「Ar mixture」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

As the O_2 included gas, the mixture gas of O_2 and the inert gas (Ar or N_2) is desirably used.例文帳に追加

Ｏ_2含有ガスとしては、Ｏ_2と不活性ガス（ＡｒやＮ_2等）との混合ガスを使用するのが好ましい。 - 特許庁

In the method for dispersing the fine oxides in the molten steel, Mg is added to the molten steel and then gaseous CO_2 or gaseous mixture of Ar and CO_2 is fed to the molten steel.例文帳に追加

溶鋼中にMgを添加した後にCO_2ガス、もしくはAr+ CO_2の混合ガスを溶鋼に供給することを特徴とする溶鋼中の微細酸化物分散方法。 - 特許庁

If a plasma etching of a first step of using a mixture gas of CHF_3/Ar/N_2 is completed in a state of erasing a plasma, an Ar gas is fed from an Ar gas supply source 46 into a processing envelop 10 as a purging gas.例文帳に追加

ＣＨＦ_３／Ａｒ／Ｎ_２の混合ガスを用いる第１ステップのプラズマエッチングが終了したなら、プラズマを消した状態でＡｒガス供給源４６よりＡｒガスをパージングガスとして処理容器１０内に送り込む。 - 特許庁

In an embodiment, a plasma is generated from a gas mixture containing about 100 to about 250 sccm of argon(Ar), about 100 to about 500 sccm of nitrogen(N2) and about 10 to about 80 sccm of silane(SiH4), thereby depositing silicon nitride.例文帳に追加

１つの実施態様では、約100〜約250 sccmのアルゴン（Ar）、約100〜約500 sccmの窒素（N_2）、および約10〜約80 sccmのシラン（SiH_4）を含むガス混合物からプラズマを形成することにより窒化珪素を堆積する。 - 特許庁

The formation of the crystallization accelerating layer 3 is carried out by using a Bi target and introducing a gaseous Ar-N2 mixture.例文帳に追加

結晶化促進層３の成膜は、Ｂｉからなるターゲットを用い、アルゴンと窒素の混合ガスを導入して行う。 - 特許庁

After completion of this purging step, the plasma etching of a second step of using the mixture gas of C_4F_8/Ar/N_2 is performed.例文帳に追加

このパージング工程の終了後に、Ｃ_４Ｆ_８／Ａｒ／Ｎ_２の混合ガスを用いて第２ステップのプラズマエッチングが行われる。 - 特許庁

As the pressure recovering gas, a mixture of steam (H_2O) of about 10% in the volume ratio and argon gas (Ar) is used.例文帳に追加

復圧ガスとして、体積混合比略１０％の水蒸気（Ｈ_２Ｏ）と、アルゴンガス（Ａｒ）とを含む混合ガスを用いる。 - 特許庁

Processing gas consisting of a gaseous mixture of N2, H2 and Ar, whose flow rate ratio (Ar/(N2+H2+Ar)) is 0.7-0.8, is introduced to the inside the processing chamber 102, and a pressure atmosphere inside the processing chamber 102 is set to 5 mTorr-15 mTorr.例文帳に追加

処理室１０２内に流量比（Ａｒ／（Ｎ_2＋Ｈ_2＋Ａｒ））が０．７〜０．８のＮ_2とＨ_2とＡｒの混合ガスから成る処理ガスを導入し，処理室１０２内の圧力雰囲気を５ｍＴｏｒｒ〜１５ｍＴｏｒｒに設定する。 - 特許庁

In an etching step for forming a via hole 8, mixture gas of C_4H_8, O_2, and Ar is used an etching gas.例文帳に追加

ヴィアホール８を形成するためのエッチング工程において、エッチングガスとして、Ｃ_４Ｈ_８、Ｏ_２、及びＡｒの混合ガスを用いる。 - 特許庁

The etalon substrate 11 is installed in a sample chamber 12 of an ion beam radiator, and the mixture of gaseous CHF_3 and gaseous Ar is introduced into an ion gun chamber 13 from a gas introduction tube 15 as a reactive etching gas.例文帳に追加

エタロン基板１１をイオンビーム照射装置の試料室１２に設置し、ガス導入管１５より反応性エッチングガスとしてCHF_3ガスとArガスの混合ガスをイオン銃室１３内に導入する。 - 特許庁

To stabilize an arc and realize a low spatter by enabling a spray transfer of droplets in a MAG welding while a Ar+CO2 mixture gas whose CO2 ratio is more than 25 vol.% is used as a shield gas.例文帳に追加

