとは 意味・読み方・使い方

When reflow soldering is performed, an Ni alloy layer (Cu-Ni-Sn) 68 with Ni and a solder composition metal can be made ((B) of Fig.) in the interface of a nickel layer 60 and a solder bump (Cu-Sn-Ag) 46.例文帳に追加

半田をリフローした際に、ニッケル層６０と半田バンプ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｇ）４６との界面に、Ｎｉと半田組成金属とのＮｉ合金層（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ）６８ができる（図６（Ｂ））。 - 特許庁

When reflow soldering is performed, the Ni alloy layer (Cu-Ni-Sn) 68 of Ni and solder composition metal is made ((B) of Fig.) in the interface of a nickel layer 60 and a solder bump (Cu-Sn-Ag) 46.例文帳に追加

半田をリフローした際に、ニッケル層６０と半田バンプ（Ｃｕ−Ｓｎ−Ａｇ）４６との界面に、Ｎｉと半田組成金属とのＮｉ合金層（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｎ）６８ができる（図８（Ｂ））。 - 特許庁

The joining part 2 is formed by arranging an Ag/Cu-based brazing material 5 having the thickness of 0.01 to 0.1 mm between an electrolytic nickel plating layer 6, by applying the electrolytic nickel plating layer 6 having the thickness of 3 μm or more to an interface surface of the opposed stainless sheets 1.例文帳に追加

接合部分２は、対向するステンレスシート１の接合面に厚さ３μｍ以上の電解ニッケルメッキ層６を施し、更に電解ニッケルメッキ層６間に厚さ０．０１〜０．１ｍｍのＡｇ／Ｃｕ系ロウ材５を配置したものである。 - 特許庁

In particular, when the reflective film pattern is formed by using silver (Ag) between the lower pixel electrode and the upper pixel electrode, an interface characteristic between the reflective film pattern and the insulation film, and an electrical characteristic in a contact region can be improved.例文帳に追加

特に、下部画素電極と上部画素電極間に銀（Ａｇ）を利用して反射膜パターンを形成すれば、反射膜パターンと絶縁膜間の界面特性を向上させて、コンタクト領域での電気的特性を向上させることができる。 - 特許庁

Even if M^1 (at least one kind selected from among Tc, Re, Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Pt, Cu, Ag and Au) is added to the ferromagnetic layer within a range of 2 nm from the interface with the nonmagnetic layer, the longest distance is reduced relatively.例文帳に追加

非磁性層との界面から２ｎｍの範囲の強磁性層に、Ｍ^1（Ｔｃ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕから選ばれる少なくとも１種）を添加しても、上記最長距離は相対的に低下する。 - 特許庁

To obtain a proper ohmic contact by breaking a barrier layer existing in an interface between Ni of a first electrode of a positive temperature coefficient thermistor element and Ag of a second electrode without bringing about the problem of the damage or rectifying operation of the positive temperature coefficient thermistor element.例文帳に追加

正特性サーミスタ素子の第１電極であるＮｉと第２電極であるＡｇとの界面に存在する障壁層を、正特性サーミスタ素子の破壊や整流作用の残存という問題を発生させずに破壊して良好なオーミック接触を得る。 - 特許庁

A semiconductor module having a semiconductor element and electrodes connected together through a bonding layer made of an Ag-based or Cu-based material is characterized in that a thin film of the same kind as the bonding layer is formed on an interface between the semiconductor element and bonding layer and an interface between the bonding layer and electrodes, the thin film having thickness of 1 to 200 nm.例文帳に追加

半導体素子と電極がＡｇ系またはＣｕ系材で構成された接合層を介して接続された半導体モジュールであって、半導体素子と前記接合層との界面、及び前記接合層と前記電極との界面に前記接合層と同種の薄膜が形成し、かつ前記薄膜の厚さが１乃至２００ｎｍであることを特徴とする。 - 特許庁