n ionsとは 意味・読み方・使い方

The ion generating section 130 generates H^+(H_2O)_m as positive ions and O_2^-(H_2O)_n(m, n are optional integers) as negative ions.例文帳に追加

イオン発生部１３０は、正イオンとしてＨ^＋（Ｈ_２Ｏ）_ｍと負イオンとしてＯ_２^−（Ｈ_２Ｏ）_ｎ（ｍ，ｎは任意の整数）とを発生させる。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor silicon carbide substrate with the buried insulating layer having an n-type impurity layer includes implanting group V ions such as nitrogen ions into a semiconductor silicon carbide substrate with the buried insulating layer to form the n-type impurity layer, and then performing a heat treatment.例文帳に追加

絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板に、窒素イオン等の５属イオンを注入しn型不純物層を形成させ、次いで熱処理することからなるn型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板の製造方法。 - 特許庁

After the second process, n^+ impurity regions 3 and 5 are formed at regions overlapped with the n-type impurity region by implanting ions into the n-type impurity region in the n^- epitaxial layer 2 (the third process).例文帳に追加

第２工程後、ｎ^-エピタキシャル層２におけるｎ型不純物領域にイオン注入し、ｎ型不純物領域と重なる領域にｎ^+不純物領域３および５を形成する（第３工程）。 - 特許庁

In order to form an N source 5a, arsenic ions are implanted into the gate electrode 3a from its edge.例文帳に追加

また、Ｎソース５ａを形成するために、ゲート電極３ａのエッジからヒ素を注入する。 - 特許庁

Further the n type pocket layer 12 is formed by implanting ions again using the resist as the mask.例文帳に追加

さらに、再びレジストをマスクとしたイオン注入を行いｎ^-型ポケット層１２を形成する。 - 特許庁

On the basis of ionic strength expressed by a peak to the mass-to-charge ratio of ions in results of MS^n, mass spectrometry at the n-th stage, control contents of the next analysis of MS^n are determined for every ion to be analyzed.例文帳に追加

ｎ段階目の質量分析であるＭＳ^n結果で、イオンの質量対電荷比に対するピークで表されたイオン強度に基づき、ＭＳ^nの次の分析の制御内容を分析対象イオン毎に判定するデータ処理する。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 12 is formed by injecting ions onto an n-type semiconductor substrate 15 and an n-type resistive element region 13 is formed by injecting ions onto the surface layer of the layer 12.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１５の上にイオン注入によってｐ型の拡散層１２を形成し、拡散層１２の表面層にイオン注入によってｎ型の抵抗素子領域１３を形成する。 - 特許庁

In the process for etching a semiconductor substrate 4 having an N type impurity region with etchant dissolving the semiconductor substrate 4, metal ions (Cu ions) having electro-negativity higher than that of the semiconductor substrate 4 are added to the etchant 5.例文帳に追加

Ｎ型不純物領域を有する半導体基板４を、該半導体基板４を溶解するエッチング液でエッチングする方法にかかる。 - 特許庁