exposure effectとは 意味・読み方・使い方

In order to obtain a resist pattern of a first exposure pattern in a proximity effect correction process 3, the proximity effect is corrected in respect with the first exposure pattern based on the distribution function of exposure intensity to obtain a second exposure pattern whose pattern size is further changed and to obtain exposure data.例文帳に追加

近接効果補正工程３では、該第１露光パターンのレジストパターンが得られるように、露光強度分布関数に基づき該第１露光パターンに対し近接効果補正して、パターンサイズをさらに変更した第２露光パターンを得るとともに露光量のデータを得る。 - 特許庁

To improve the accuracy of an exposure map without increasing a data size regarding the exposure map for correcting a proximity effect and a fog effect in an exposure device using electron beams.例文帳に追加

電子線を用いた露光装置における、近接効果補正およびかぶり効果補正のための露光量マップについて、データサイズを増大させないで、露光量マップの精度を向上させることである。 - 特許庁

To dissolve the shortage in proximity effect in the exposure position of the device pattern at the end, in a pattern exposure mask where the proximity effect arises in the exposure by the charged beam scattered on the surface of circuit material when exposing the device pattern.例文帳に追加

デバイスパターンを露光するとき、回路素材の表面で散乱された荷電ビームによる露光で近接効果が発生するパターン露光マスクで、端部のデバイスパターンの露光位置での近接効果の不足を解消する。 - 特許庁

To provide an electron beam exposure mask, and electron beam exposure method and device wherein proximity effect in electron beam exposure is corrected by partial collective exposure method.例文帳に追加

電子ビーム露光における近接効果の補正を部分一括露光法によって行う電子ビーム露光用マスク、電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置を提供すること。 - 特許庁

To confirm an effect of an exposure correction value set by a user before photographing, and also to achieve photographing by accurately reflecting exposure correction according to subject brightness and exposure correction according to the exposure correction value set by the user.例文帳に追加

撮影前にユーザが設定した露出補正値の効果を確認でき、かつ、被写体輝度に応じた露出補正とユーザが設定した露出補正値に応じた露出補正とを正確に反映させて撮影できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

A procedure 3 is an exposure condition determining step of finding the exposure sensitivity and an optimum PEC parameter value during exposure in accordance with the investigated exposure sensitivity and a previously measured aging effect amount.例文帳に追加

（手順３）調べた保管期間及び予め測定しておいた経時変化量に基づき、露光時における露光感度および最適なＰＥＣパラメータ値を求める露光条件決定工程である。 - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING PROXIMITY EFFECT OF ELECTRON BEAM EXPOSURE, EXPOSURE METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MODULE FOR CORRECTING PROXIMITY例文帳に追加

電子ビーム露光の近接効果補正方法、露光方法、半導体装置の製造方法及び近接効果補正モジュール - 特許庁

After exposure, a treatment process is used to neutralize the effect of undesirable elements that are diffused into the resist layer 14 during immersion exposure.例文帳に追加

露光の後で、液浸露光中にレジスト層１４中に拡散した望ましくない成分による影響を中和するのに、処理ステップが使用される。 - 特許庁