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Ga-Alとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ガエル； ガール； ハール
「Ga-Al」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 226件
To improve the luminescent color of a Y3(Al,Ga)5O12:Tb fluorescent substance.例文帳に追加
Y_3(Al、Ga)_5O_12:Tb系蛍光体の発光色を改善する。 - 特許庁
The process for producing free-standing III-N layer comprises depositing at least one first III-N layer 15 by means of molecular beam epitaxy on an Li(Al, Ga)O_x substrate 7, where 1≤x≤3.例文帳に追加
Li(Al, Ga)O_X基板（１≦ｘ≦３）７上に、分子線エピタキシ法により少なくとも１つの第一のIII-N層１５を堆積させる工程を備える。 - 特許庁
(Al, Ga, In) N COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加
（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ系化合物半導体及びその製造方法 - 特許庁
FREE-STANDING (AL, GA, IN)N AND PARTING METHOD FOR FORMING THE SAME例文帳に追加
独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎおよびそれを形成するための分割方法 - 特許庁
To provide a method of forming an (Al, Ga, In)N thin film on a Ga-face c-plane (Al, Ga, In)N substrate using a c-plane surface with a miscut toward the m-direction at least 0.35°.例文帳に追加
ｍ方向に向かうミスカットが少なくとも０．３５度であるｃ面表面を用いて、Ｇａ面ｃ面（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ基板上に（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁
In the clathrate compound and the thermoelectric conversion material, Ga in a Ba_8Ga_16Sn_30 thermoelectric conversion material is partly exchanged for Al, which is lighter and inexpensive than Ga.例文帳に追加
Ｂａ_８Ｇａ_１６Ｓｎ_３０熱電変換材料のＧａの一部をＧａより軽くて安価なＡｌで置換する。 - 特許庁
The coating elements are one or more elements selected from Mg, Al, Co, K, Na, Ca, Si, Ti, Sn, V, Ge, Ga, B, As and Zr.例文帳に追加
コーティング元素は、Ｍｇ，Ａｌ，Ｃｏ，Ｋ，Ｎａ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｖ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｂ，Ａｓ，Ｚｒから選択される一つ以上の元素である。 - 特許庁
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Wiktionary英語版での「Ga-Al」の意味 |
Gaal
統計情報
- According to the 2010 United States Census, Gaal is the 27331st most common surname in the United States, belonging to 884 individuals. Gaal is most common among White (85.86%) individuals.
「Ga-Al」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 226件
To provide a simple method of preestimating the catalytic activity of a Ga-Al type denitration catalyst.例文帳に追加
Ｇａ−Ａｌ系脱硝触媒の触媒活性を簡便に予測する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of making an (Al, Ga, In)N semiconductor device having a substrate and an active region.例文帳に追加
基板および活性領域を有する（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ半導体デバイスの作製方法が提供される。 - 特許庁
To manufacture (Al, Ga, In) N compound semiconductor without performing an anneal process.例文帳に追加
（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ系化合物半導体をアニール工程を行うことなく製造する。 - 特許庁
In the protective layer formation step, protective layers (23 and 67) containing Al, Ga, and As are formed.例文帳に追加
保護層形成工程では、Ａｌ、ＧａおよびＡｓを含む保護層（２３，６７）を形成する。 - 特許庁
As the metal ion M, ions of one or more metals among Mg, Ca, Zn, Al, and Ga are preferable.例文帳に追加
金属イオンＭとしては、Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｇａのうち１以上の金属のイオンが好ましい。 - 特許庁
The interface layer 15 is composed of at least one of Al, Ga, and In.例文帳に追加
この界面層１５は、Ａｌ、Ｇａ、およびＩｎの少なくとも一種以上からなる。 - 特許庁
Element X represents one or two and more out of Ge, Ga, In, Si, Pb, Zn, Sn, Al and Sb.例文帳に追加
元素ＸはＧｅ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｂのうち１種または２種以上である。 - 特許庁
A luminous element is formed on the smooth (Al, Ga, In)N thin film 624.例文帳に追加
前記平滑な（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜６２４上に、発光素子を形成する。 - 特許庁
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