Exposure Energyとは 意味・読み方・使い方

SYSTEM FOR ACCUMULATING EXPOSURE ENERGY INFORMATION OF WAFER AND MANAGEMENT METHOD OF MASK FOR EXPOSURE UTILIZING EXPOSURE ENERGY INFORMATION OF WAFER ACCUMULATED WITH THE SYSTEM例文帳に追加

ウェーハの露光エネルギー情報を蓄積するシステム及びそシステムによって累積したウェーハの露光エネルギー情報を利用した露光用マスクの管理方法 - 特許庁

A first resist S1, which reacts to exposure of light with a first exposure energy E1 and a second resist S2 which reacts to exposure of light with a second exposure energy E2 (E2=0.5 to 0.7E1) are applied, in this sequence on a substrate G.例文帳に追加

第１、第２の露光エネルギーＥ１、Ｅ２（Ｅ２＝０．５Ｅ１〜０．７Ｅ１）で露光反応する第１、第２のレジストＳ１、Ｓ２がこの順に塗布された基板Ｇを得ることができる。 - 特許庁

To provide a polarization exposure device relatively simple in structure, large in exposure energy and capable of performing a large area exposure.例文帳に追加

比較的簡単な構造で、露光エネルギー量が大きく、大面積の露光が可能な偏光露光装置を提供する。 - 特許庁

LUMINOUS ENERGY CORRECTION METHOD FOR EXPOSURE MEANS AND IMAGE FORMING DEVICE例文帳に追加

露光手段の光量補正方法および画像形成装置 - 特許庁

To provide a management method of an exposure mask which uses exposure energy information of a wafer.例文帳に追加

本発明はウェーハの露光エネルギー情報を利用した露光用マスクの管理方法を提供する。 - 特許庁

The control device 20 measures the exposure energy of each LED and adds the sum of the error between the exposure energy after the correction of the adjacent LED and ideal exposure energy and the previously calculated error to the value of this exposure energy and determines correction data so that the value after addition becomes the range of correction resolving power centering around the ideal exposure energy.例文帳に追加

制御装置２０は、各ＬＥＤの露光エネルギーを測定し、この露光エネルギーの値に、隣接するＬＥＤの補正後の露光エネルギーと理想露光エネルギーとの誤差と、前回算出した誤差との和を加算し、加算後の値が理想露光エネルギーを中心として補正分解能の範囲内になるように補正データを決定する。 - 特許庁

To obtain a light source control device for direct exposure apparatus, the control device being capable of controlling the energy of light irradiating an exposure face of an exposure object to an appropriate exposure.例文帳に追加

露光対象物の露光面上に照射する光のエネルギー量を適正露光値にすることができる直接露光装置のための光源制御装置を実現する。 - 特許庁

The photoresist feature is exposed to the energy of reaction initiation prior to the exposure of the photoresist feature, at exposure, or at least at a time after the exposure to the compound.例文帳に追加

フォトレジスト・フィーチャを前記化合物にさらす前、さらすと同時、さらした後の少なくとも一つの時期に、フォトレジスト・フィーチャを反応開始エネルギーにさらす。 - 特許庁