CO_2 比率が25体積％を超えるAr＋CO_2 混合ガスをシールドガスとするＭＡＧ溶接において、溶滴のスプレー移行を可能とし、アークの安定化、低スパッター化が可能なガスシールドアーク溶接用鋼ワイヤを提供する。 - 特許庁

The etching is performed in such a manner that a gaseous mixture of Ar, Cr_4 and O_2 in which the mixing ratio of Ar is ≥70% is introduced into the chamber under a gaseous pressure of ≤26 Pa, and the side face temperature of the work is held at 50 to 250°C.例文帳に追加

チャンバー内にはＡｒ混合比７０％以上のＡｒ，ＣＦ_４，Ｏ_２の混合ガスをガス圧２６Ｐａ以下で導入し、被加工物の側面温度を５０℃以上２５０℃以下に保ってエッチングを行う。 - 特許庁

Ingredients of discharge gas 3 sealed in the ultraviolet light source 1 are nitrogen gas (N_2), argon (Ar), helium or the like with a mixture ratio of N_2 to Ar of 0.1:99.9 to 30:70, and an internal pressure of 100 to 1,000 Pa.例文帳に追加

紫外線光源１に封入された放電ガス３の成分が、窒素ガス（Ｎ_２），アルゴン（Ａｒ），ヘリウム等であり、Ｎ_２とＡｒとの混合比が０．１：９９．９〜３０：７０、内部圧力が１００〜１０００Ｐａである。 - 特許庁

He gas is mixed with at least one gas selected from among Ne, Ar, Kr, Xe and Rn to form a sputter-gas mixture.例文帳に追加

Ｈｅガスと、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、ＸｅおよびＲｎから選択される少なくとも１つのガスとを混合してスパッタリングガス混合物を得る。 - 特許庁

The second dielectric layer 13 is formed by reactive sputtering in a gaseous mixture atmosphere composed of Ar gas, O_2 gas and N_2 gas.例文帳に追加

第２誘電体層１３は、Ａｒガス、Ｏ_2ガス及びＮ_2ガスからなる混合ガス雰囲気中において、反応性スパッタリングにより成膜する。 - 特許庁

It is preferable that the first etching gas contains the gas for which an etching gas is diluted by the Xe gas or the gas mixture of the Xe gas and an Ar gas.例文帳に追加

第１エッチングガスは、エッチングガスをＸｅガス又はＸｅガスとＡｒガスとの混合ガスで希釈したガスを含むことが好ましい。 - 特許庁

Mixture gas containing xenon (Xe) and argon (Ar) is sealed as discharge gas in the plasma display panel, with a ratio of mixture ratio of argon to that of xenon of 1/1,000 or more and less than 1/5.例文帳に追加

放電ガスとしてキセノン（Ｘｅ）およびアルゴン（Ａｒ）を含む混合ガスを封入し、アルゴンの混合率とキセノンの混合率との比率を、１／１０００以上１／５未満としたプラズマディスプレイパネルである。 - 特許庁

The AlN piezoelectric film 10 is formed by sputtering through use of a mixture gas of Ar and nitrogen having a nitrogen flow rate ratio (nitrogen flow rate/(Ar flow rate + nitrogen flow rate)) in the range of 10-75%.例文帳に追加

この場合、ＡｌＮ圧電薄膜１０は、Ａｒと窒素との混合ガスであって窒素流量比（窒素流量／（Ａｒ流量＋窒素流量））が１０％〜７５％である混合ガスを用いるスパッタリング法で形成される。 - 特許庁

The crystalline substrate 11 is set in a specimen chamber 12 of an ion beam irradiator, and a mixture gas of a CHF_3 gas and an Ar gas mixed at a ratio in a range of 1:10 to 1:2 is introduced from a gas inlet pipe 15 into an ion gun chamber 13 as a reactive etching gas.例文帳に追加

この結晶基板１１をイオンビーム照射装置の試料室１２に設置し、ガス導入管１５よりCHF_3ガスとArガスとを1:10〜1:2の範囲で混合したガスを反応性エッチングガスとしてイオン銃室１３内に導入する。 - 特許庁

An Ar gas bomb 14 and a mixture gas bomb 15 are connected to the chamber through a reducing valve 16, 17, a flow regulation valve 18 and an on/off valve 19.例文帳に追加

