Fermi constantとは 意味・読み方・使い方

The insulating film 5d can emanate Fermi pinning and has high dielectric constant, because it is formed from a metallic compound containing at least one kind of Hf, Zr, Al, Ta and La.例文帳に追加

絶縁膜５ｄは、Ｈｆ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｌａのうちの少なくとも１種を含む金属化合物により形成されているため、フェルミピニングを生じることができ、誘電率が高い。 - 特許庁

To provide a technology for eliminating Fermi pinning and stably decreasing the threshold voltage in a p-channel MOS transistor provided with a gate insulated film consisting or a high dielectric constant material and a gate electrode consisting of polycrystalline silicon.例文帳に追加

高誘電率材料からなるゲート絶縁膜、多結晶シリコンからなるゲート電極を備えるＰチャネルＭＯＳ型トランジスタにおいて、フェルミピニングを解消し、閾値電圧の安定的な低下を提供する技術を提供する。 - 特許庁

To remove fermi level pinning by suppressing the occurrence of dimer at the interface of high dielectric constant gate insulting film/polycrystal silicon using a process which easily fits in an existing manufacturing process, relating to a semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、高誘電率ゲート絶縁膜／多結晶シリコン界面におけるダイマーの発生を既存の製造工程になじみやすい工程により抑制して、フェルミレベルピンニングを除去する。 - 特許庁

To obtain a desired work function by especially suppressing a reaction between a high dielectric constant material and a gate electrode material, which causes a fermi level pinning phenomenon, and to increase uniformity and yield in a CMOS transistor structure employing a full silicide gate or a metal gate.例文帳に追加

フルシリサイドゲート又はメタルゲートを用いたＣＭＯＳトランジスタ構造であって、特にフェルミ・レベル・ピニング現象の原因となる高誘電率材料とゲート電極材料との反応を抑制して所望の仕事関数を得られるようにし、且つ均一性及び歩留まりを高くできるようにする。 - 特許庁

The first region is protected by a mask, an aluminum ion is injected, and heat treatment is performed, thus forming a high-dielectric-constant interface dielectric layer 3 of AlxOv between the gate dielectric layer 2 and the N+ polysilicon gate 4, strengthening Fermi pinning effect, and hence adjusting a work function of the P-MOS of N+ polysilicon to a value close to the function of a P+ polysilicon gate.例文帳に追加

マスクで第１領域保護し、アルミイオンをイオン注入し、熱処理することにより、ゲート誘電体層（２）と、Ｎ＋ポリシリコンゲート（４）との間に、ＡｌｘＯｖの高誘電率界面誘電体層（３）が形成され、フェルミピニング効果が強化され、結果として、Ｎ＋ポリシリコンのＰ−ＭＯＳの仕事関数は、Ｐ＋ポリシリコンゲートの関数に近い値に調整される。 - 特許庁