N イオンの英語

N-ALKOXYALKYL IMIDAZOLIUM SALT AND IONIC LIQUID AND IONIC GEL COMPOSED OF THE IMIDAZOLIUM SALT例文帳に追加

Ｎ−アルコキシアルキルイミダゾリウム塩、該イミダゾリウム塩からなるイオン性液体ならびにイオン性ゲル - 特許庁

Further, the ion species of N type impurity is arsenic As.例文帳に追加

そして、そのＮ型不純物のイオン種を砒素Ａｓにする。 - 特許庁

When a Ge+ ion is, for example, implanted to the III nitride semiconductor to set an n type, an N+ ion is simultaneously implanted, its surface is covered with an SiO2, and heat-annealed.例文帳に追加

III族窒化物半導体に例えばGe^+イオンを打ち込みｎ型にする際、N^+イオンを同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをする。 - 特許庁

A quaternary ammonium salt which has a specific structure of a trimethyl(heptamethyltrisiloxanylpropyl)ammonium salt, bis(heptamethyltrisiloxanylpropyl)ethylmethyl ammonium salt, N-methyl-N-(pentamethyldisiloxanylpropyl)pyrrolidinium salt, N-methyl-N-(heptamethyltrisiloxanylpropyl)pyrrolidinium salt, N-methyl-N-(trimethylsilylmethyl)pyrrolidinium salt or the like is used for the ion liquid.例文帳に追加

トリエチル（ヘプタメチルトリシロキサニルプロピル）アンモニウム塩、ビス（ヘプタメチルトリシロキサニルプロピル）エチルメチルアンモニウム塩、N−メチル−N−（ペンタメチルジシロキサニルプロピル）ピロリジニウム塩、N−メチル−N−（ヘプタメチルトリシロキサニルプロピル）ピロリジニウム塩、N−メチル−N−（トリメチルシリルメチル）ピロリジニウム塩等の特定の構造を有する第４級アンモニウム塩をイオン液体として使用する。 - 特許庁

The contact areas 210, 211 are an n+ type GaN layer which is formed by implanting an n type impurity into the semiconductor layer 203 through an ion implantation method.例文帳に追加

コンタクト領域２１０,２１１は、半導体層２０３にn型不純物をイオン注入法により注入して形成したn+型GaN層である。 - 特許庁

An n-type impurity region is formed in an n^- epitaxial layer 2 by implanting ions into the n^- epitaxial layer 2 (the first process).例文帳に追加

ｎ^-エピタキシャル層２にイオン注入し、ｎ^-エピタキシャル層２内にｎ型不純物領域を形成する（第１工程）。 - 特許庁

To provide a carbazole compound having a lower ionization potential than N, N'-dicarbazolyl-3, 5-benzene.例文帳に追加

Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾリル−３，５−ベンゼンに比べ、イオン化ポテンシャルの低いカルバゾール化合物を提供する。 - 特許庁

In a step 31 for the calculation of ion distribution, assumed ion distribution which is generated with a (n+1)th ion injection is calculated.例文帳に追加

イオン分布算出ステップ３１は、第（ｎ＋１）回目のイオン注入によって生じると想定されるイオン分布を算出する。 - 特許庁