DNWとは 意味・読み方・使い方

Consequently, the drain potential is applied to a region of the DNW 12 directly under the drain layer 17.例文帳に追加

これにより、ＤＮＷ１２におけるドレイン層１７の直下域にドレイン電位を印加する。 - 特許庁

In a semiconductor device 1, a deep N well (DNW) 12 is formed at the upper layer part of a P type substrate 11, a P well 13 is formed partially at the upper layer part of the DNW 12, and an N type LDMOS 26 is formed at the upper layer part of the P well 13.例文帳に追加

半導体装置１において、Ｐ型基板１１の上層部分にディープＮウエル（ＤＮＷ）１２を形成し、ＤＮＷ１２の上層部分の一部にＰウエル１３を形成し、Ｐウエル１３の上層部分にＮ型ＬＤＭＯＳ２６を形成する。 - 特許庁

In a layout of a semiconductor integrated circuit, cells TWF1, TW1-L, and TW1-R are arranged so that the protrusion regions of each of the DNW regions 7 make a circular shape.例文帳に追加

半導体集積回路のレイアウトで、セルＴＷＦ１，ＴＷ１−Ｌ，ＴＷ１−ＲはＤＮＷ領域７のはみ出し領域が環状になるように配列される。 - 特許庁

In a first triple well functional cell TW1-L (C) without a circuit function, a region of the DNW region 7 protruded to a well region 5a is arranged in a shape of L from a second side 1b to a third side 1c of a cell frame.例文帳に追加

回路機能をもたない第１トリプルウェル用セルＴＷ１−Ｌ（Ｂ）で、ウェル領域５ａに対するＤＮＷ領域７のはみ出し領域はセル枠の第２辺１ｂから第３辺１ｃにわたってＬ字型に配置されている。 - 特許庁

In a first triple well functional cell TW1-R (D) without a circuit function, a region of the DNW region 7 protruded to a well region 5b is arranged in a shape of L from a third side 1c to a fourth side 1d of a cell frame.例文帳に追加

回路機能をもたない第１トリプルウェル用セルＴＷ１−Ｒ（Ｃ）で、ウェル領域５ｂに対するＤＮＷ領域７のはみ出し領域はセル枠の第３辺１ｃから第３辺１ｄにわたってＬ字型に配置されている。 - 特許庁

Such a voltage as not causing punch through between the source layer 15 and the drain layer 17 but causing punch through between the drain layer 17 and the DNW 12 is applied between the source layer 15 and the drain layer 17 thus driving the N type LDMOS 26.例文帳に追加

そして、ソース層１５とドレイン層１７との間ではパンチスルーが発生せず、ドレイン層１７とＤＮＷ１２との間ではパンチスルーが発生するような電圧を、ソース層１５とドレイン層１７との間に印加して、Ｎ型ＬＤＭＯＳ２６を駆動させる。 - 特許庁

In a triple well functional cell TWF1 (A) with a circuit function, a region of a DNW region 7 protruded to a P well region 5 is arranged between an N well region 3 and the P well region 5 from a second side 1b to a fourth side 1d of a cell frame.例文帳に追加

回路機能をもつトリプルウェル用機能セルＴＷＦ１（Ａ）で、Ｐウェル領域５に対するＤＮＷ領域７のはみ出し領域は、Ｎウェル領域３とＰウェル領域５の間でセル枠の第２辺１ｂから第４辺１ｄにわたって配置されている。 - 特許庁