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MOS channelとは 意味・読み方・使い方
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「MOS channel」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 869件
The MOS transistor 2 is a p-channel type MOS transistor.例文帳に追加
MOSトランジスタ2はpチャネル型MOSトランジスタである。 - 特許庁
Further, the source of an N-channel MOS transistor M5 is connected to the gate of a P-channel MOS transistor M7 in the push-pull circuit 15, and the P-channel MOS transistor M7 is driven by an output from the source of the N-channel MOS transistor M5.例文帳に追加
また、NチャネルMOSトランジスタM5のソースは、プッシュプル回路15のPチャネルMOSトランジスタM7のゲートと接続され、NチャネルMOSトランジスタM5のソース出力によって、PチャネルMOSトランジスタM7が駆動される。 - 特許庁
The P-channel MOS transistor M4 is connected to the N-channel MOS transistor M5 in series via a current source Q11.例文帳に追加
PチャネルMOSトランジスタM4とNチャネルMOSトランジスタM5は、電流源Q11を介して直列に接続されている。 - 特許庁
The pre-charge drive circuits 51-5q are formed in a cross region, and constituted of (n) channel MOS transistors NM1 and (n) channel MOS transistors NM2.例文帳に追加
プリチャージドライブ回路51〜5qは、クロス領域に形成され、nチャネル型のMOSトランジスタNM1と、nチャネル型のMOSトランジスタNM2とで構成されている。 - 特許庁
In an output buffer circuit 31, the source of a P-channel MOS transistor M4 is connected to the gate of an N-channel MOS transistor M6 in a push-pull circuit 15, and the N-channel MOS transistor M6 is driven by an output from the source of the P-channel MOS transistor M4.例文帳に追加
出力バッファ回路31において、PチャネルMOSトランジスタM4のソースは、プッシュプル回路15のNチャネルMOSトランジスタM6のゲートと接続され、PチャネルMOSトランジスタM4のソース出力によって、NチャネルMOSトランジスタM6が駆動される。 - 特許庁
P-CHANNEL MOS TRANSISTOR, N-CHANNEL MOS TRANSISTOR, AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE例文帳に追加
PチャネルMOSトランジスタ、NチャネルMOSトランジスタ及び不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁
To nearly equally perform overetching to a p-type MOS region and an n-type MOS region when gate electrodes are formed in a semiconductor device having a p-type MOS (p-channel MOS transistor) and an n-type MOS (n-channel MOS transistor).例文帳に追加
pMOS(pチャネルMOSトランジスタ)とnMOS(nチャネルMOSトランジスタ)とを有する半導体装置で、ゲート電極形成時に、pMOS領域とnMOS領域にほぼ同等のオーバーエッチングを施す。 - 特許庁
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「MOS channel」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 869件
p-CHANNEL MOS TRANSISTOR AND ITS FABRICATION PROCESS例文帳に追加
pチャネルMOSトランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
ESTIMATING METHOD OF EFFECTIVE CHANNEL LENGTH OF MOS TRANSISTOR例文帳に追加
MOSトランジスタ実効チャネル長の評価方法 - 特許庁
The other branch that is branched by the branch node N1 is connected to a gate of the P-channel MOS transistor MP1.例文帳に追加
分岐ノードN1で分岐された他方は、PチャネルMOSトランジスタMP1のゲートに接続されている。 - 特許庁
A P-channel MOS transistor MP1 is provided between an input power supply Vin and the low-voltage circuit 10.例文帳に追加
PチャネルMOSトランジスタMP1は入力電源Vinと低圧回路10との間に設けられている。 - 特許庁
To provide a relatively simple method for manufacturing a strained channel MOS transistor.例文帳に追加
歪チャネルを有するMOS トランジスタを製造するための比較的簡単な方法を提供する。 - 特許庁
N channel MOS TRs are newly added to the conventional level shift circuit so as to always bring the gate potential for the N channel MOS TRs in cross connection a Vtn or over when it is turned on, independently of the capability of the MOS TRs so as to permit state transition even when P channel MOS TRs with an extremely high capacity are not employed.例文帳に追加
レベルシフト回路にNチャネル型MOSトランジスタを新たに追加することにより、たすきがけになるNチャネル型MOSトランジスタがONになる際のゲート電位をMOSトランジスタの能力に関係なく、必ずVtn以上にすることにより、Pチャネル型MOSトランジスタを極端に大きくしなくても、状態を遷移することができる。 - 特許庁
By using actually measured data for which thresholds to a plurality of the MOS FETs of different gate lengths manufactured under the same process condition are actually measured and the analysis model of the threshold of the MOS FET, the impurity density distribution within the substrate of the channel surface of the MOS FET is calculated.例文帳に追加
同一プロセス条件で製造されたゲート長の異なる複数のMOS FET に対する閾値を実測した実測データとMOS FET の閾値の解析モデルを用いて、MOSFET のチヤネル表面の基板内不純物濃度分布を算出する。 - 特許庁
The drain of the p-channel MOS transistor 121 and the drain of the n-channel MOS transistor 122 are both connected to the word line WL.例文帳に追加
pチャネルMOSトランジスタ121のドレイン、nチャネルMOSトランジスタ122のドレインがいずれもワード線WLに接続される。 - 特許庁
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