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Weblio専門用語対訳辞書での「N イオン」の英訳

N+イオン


Nイオン


nイオン

n ions
Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「N イオン」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 715



例文

At the time, the n type dopant N ion 12 is injected by a dose amount smaller than that of the Al ion.例文帳に追加

この際、n型ドーパントNイオン12をAlイオンより少ないドーズ量で注入する。 - 特許庁

In a step 30 for identifying ion distribution, existing ion distribution generated with ion injections of n times (n: a natural number) already performed is identified.例文帳に追加

イオン分布特定ステップ30は、既に実行されたn回(nは自然数)のイオン注入によって生じた既存のイオン分布を特定する。 - 特許庁

The ion generating section 130 generates H^+(H_2O)_m as positive ions and O_2^-(H_2O)_n(m, n are optional integers) as negative ions.例文帳に追加

イオン発生部130は、正イオンとしてH^+(H_2O)_mと負イオンとしてO_2^−(H_2O)_n(m,nは任意の整数)とを発生させる。 - 特許庁

Further, the ion species of N type impurity is arsenic As.例文帳に追加

そして、そのN型不純物のイオン種を砒素Asにする。 - 特許庁

To obtain n-type aluminum-nitride through ion implantation.例文帳に追加

イオン注入によりn型窒化アルミニウムを得る。 - 特許庁

To improve the corrosion abrasion property of a Cr-N based ion plating coating film.例文帳に追加

Cr-N系イオンプレーティング皮膜の腐食摩耗特性を改良する。 - 特許庁

例文

METHOD OF MANUFACTURING CMOS DEVICE BY IMPLANTATION OF N- AND P-TYPE CLUSTER IONS AND NEGATIVE IONS例文帳に追加

N及びP型クラスターイオン及び陰イオンの注入によるCMOS素子の製造方法 - 特許庁

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「N イオン」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 715



例文

To provide an ion balance sensor having a good S/N ratio and a static eliminator equipped with it.例文帳に追加

S/N比の良いイオンバランスセンサ、および該イオンバランスセンサを備えた除電器を提供する。 - 特許庁

The negative ion A- is a fluorine complex ion represented by MFn- (M=B, n=4, or M=P, As or Sb, n=6).例文帳に追加

陰イオンA^- は、MF_n^-(M=B、n=4、またはM=P,As,Sb、n=6)で表されるフッ素錯イオンである。 - 特許庁

The amount of precursor ions generated in this manner is sufficient for the MS^n (n>1) analysis, and structure-specific ions are generated with high reproducibility.例文帳に追加

このようにして生じたプリカーサーイオンは、MS^n(n>1)解析に十分量であり、再現性よく構造特異的なイオンを生成させる。 - 特許庁

When a Ge+ ion is, for example, implanted to the III nitride semiconductor to set an n type, an N+ ion is simultaneously implanted, its surface is covered with an SiO2, and heat-annealed.例文帳に追加

III族窒化物半導体に例えばGe^+イオンを打ち込みn型にする際、N^+イオンを同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをする。 - 特許庁

On the basis of ionic strength expressed by a peak to the mass-to-charge ratio of ions in results of MS^n, mass spectrometry at the n-th stage, control contents of the next analysis of MS^n are determined for every ion to be analyzed.例文帳に追加

n段階目の質量分析であるMS^n結果で、イオンの質量対電荷比に対するピークで表されたイオン強度に基づき、MS^nの次の分析の制御内容を分析対象イオン毎に判定するデータ処理する。 - 特許庁

A correction electrode 18 is provided in a position with ions such as C_mH_n ions heavier than He ions applied thereto.例文帳に追加

C_mH_nイオンなどのHeイオンより重たいイオンが照射される位置に補正電極18を設ける。 - 特許庁

In a step 31 for the calculation of ion distribution, assumed ion distribution which is generated with a (n+1)th ion injection is calculated.例文帳に追加

イオン分布算出ステップ31は、第(n+1)回目のイオン注入によって生じると想定されるイオン分布を算出する。 - 特許庁

例文

METHOD OF MANUFACTURING CHABAZITE USING N,N,N-TRIMETHYL-BENZYL AMMONIUM ION例文帳に追加

N,N,N−トリメチル−ベンジルアンモニウムイオンを用いたチャバザイトの製造方法 - 特許庁

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