Al on aとは 意味・読み方・使い方

An anti-corrosive coating of Zn-Al base plating, Zn-Al-Mg base plating, and Zn-Al-Mg-Si base plating is applied on the surface of a metallic nail for fixing a roof tile in order to prevent the roof tile from cracking and scatting due to corrosion or rusting of the nail.例文帳に追加

屋根瓦を固定する金属釘の表面に、Zn-Al系めっき、Zn-Al-Mg系めっき、Zn-Al-Mg-Si系めっきの防食塗装が施されて、釘の腐食、錆によって生じる瓦のひび割れ、瓦の飛散を防止する。 - 特許庁

To provide a method for smelting a molten Al alloy, which inhibits slag generation on the surface of the molten Al metal to the utmost, while keeping an excellent property of an alum flux of removing hydrogen and inclusions into the low levels, and improves the yield of the Al molten metal.例文帳に追加

ミョウバンフラックスの優れた脱水素や脱介在物の高い低減レベルを維持しながら、Al溶湯表面の滓化を極力抑制して、Al溶湯の歩留りを向上しうる、Al合金溶湯の精錬方法を提供することである。 - 特許庁

There is provided the hot-dip Al-Zn plated steel sheet that has Al-Zn plating film having Al content of 20-95 mass% and a coating layer having the thickness of 0.1-5 μm, which contains aluminum oxide and/or aluminum hydroxide on the surface of the steel sheet in sequence.例文帳に追加

鋼板表面に、順に、Al含有量が20〜95mass%であるAl-Zn系めっき皮膜と、酸化アルミニウムおよび／または水酸化アルミニウムを含む厚さ0.1〜5μmの被覆層とを有することを特徴とする溶融Al-Zn系めっき鋼板。 - 特許庁

A first interlayer dielectric 3 and an Al alloy film 5 are sequentially deposited on a semiconductor substrate 1 (A).例文帳に追加

半導体基板１上に第１の層間絶縁膜３及びAl合金膜５を順に堆積する（Ａ）。 - 特許庁

The catalyst for cleaning the exhaust gas is obtained by supporting Rh on a CeO_2-ZrO_2-Al_2O_3 compound oxide in which Al/(Ce+Zr) is within a range of 5/20 to 40/20.例文帳に追加

Al／（Ce＋Zr）が 5／20〜40／20の範囲にあるCeO_2−ZrO_2−Al_2O_3複合酸化物にRhを担持した。 - 特許庁

The catalyst for cleaning the exhaust gas is obtained by supporting Pt on a CeO_2-ZrO_2-Al_2O_3 compound oxide in which Al/(Ce+Zr) is within a range of 1/20 to 50/20.例文帳に追加

Al／（Ce＋Zr）が 1／20〜50／20の範囲にあるCeO_2−ZrO_2−Al_2O_3複合酸化物にPtを担持した。 - 特許庁

A wiring layer 17 consisting of an Al layer or an Al alloy layer is deposited on the film 10.例文帳に追加

層間絶縁膜の上に、Ａｌ若しくはＡｌ合金からなる配線層を堆積する。 - 特許庁

Al is covered by a sputtering method on the insulating film 12, and an Al film 13 is formed.例文帳に追加

絶縁膜１２上にＡｌをスパッタリング法により被着してＡｌ膜１３を形成する。 - 特許庁