Au Capとは 意味・読み方・使い方

In a semiconductor light emitting element having electrodes including a Pt layer adjacent an Au layer 14, a Ti layer 12 of 50 nm, a Pt-Mo layer 13 of 50 nm, an Au layer 14 of 300 nm are laminated on a P-GaAs cap layer 9.例文帳に追加

Au層に隣接したPt層を含む電極を備えた半導体発光素子において、P-GaAsキャップ層９上にTi層12を50nm、Pt-Mo層13を50nm、Au層14を300nmの厚さで順次積層して形成した。 - 特許庁

The bonding between the base member 1 and the cap member is conducted by overlapping the cap member onto the base member 1 and heating them while pressing the cap member onto the base member 1 to melt the Au-Sn alloy wire.例文帳に追加

ベース部材１とキャップ部材３との接合は、ベース部材１にキャップ部材３を重ね合わせ、キャップ部材３をベース部材１に押圧した状態で、加熱し、Ａｕ−Ｓｎ合金線を溶融して行われる。 - 特許庁

A prescribed amount of thermoplastic resin 16 is loaded into a cap 14, the cap 14 is welded to the circuit substrate 11 by Au-Sn eutectic solder 15, thus ensuring airtightness in a closed space that is formed by the cap 14 and the circuit substrate 11.例文帳に追加

キャップ１４内に熱可塑性樹脂１６を所定量入れ、Ａｕ−Ｓｎ共晶はんだ１５によりキャップ１４を回路基板１１に接合し、キャップ１４と回路基板１１とにより形成される密閉空間内の気密性を確保する。 - 特許庁

A Ti/Pt/Au multilayered material film is formed as a P-side electrode 59 extending over the P-type clad layer 55 and bestriding the P-type cap layer 57.例文帳に追加

ｐ側電極５９として、ｐ型クラッド層５５上からｐ型キャップ層５７上を延在し、次いでｐ型クラッド層５５上に達するｐ型キャップ層５７を跨がった形状のＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの多層金属膜が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor layer is grown on a substrate 100, Au/Ti is formed on a cap layer 112 as an anode 114, a photoresist 116 is applied onto the anode 114, exposure is carried out with a mask, and an etching mask 118 is formed.例文帳に追加

基板１００上に半導体層を成長させ、キャップ層１１２の上にアノード１１４としてＡｕ／Ｔｉを形成し、アノード１１４上にフォトレジスト１１６を塗布し、マスクをかけて露光し、エッチングマスク１１８を形成する。 - 特許庁

A seal ring 6 made of a rectangular frame-shaped metallic film is formed to an upper face outer circumferential part being an joint part of a base member 1 to a cap member, and an Au-Sn alloy wire being a sealing material 7 is sealed over the entire circumference of the seal ring 6 through wire bonding.例文帳に追加

ベース部材１のキャップ部材３との接合部となる上面外周に、矩形枠状の金属膜からなるシールリング６を形成し、シールリング６上に全周に亘って封止材７であるＡｕ−Ｓｎ合金線をワイヤーボンディングにより付着する。 - 特許庁

This surface acoustic wave filter is constituted by electrically connecting the surface acoustic wave chip 1 and a planar ceramic substrate 3 by Au bumps 2 and covering the surface acoustic wave chip 1 with a thin internal cap 6 of 20 μm in thickness, before coating the chip 1 with an adhesive resin layer 5.例文帳に追加

Ａｕバンプ２により弾性表面波チップ１と平板セラミック基板３を電気的に接続し、樹脂層５を弾性表面波チップ１に塗布する前の状態で、この弾性表面波チップ１に厚さ２０μｍの薄い内キャップ６を被せるようにする。 - 特許庁