N ionとは 意味・読み方・使い方

The alkylenediamine-N,N,N',N'-tetraacetic acid-(meth)acrylamide has especially high affinity for a calcium ion and can form a corresponding salt by forming a complex with the calcium ion.例文帳に追加

アルキレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸−（メタ）アクリルアミドは、カルシウムイオンに対して特に高い親和性を有し、カルシウムイオンと錯体形成して対応する塩を形成し得る。 - 特許庁

Further, the ion species of N type impurity is arsenic As.例文帳に追加

そして、そのＮ型不純物のイオン種を砒素Ａｓにする。 - 特許庁

When a Ge+ ion is, for example, implanted to the III nitride semiconductor to set an n type, an N+ ion is simultaneously implanted, its surface is covered with an SiO2, and heat-annealed.例文帳に追加

III族窒化物半導体に例えばGe^+イオンを打ち込みｎ型にする際、N^+イオンを同時に打ち込み、表面をSiO_2で被覆した上、熱アニールをする。 - 特許庁

A quaternary ammonium salt which has a specific structure of a trimethyl(heptamethyltrisiloxanylpropyl)ammonium salt, bis(heptamethyltrisiloxanylpropyl)ethylmethyl ammonium salt, N-methyl-N-(pentamethyldisiloxanylpropyl)pyrrolidinium salt, N-methyl-N-(heptamethyltrisiloxanylpropyl)pyrrolidinium salt, N-methyl-N-(trimethylsilylmethyl)pyrrolidinium salt or the like is used for the ion liquid.例文帳に追加

トリエチル（ヘプタメチルトリシロキサニルプロピル）アンモニウム塩、ビス（ヘプタメチルトリシロキサニルプロピル）エチルメチルアンモニウム塩、N−メチル−N−（ペンタメチルジシロキサニルプロピル）ピロリジニウム塩、N−メチル−N−（ヘプタメチルトリシロキサニルプロピル）ピロリジニウム塩、N−メチル−N−（トリメチルシリルメチル）ピロリジニウム塩等の特定の構造を有する第４級アンモニウム塩をイオン液体として使用する。 - 特許庁

The contact areas 210, 211 are an n+ type GaN layer which is formed by implanting an n type impurity into the semiconductor layer 203 through an ion implantation method.例文帳に追加

コンタクト領域２１０,２１１は、半導体層２０３にn型不純物をイオン注入法により注入して形成したn+型GaN層である。 - 特許庁

In a step 31 for the calculation of ion distribution, assumed ion distribution which is generated with a (n+1)th ion injection is calculated.例文帳に追加

イオン分布算出ステップ３１は、第（ｎ＋１）回目のイオン注入によって生じると想定されるイオン分布を算出する。 - 特許庁

METHOD FOR CARRYING OUT BATCH BACK EXTRACTION OF ACTINOID ION OF 3 OR 4 VALENCY IN SEPARATION PROCESS SOLVENT INTO HIGH-CONCENTRATION NITRIC ACID SOLUTION BY N, N, N', N'-TETRAETHYL GLYCOL AMIDE例文帳に追加

Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチルジグリコールアミドにより分離プロセス溶媒中の３，４のアクチノイドイオンを高濃度の硝酸溶液に一括逆抽出する方法 - 特許庁

After an n-type semiconductor region 8A is formed by introducing an n-type impurity ion, an n-type semiconductor region 8B is formed by introducing an n-type impurity ion at a region that is adjacent to the n-type semiconductor region 8A.例文帳に追加

ｎ型の不純物イオンの導入によりｎ型半導体領域８Ａを形成した後、ｎ型半導体領域８Ａと隣接する領域にｎ型の不純物イオンの導入によりｎ型半導体領域８Ｂを形成する。 - 特許庁