Ar mixtureとは 意味・読み方・使い方

If a plasma etching of a first step of using a mixture gas of CHF_3/Ar/N_2 is completed in a state of erasing a plasma, an Ar gas is fed from an Ar gas supply source 46 into a processing envelop 10 as a purging gas.例文帳に追加

ＣＨＦ_３／Ａｒ／Ｎ_２の混合ガスを用いる第１ステップのプラズマエッチングが終了したなら、プラズマを消した状態でＡｒガス供給源４６よりＡｒガスをパージングガスとして処理容器１０内に送り込む。 - 特許庁

In an embodiment, a plasma is generated from a gas mixture containing about 100 to about 250 sccm of argon(Ar), about 100 to about 500 sccm of nitrogen(N2) and about 10 to about 80 sccm of silane(SiH4), thereby depositing silicon nitride.例文帳に追加

１つの実施態様では、約100〜約250 sccmのアルゴン（Ar）、約100〜約500 sccmの窒素（N_2）、および約10〜約80 sccmのシラン（SiH_4）を含むガス混合物からプラズマを形成することにより窒化珪素を堆積する。 - 特許庁

The formation of the crystallization accelerating layer 3 is carried out by using a Bi target and introducing a gaseous Ar-N2 mixture.例文帳に追加

結晶化促進層３の成膜は、Ｂｉからなるターゲットを用い、アルゴンと窒素の混合ガスを導入して行う。 - 特許庁

After completion of this purging step, the plasma etching of a second step of using the mixture gas of C_4F_8/Ar/N_2 is performed.例文帳に追加

このパージング工程の終了後に、Ｃ_４Ｆ_８／Ａｒ／Ｎ_２の混合ガスを用いて第２ステップのプラズマエッチングが行われる。 - 特許庁

As the pressure recovering gas, a mixture of steam (H_2O) of about 10% in the volume ratio and argon gas (Ar) is used.例文帳に追加

復圧ガスとして、体積混合比略１０％の水蒸気（Ｈ_２Ｏ）と、アルゴンガス（Ａｒ）とを含む混合ガスを用いる。 - 特許庁

Processing gas consisting of a gaseous mixture of N2, H2 and Ar, whose flow rate ratio (Ar/(N2+H2+Ar)) is 0.7-0.8, is introduced to the inside the processing chamber 102, and a pressure atmosphere inside the processing chamber 102 is set to 5 mTorr-15 mTorr.例文帳に追加

処理室１０２内に流量比（Ａｒ／（Ｎ_2＋Ｈ_2＋Ａｒ））が０．７〜０．８のＮ_2とＨ_2とＡｒの混合ガスから成る処理ガスを導入し，処理室１０２内の圧力雰囲気を５ｍＴｏｒｒ〜１５ｍＴｏｒｒに設定する。 - 特許庁

In an etching step for forming a via hole 8, mixture gas of C_4H_8, O_2, and Ar is used an etching gas.例文帳に追加

ヴィアホール８を形成するためのエッチング工程において、エッチングガスとして、Ｃ_４Ｈ_８、Ｏ_２、及びＡｒの混合ガスを用いる。 - 特許庁

The etalon substrate 11 is installed in a sample chamber 12 of an ion beam radiator, and the mixture of gaseous CHF_3 and gaseous Ar is introduced into an ion gun chamber 13 from a gas introduction tube 15 as a reactive etching gas.例文帳に追加

エタロン基板１１をイオンビーム照射装置の試料室１２に設置し、ガス導入管１５より反応性エッチングガスとしてCHF_3ガスとArガスの混合ガスをイオン銃室１３内に導入する。 - 特許庁