チャンバーに、減圧バルブ１６，１７，流量調整用バルブ１８，オンオフバルブ１９を介してＡｒガスボンベ１４及び混合ガスボンベ１５が繋がれる。 - 特許庁

The formation of this insulating layer 12 is executed under 10 mTorr of sputtering pressure by using a gaseous Ar mixture in which oxygen is included at 2.00% by the volumetric ratio of the entire gas amount.例文帳に追加

この絶縁層１２の形成は、酸素が全ガス量に対する体積割合で２．００％含まれるＡｒ混合ガスを使用し、スパッタ圧１０mTorrで行う。 - 特許庁

The rare gas is a gaseous mixture composed of Ne and Ar having a ratio of Ne of ≥80% and the sealing pressure into the light emitting tube 4 is ≥40 to ≤200 Torr.例文帳に追加

希ガスはＮｅの比率が８０％以上のＮｅとＡｒの混合ガスであり、発光管４内の封入圧が４０torr以上２００torr以下である。 - 特許庁

After that, the mixture of a Cl2 gas and C3F8 gas with an Ar gas (Cl2/C3F8/Ar gases) is used by a two-frequency RIE method or ICP type RIE method, the film 3 is dry-etched using the resist 4 as a mask and an Au wiring 3a is formed.例文帳に追加

その後、２周波ＲＩＥ又はＩＣＰ方式のＲＩＥにより、Ｃｌ_２ガス、Ｃ_３Ｆ_８ガス及びＡｒガス（Ｃｌ_２／Ｃ_３Ｆ_８／Ａｒ）の混合ガスを使用し、レジスト４をマスクとして、Ａｕ膜３をドライエッチングし、Ａｕ配線３ａを形成する。 - 特許庁

In the second agitation step, the mixture is further agitated at about room temperature for 60 min or lower at a revolution speed of 1 rpm or higher in a specified atmosphere (N2, Ar or air).例文帳に追加

第２攪拌工程では、室温付近の温度で、６０分以下、１ｒｐｍ以上の回転速度で、所定雰囲気（Ｎ_2 、Ａｒ又は空気）中において混合物をさらに攪拌する。 - 特許庁

A nitrogen directing layer 5a is formed on the interlayer insulating film 3 by performing reverse sputtering relative to the interlayer insulating film 3 by using the mixture of Ar gas and N_2 gas.例文帳に追加

ＡｒガスとＮ_2ガスとの混合ガスを用いて層間絶縁膜３の逆スパッタを行うことにより、層間絶縁膜３上に窒素導入層５ａを形成する。 - 特許庁

For such as oxygen precipitate concentration profile, the wafer is exposed to rapid heat annealing in a gas mixture atmosphere comprising NH_3 and Ar at about 1200°C or below.例文帳に追加

このような酸素析出物濃度プロファイルのために、ウェーハはＮＨ_3及びＡｒを含むガス混合物雰囲気で約１２００℃以下の温度で急速熱的アニーリング工程に提供される。 - 特許庁

With such an oxygen precipitate concentration profile, the wafer is provided to a rapid thermal annealing step of about 1200°C or below in a gas mixture atmosphere containing NH_3 and Ar.例文帳に追加

このような酸素析出物濃度プロファイルのために、ウェーハはＮＨ_３及びＡｒを含むガス混合物雰囲気で約１２００℃以下の温度で急速熱的アニーリング工程に提供される。 - 特許庁

There is provided a polyarylene sulfide resin powder coating containing at least 5 wt.% cyclic polyarylene sulfide mixture of general formula (1) (wherein Ar is an arylene group; and m is an integer of 2-50) in 100 wt.% polyarylene sulfide resin.例文帳に追加

ポリアリーレンスルフィド樹脂１００重量％中に、下記一般式（１）環式ポリアリーレンスルフィド混合物を５重量％以上含有することを特徴とするポリアリーレンスルフィド樹脂粉体塗料。 - 特許庁

In at least some embodiments, the invention is a plasma etching method comprising steps of applying a gas mixture of CF_4, N_2, and Ar and forming high density low impact energy plasma.例文帳に追加

少なくともいくつかの実施形態においては、本発明は、ＣＦ_4、Ｎ_2、Ａｒを含むガス混合物を適用するステップと、高密度低衝撃エネルギープラズマを形成するステップとを含むプラズマエッチング法である。 - 特許庁

A mask pattern 4 of resist is then formed on the insulating film 3 and a charge transfer electrode 2 is formed by performing etching through the mask pattern 4 using mixture gas of CHF_3, CF_4 and Ar.例文帳に追加

