IH1とは 意味・読み方・使い方

After a high-breakdown-voltage insulating film IH1 is formed on a silicon substrate 1, a surface of the high-breakdown-voltage insulating film IH1 is ground to decrease the thickness of the film, and an intermediate-breakdown-voltage insulating film IM1 is formed adjacent to the high-breakdown-voltage insulating film IH1.例文帳に追加

シリコン基板１上に高耐圧絶縁膜ＩＨ１を形成した後、高耐圧絶縁膜ＩＨ１の表面を削って膜厚を薄くし、高耐圧絶縁膜ＩＨ１と隣接するようにして中耐圧絶縁膜ＩＭ１を形成する。 - 特許庁

The high-breakdown-voltage insulating film IH1 is formed through thermal oxidation from inside to outside of a principal surface of the silicon substrate 1, and the intermediate-breakdown-voltage insulating film IM1 is formed so as to be thinner than the high-breakdown-voltage insulating film IH1.例文帳に追加

高耐圧絶縁膜ＩＨ１は、熱酸化法によって、シリコン基板１の主面より内側から外側に至るようにして形成し、中耐圧絶縁膜ＩＭ１は高耐圧絶縁膜ＩＨ１より薄くなるようにして形成する。 - 特許庁

A full charging capacity IhFb is obtained by adding the second battery capacity Ih2 and the first battery capacity Ih1.例文帳に追加

第２電池容量Ｉｈ２と第１電池容量Ｉｈ１とを加算して満充電容量ＩｈＦｂを求める。 - 特許庁

The high-breakdown-voltage insulating film IH1 is formed as a gate insulating film of a high-breakdown-voltage MIS transistor, and the intermediate-breakdown-voltage insulating film IM1 is formed as a gate insulating film of an intermediate-breakdown-voltage MIS transistor.例文帳に追加

高耐圧絶縁膜ＩＨ１は高耐圧ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜として、中耐圧絶縁膜ＩＭ１は中耐圧ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜として形成する。 - 特許庁

In a battery capacity detection section 25, a battery capacity corresponding to an inflection point P1 is retrieved from a capacity table 25a when the inflection point P1 is detected by an inflection point detecting section 23, and the retrieved battery capacity is assumed as a first battery capacity Ih1.例文帳に追加

電池容量検出部２５にて、変極点検出部２３で変極点Ｐ１が検出された時点で当該変極点Ｐ１に対応する電池容量を容量テーブル２５ａから検索して第１電池容量Ｉｈ１とする。 - 特許庁

Thus, controllability of the injector 5 can be enhanced by reducing a delay in opening-closing operation caused in a needle valve 55 in a transitional period up to maintaining a current value in a hold current value Ih1 from the peak value Ip3.例文帳に追加

したがって、ピーク値Ｉｐ３からホールド電流値Ｉｈ１に電流値を維持するまでの過渡期において、ニードルバルブ５５に生じる開閉動作の遅れを低減でき、インジェクタ５の制御性を高めることが可能である。 - 特許庁

Private hosts PH1, etc., stores a cross reference between a couple (PP, IA) of a port number PP given to a series of transaction processing and a global IP address IA internet hosts IH1, etc., and a private IP address PA to the internal table of an address converter AD.例文帳に追加

プライベートホストＰＨ１…で一連のトランザクション処理に付与されたポート番号ＰＰ及びインターネットホストＩＨ１…のグローバルＩＰアドレスＩＡの対（ＰＰ，ＩＡ）と、プライベートＩＰアドレスＰＡとの対応関係をアドレス変換装置ＡＤの内部テーブルＴａに記憶する。 - 特許庁