CCD structureとは 意味・読み方・使い方

SUPPORT STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, CCD SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND PACKAGE FOR CCD SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体装置の支持構造、ＣＣＤ半導体装置、その製造方法、及び、ＣＣＤ半導体装置用パッケージ - 特許庁

In a scope unit employing the CCD having a vertical overflow drain structure, a detection circuit for detecting the voltage of the substrate terminal of the CCD is provided to the CCD control part of a base end part.例文帳に追加

縦型オーバーフロードレイン構造のＣＣＤを採用したスコープユニットにおいて、基端部のＣＣＤ制御部に、ＣＣＤのサブストレート端子の電圧を検出する検出回路を設ける。 - 特許庁

LATERAL OVERFLOW DRAIN, ANTIBLOOMING STRUCTURE FOR CCD DEVICE HAVING IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE例文帳に追加

破壊電圧を高めたＣＣＤデバイスの横型オーバーフロードレイン及びブルーミング防止構造 - 特許庁

To provide a CCD positioning device and method therefor which can make very precise positioning of a CCD possible by a simple structure at low cost.例文帳に追加

簡単な構成、安価で、高い精度でＣＣＤの位置決めを可能にするＣＣＤ位置決め装置及びＣＣＤ位置決め方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an original reading apparatus which can be configured in a simple manner and includes a structure for fixing a CCD (Charge Coupled Device) substrate so as to easily position the CCD substrate.例文帳に追加

簡単に構成できるとともに、ＣＣＤ基板の位置決めが行い易いＣＣＤ基板の固定構造を備えた原稿読取装置を提供する。 - 特許庁

The display device 1 is provided with a CCD 114 on the rear side of discharge cell structure 13 and measures light guided from the discharge cell structure 13 to the rear side or light leaked from the discharging cell structure 13 to the rear side by the CCD 14.例文帳に追加

放電セル構造１３の背面側にＣＣＤ１４を設け、放電セル構造１３から背面側に導かれる光、または放電セル構造１３から背面側に漏れる光をＣＣＤ１４により測定する。 - 特許庁

To provide a CCD sensor mounting structure which can keep a position of a CCD sensor constant regardless of a temperature change in an image reader and does not affect a state of mounting the CCD sensor on a substrate.例文帳に追加

画像読取装置の温度変化に関わらずＣＣＤセンサーの位置を一定に保つことができ、且つＣＣＤセンサーの基板に対する実装状態にも影響が及ばないＣＣＤセンサーの取付構造を提供する。 - 特許庁

In the CCD-type solid-state image pickup element (CCD) 1, a first drain structure D_1 discharging a surplus of the electric signals which are read by a gate electrode 3 is disposed adjacently to an accumulation CCD cell 4 (adjacent cell 4_1) adjacent to the gate electrode 3 in a plurality of accumulation CCD cells 4.例文帳に追加

ＣＣＤ型固体撮像素子（ＣＣＤ）１において、ゲート電極３で読み出された電気信号の余剰分を排出する第１ドレイン構造Ｄ_1を、複数個の蓄積用ＣＣＤセル４のうちでゲート電極３に隣接した蓄積用ＣＣＤセル４（隣接セル４_1）に隣接して設ける。 - 特許庁