| 意味 | 例文 (11件) |
ED2とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「ED2」の意味 |
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ED2
| human | 遺伝子名 | ED2 |
| 同義語（エイリアス） | HED; Gap junction beta-6 protein; GJB6; Connexin-30; DFNA3; Cx30; CX30; EDH; gap junction protein, beta 6 (connexin 30) | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:O95452 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:10804 | |
| その他のDBのID | HGNC:4288 |
| mouse | 遺伝子名 | Ed2 |
| 同義語（エイリアス） | Protein D12; mED2; 2010315L10Rik; 5730403H22Rik; USE1-like protein; D12; Q-SNARE; RIKEN cDNA 2010315L10 gene; Use1l; AV002165; Vesicle transport protein USE1 | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:Q9CQ56 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:67023 | |
| その他のDBのID | MGI:1914273 |
本文中に表示されているデータベースの説明
「ED2」を含む例文一覧
該当件数 : 11件
A fluorescent material film PH in the vicinity of external electrodes ED1, ED2, where sputtering of sealed in mercury HG most easily takes place, is removed.例文帳に追加
封入された水銀ＡＧのスパッタが最も起こり易い外部電極ＥＤ１，ＥＤ２近傍における蛍光体膜ＰＨを除去した。 - 特許庁
A fluorescent material film PH in the vicinity of external electrodes ED1, ED2, where sputtering of sealed in mercury HG most easily takes place, is removed.例文帳に追加
封入された水銀ＨＧのスパッタが最も起こり易い外部電極ＥＤ１，ＥＤ２近傍における蛍光体膜ＰＨを除去した。 - 特許庁
The plurality of ridge parts 30, 40 are adjacent to each other in descending order of height from a first side edge ED1 toward a second side edge ED2.例文帳に追加
複数の尾根部３０及び４０は、第１の側縁ＥＤ１から第２の側縁ＥＤ２に向かって高い順に並設される。 - 特許庁
Then, the shape of the magnetism sensor HP is made variable in response to the potential of these electrodes ED1, ED2, via the variation of the width of the depletion layer formed between an n-type semiconductor region 12 and the p-type electrodes ED1, ED2.例文帳に追加
そして、Ｐ型の電極ＥＤ１およびＥＤ２とＮ型の半導体領域１２との間に形成される空乏層の幅変化を通じて、これら電極ＥＤ１およびＥＤ２の電位に応じて磁気検出部ＨＰの形状を可変とする。 - 特許庁
The internal network of a storage controller is configured to enable the access of a virtual function (VF) "VF 0:0,1" of each endpoint device (EDO to ED2) from a root port RP0.例文帳に追加
ストレージコントローラ内部ネットワークにおいて、ルートポートＲＰ０からは、各エンドポイントデバイス（ＥＤ０〜ＥＤ２）のバーチャルファンクション（ＶＦ）「VF 0:0,1」をアクセス可能に構成される。 - 特許庁
In addition to the separating walls (p-type diffusion layers 14a, 14b) for partitioning electrically a magnetism sensor (hall plate) HP, electrodes ED1, ED2 comprising p-type diffusion layers are provided in a substrate as a portion of the Hall element.例文帳に追加
磁気検出部（ホールプレート）ＨＰを電気的に区画する分離壁（Ｐ型の拡散層１４ａおよび１４ｂ）とは別に、基板内に当該ホール素子の一部として、Ｐ型の拡散層からなる電極ＥＤ１およびＥＤ２を設ける。 - 特許庁
A phase inversion circuit 20 and a BTL amplification circuit 21 output a BTL voltage V_btl of which the phase is inverted as compared with that of the detection voltage V_agc and the amplitude is amplified to the electrodes Ed1, Ed2 for detection via detection resistors 11A, 11B.例文帳に追加
位相反転回路２０およびＢＴＬ増幅回路２１は、検出電圧V_agcとは位相が反転し、振幅が増幅されたＢＴＬ電圧V_btlを、検出抵抗１１Ａ，１１Ｂを介して検出用電極Ｅｄ１，Ｅｄ２に出力する。 - 特許庁
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「ED2」を含む例文一覧
該当件数 : 11件
The header part HD of the contents data provided in file format is provided with a duplication inhibition period specification area NC, an end date area ED2 for the application period of a duplication limit type A, and a final duplication limit type area ET.例文帳に追加
ファイル形式で提供するコンテンツデータのヘッダ部ＨＤに、複製禁止期間指定エリアＮＣと複製制限タイプＡの適用期間の終了日付エリアＥＤ２と最終複製制限タイプエリアＥＴと設ける。 - 特許庁
The piezoelectric vibrator 11 of the vibration gyro 1 vibrates based on a drive voltage V_drv inputted to an electrode Ea for drive, and a detection voltage V_agc is generated by a potential difference according to deformation of electrodes Ed1, Ed2 for detection by deformation generated by coriolis force.例文帳に追加
振動ジャイロ１の圧電振動子１１は、駆動用電極Ｅａに入力されるドライブ電圧V_drvに基づいて振動し、コリオリ力によって生じる変形により、検出用電Ｅｄ１，Ｅｄ２それぞれに変形に応じた電位差で検出電圧V_agcが生じる。 - 特許庁
In a patch 1 made of a conductor formed on a dielectric base 4 where a power feeding point 12 is provided, a plurality of finger-like slots 16 that are orthogonal to a concerned side and extend toward an inside of the patch 1 are formed to two adjacent sides Ed1, Ed2.例文帳に追加
誘電体基板４上に形成され導体からなり給電点１２が設けられたパッチ１において、その隣接する２辺Ｅｄ１，Ｅｄ２に、それぞれ、当該辺に直交してパッチ１の内側に向かって延びる複数の指状のスロット１６を形成する。 - 特許庁
To the duplication inhibition period specification area NC, the start date and end date of the duplication inhibition period are inputted (set) and to the end date area ED2 for the application period of the duplication limit type A, the end date of the period wherein duplication is limited by the duplication limit type A is inputted.例文帳に追加
複製禁止期間指定エリアＮＣには、複製禁止期間の開始日付と終了日付を入力（セット）し、複製制限タイプＡの適用期間の終了日付エリアＥＤ２には、複製制限タイプＡで複製制限を行う期間の終了日付を入力する。 - 特許庁
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