次に、絶縁膜３上にレジストのマスクパターン４を形成し、このマスクパターン４を介してＣＨＦ_３とＣＦ_４とＡｒの混合ガスを用いたエッチングを行って電荷転送電極２を形成する。 - 特許庁

Using a high frequency reaction sputtering process in which an Al_2O_3 target is used and discharge is performed in a gaseous mixture of Ar and N_2 by a high frequency power source, and by adjusting relationship between the bias voltage to be applied at the sputtering and the temperature of a metal base material, the hard protective film is formed so as to have a plastic deformation hardness of ≥30 GPa.例文帳に追加

Al_2O_3ターゲットを用いて高周波電源によってAr及びN_2の混合ガス中で放電させる高周波反応スパッタ法を用い、その際に印加するバイアス電圧と金属母材の温度との関係を調整することによって、硬質保護膜を30GPa以上の塑性変形硬さに形成する。 - 特許庁

Mixture of helium (He) gas and argon (Ar) gas is supplied to a gas supply tube 41, and a voltage of a given frequency is applied from a power supply 44 on an electrode 43 to have plasma generated, thereby, plasma jet 45 is generated.例文帳に追加

ヘリウム（Ｈｅ）ガスとアルゴン（Ａｒ）ガスを混合してガス供給管４１へ供給し、電源４４から所定周波数の電圧を電極４３に印加してプラズマを発生し、プラズマジェット４５を生成する。 - 特許庁

In a method for dry etching the insulating film provided on the semiconductor substrate, a ratio of an Ar gas in mixture gas used when dry etching is carried out is set at 40% or less.例文帳に追加

本発明のドライエッチング方法は、半導体基板に設けられた絶縁膜をドライエッチングする方法において、ドライエッチングする際に使用する混合ガスの中のＡｒのガス比率を、４０％以下に設定することを特徴とするものである。 - 特許庁

Or, silicon ultrafine particles are heat treated in one kind of inert gas selected from N2, He, Ar, Ne, Kr, Xe and mixture gas of these or in an inert gas containing these gases as the maim component.例文帳に追加

また、シリコン超微粒子をＮ_2、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ、及びそれらの混合ガスのうちいずれか１つの不活性ガス、又はそれらを主成分とする不活性ガス中で加熱処理するシリコン超微粒子の処理方法である。 - 特許庁

The reformer 10 is provided with the reforming catalyst 10C, reforms air fuel mixture Gm for reformation of fuel Fr for reformation and air Ar for reformation by the reformation catalyst 10C to form reformed gas Gr containing hydrogen.例文帳に追加

改質器１０は、改質触媒１０Ｃを備え、改質用燃料Ｆｒと改質用空気Ａｒとの改質用混合気Ｇｍを改質触媒１０Ｃにより改質して、水素を含む改質ガスＧｒを生成する。 - 特許庁

The method achieves re-sputtering of the metal at the base of the recess with a sputter gas by utilizing a mixture of Ar and He and/or Ne as the sputter gas with a ratio of He and/or Ne:Ar of at least about 10:1.例文帳に追加

この方法は、ＡｒとＨｅおよび／またはＮｅの混合物をスパッタガスとして用い、Ｈｅおよび／またはＮｅ：Ａｒの比率を少なくとも約１０：１とすることによって、凹部中の底面における金属の再スパッタを達成する。 - 特許庁

A front layer of a side face and an upper surface of the resist pattern is etched by a plasma of a mixture gas containing at least one first gas selected from the group consisting of He, Ne, Ar, Xe, Kr, CO, CO_2 and N_2, and an SO_2 gas.例文帳に追加

Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、ＣＯ、ＣＯ_２、及びＮ_２からなる群より選択された少なくとも１つの第１のガスとＳＯ_２ガスとを含む混合ガスのプラズマにより、レジストパターンの側面及び上面の表層部をエッチングする。 - 特許庁

In the first agitation step, the mixture prepared in the above step is agitated at the phase transition temperature TNI or higher but at (TNI+40°C) or lower for 60 min or lower at a revolution speed of 1 rpm or higher in a specified atmosphere (N2, Ar or air).例文帳に追加

第１攪拌工程では、添加工程で作製された混合物を相転移温度Ｔ_NI以上（Ｔ_NI＋４０°Ｃ）以下の温度で、６０分以下、１ｒｐｍ以上の回転速度で、所定雰囲気（Ｎ_2 、Ａｒ又は空気）中において攪拌する。 - 特許庁

The windshield for the timepiece is formed with an oxide film by a sputtering process on a glass base material, in which the sputtering gas is a gaseous mixture composed of Ar and an element having an atomic radius smaller than atoms exclusive of oxygen constituting the oxide film.例文帳に追加

ガラス基材に酸化物膜がスパッタリング法で形成された時計用風防ガラスであり、そのスパッタリングガスが、前記酸化物膜を構成する酸素以外の原子よりも小さな原子半径の元素とＡｒの混合ガスであることを特徴とする。 - 特許庁

The sintered compact target for forming the optical recording medium protective film is manufactured by filling the powdery mixture in a hot press mold and hot-pressing at 700-1,200°C under 20-40 MPa under a vacuum or Ar gas atmosphere.例文帳に追加

そして、この混合粉末をホットプレス型内に充填し、真空又はＡｒガス雰囲気中、７００〜１２００℃の温度で２０〜４０ＭＰａの圧力でホットプレスすることにより光記録媒体保護膜形成用焼結体ターゲットが製造できる。 - 特許庁

A pair of electrodes are arranged in opposition in a discharge vessel made of quartz glass, in which, 2 to 12 (mg/cm^3) of mercury, 1 to 8 (atmospheric pressure) of Argon (Ar), krypton (Kr) or their mixture gas are sealed in, with at least ultraviolet rays of wavelengths of 200 to 300 (nm) irradiated.例文帳に追加

石英ガラスからなる放電容器に、一対の電極が対向配置するとともに、２〜１２（ｍｇ/ｃｍ^３）の水銀と、１〜８（気圧）のアルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）またはその混合ガスが封入され、少なくとも波長２００〜３００（ｎｍ）の紫外線を放射する。 - 特許庁

The surface of a semiconductor chip (wafer 10) is subjected to ion milling with a mixture gas of Ar and H2 to form conductor layers 14, 16 on an Al layer 12 and a polyimide layer 13, and the exposed surface of the polyimide layer 13 is subjected to sputter etching with am N2 gas.例文帳に追加

半導体チップ（ウエハ１０）の表面に対し、ＡｒとＨ_2 の混合ガスによりイオンミリングを行い、Ａｌ層１２とポリイミド層１３の上に導体層１４，１６を形成した後、露出しているポリイミド層１３の表面に対し、Ｎ_2 ガスによりスパッタエッチングを行う。 - 特許庁

SiC is etched using plasma of an etching gas containing CHF_3, a gas containing CHF_3 and N_2, e.g. a mixture gas of CHF_3, N_2 and Ar, or an etching gas containing a material having C, H and F and a material having N but not containing a material having O.例文帳に追加

ＣＨＦ_３を含むエッチングガス、ＣＨＦ_３とＮ_２とを含むガス、例えばＣＨＦ_３とＮ_２とＡｒの混合ガス、またはＣとＨとＦとを有する物質とＮを有する物質とを含みＯを有する物質を含まないエッチングガスをプラズマ化してＳｉＣをエッチングする。 - 特許庁

As a plasma operating gas, a gaseous mixture of Ar-H2 contg. 2 to 20 vol.% H2 is used, active H atoms produced by the dissociation of H2 are reacted with impurities in the metallic material, and C, N and O are converted into CH4, NH3 and H2O respectively and are removed.例文帳に追加

プラズマ作動ガスとしてＡｒ−Ｈ_2混合ガスであって２〜２０容積％のＨ_2を含有するガスを使用し、Ｈ_2 の解離によって生じた活性なＨ原子と金属材料中の不純物とを反応させて、Ｃ，ＮおよびＯを、それぞれＣＨ_4，ＮＨ_3およびＨ_2Ｏ に転化させて除去する。 - 特許庁

Then, a second Zr oxide film 33, which is an intermediate layer part or upper layer part of the gate insulating film, is formed on the first Zr oxide film 32 through reactive-sputtering, using the Zr target 20 in an atmosphere of the mixture gas comprising the Ar gas and O2 gas within the chamber.例文帳に追加

次に、チャンバー内をＡｒガスとＯ_2 ガスとの混合ガスの雰囲気にしながら、Ｚｒターゲット１０を用いて反応性スパッタリングを行なうことにより、第１のＺｒ酸化物膜３２上にゲート絶縁膜の中層部又は上層部となる第２のＺｒ酸化物膜３３を形成する。 - 特許庁