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Nb-dopedとは 意味・読み方・使い方
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「Nb-doped」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 15件
In the transistor PB, a P+ type impurity doped region 14 and an N type lightly doped well region 12 form a diode D1 whereas, in the transistor NB, an N type lightly doped well region 22, a P type lightly doped well region 20 and a P type lightly doped substrate 10 form a diode D3.例文帳に追加
トランジスタPBではP^+型不純物ドープ領域14とN型低濃度ウエル領域12とでダイオードD_1を形成し、トランジスタNBではN型低濃度ウエル領域22とP型低濃度ウエル領域20及びP型低濃度基板10とでダイオードD_3を形成する。 - 特許庁
To inexpensively deposit a Nb-doped titanium oxide film having a desired composition in a short period of time.例文帳に追加
より短時間で低コストな状態で、所望とする組成のNbドープ酸化チタン膜が形成できるようにする。 - 特許庁
A second oblong planar slid electrolyte 2 comprising Ca-doped LaOCl is provided adjacently to a first oblong planar solid electrolyte 1 comprising a solid solution having a composition of (AlYZr_1-Y)_4/(4-Y_)Nb(PO_4)_3 (Y=0.2).例文帳に追加
(Al_YZr_1-Y)_4/(4-Y)Nb(PO_4)_3(Y=0.2)なる組成の固溶体からなる矩形平板状の第1の固体電解質1に隣接させて、CaドープのLaOClからなる矩形平板状の第2の固体電解質2を設ける。 - 特許庁
An impurity-doped PZT film 24 like an amorphous in which La, Ca, Sr, Si and/or Nb are doped is formed on a Pt film 23 configuring a lower electrode film.例文帳に追加
下部電極膜を構成するPt膜23上に、La、Ca、Sr、Si及び/又はNb等が添加されたアモルファス状の不純物添加PZT膜24を形成する。 - 特許庁
The strontium titanate crystal is doped by a metal or a semimetal having an atomic number of not greater than 79 (provided that Nb, In, and a lanthanoid are excluded).例文帳に追加
原子番号79以下の金属元素または半金属元素(ただし、Nb,In,ランタノイドを除く)をドープしたチタン酸ストロンチウム結晶である。 - 特許庁
The conductor substrate is provided with: a substrate; a seed layer made of Ca_2Nb_3O_10 and formed on the substrate; and a conductive layer formed on the seed layer, and containing crystal of titanium dioxide of an anatase structure with Nb doped.例文帳に追加
基板と、前記基板上に設けられ、Ca_2Nb_3O_10からなるシード層と、前記シード層上に設けられ、Nbがドープされたアナターゼ型構造の二酸化チタンの結晶を含む導電層とを備える。 - 特許庁
A metal film 1 is formed on the back of the conductive SiC substrate 2 doped with impurities by vapor deposition or sputtering by selecting one metal from Ni, Ti, Pd, Fe, Ru, Os, Ge, Sn, V, Ta, and Nb.例文帳に追加
不純物がドープされた導電性SiC基板2の裏面に、Ni、Ti、Pd、Fe、Ru、Os、Ge、Sn、V、Ta、Nbから一つの金属を選んで蒸着、もしくはスパッタで金属膜1を形成する。 - 特許庁
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「Nb-doped」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 15件
A metal film 2 is formed on the upper surface of the conductive SiC substrate 1 doped with impurities by vapor deposition or sputtering by selecting one metal from Ni, Ti, Pd, Fe, Ru, Os, Ge, Sn, V, Ta and Nb.例文帳に追加
不純物がドープされた導電性SiC基板1の上面に、Ni、Ti、Pd、Fe、Ru、Os、Ge、Sn、V、Ta、Nbから一つの金属を選んで蒸着、もしくはスパッタで金属膜2を形成する。 - 特許庁
In the basic part of this heterojunction device, the transition metal oxide such as vanadium dioxide (VO_2) is epitaxially grown on titanium dioxide (TiO_2) or strontium titanate (SrTiO_3) doped with a small amount of Nb etc., to have n-type semiconductor characteristics.例文帳に追加
デバイスの基本となる部分は、Nbなどを少量ドープしてn型半導体特性を持たせた二酸化チタン(TiO_2)またはチタン酸ストロンチウム(SrTiO_3)上に、二酸化バナジウム(VO_2)などの遷移金属酸化物がエピタキシャル成長している。 - 特許庁
A sulfide-doped fluorescent material produced by attaching a sulfide of at least one kind of element selected from among Ag, Fe, Co, Ni, Cr, Mo, Mn, Al, Ru, V, Nb, Ti, Zr and Sn to the surface of a fluorescent material is used in the front panel of a display tube.例文帳に追加
Ag、Fe、Co、Ni、Cr、Mo、Mn、Al、Ru、V、Nb、Ti、ZrおよびSnから成る群から選択される少なくとも1種類の元素の硫化物が蛍光体の表面に付着していることを特徴とする硫化物付着蛍光体を表示管の前面パネルに使用する。 - 特許庁
The basic part of this solar cell is constituted in a heterojunction of a transition metal oxide composed of titanium dioxide (TiO_2) or strontium titanate (SrTiO_3) doped with a small amount of Nb etc., to have n-type semiconductor characteristics and a transition metal oxide, such as vanadium dioxide (VO_2).例文帳に追加
デバイスの基本となる部分は、Nbなどを少量ドープしてn型半導体特性を持たせた二酸化チタン(TiO_2)またはチタン酸ストロンチウム(SrTiO_3)と、二酸化バナジウム(VO_2)などの遷移金属酸化物からなる遷移金属酸化物ヘテロ接合である。 - 特許庁
Electrode structures 305, 306 are an ohmic electrode formed on the surface of an n-type or non-doped nitride semiconductor, which contains at least one or more of metals among Ti, Ta, Nb, Cr, V, Sn, In, Zr, and Si in a first region in contact with the surface of the nitride semiconductor, and further contains Mg in a second region formed on the first region.例文帳に追加
本発明の電極構造305、306は、n型またはノンドープ窒化物半導体表面に形成されたオーミック電極であって、前記窒化物半導体表面に接する第1の領域にTi、Ta、Nb、Cr、V、Sn、In、Zr、Siのうち少なくとも1種以上の金属が含まれ、かつ、その上に形成される第2の領域にMgが含まれていることを特徴とする。 - 特許庁
An induced laser beam 6 is deflected by collimating a laser beam having the wavelength of 633 nm through a lens 10, which is sent from a laser source 9, introducing the beam into a PZT thin film optical waveguide through a prism 5 and applying voltage between the lower Nb-doped SrTiO3 substrate electrode 2 and the upper Pt prism electrode 7.例文帳に追加
レーザ光源9から633nmの波長のレーザー・ビームをレンズ10でコリメートした後、プリズム5を介してPZT薄膜光導波路へ導入し、下部NbドープSrTiO_3基板電極2とPt上部プリズム電極7間に電圧を印加することにより、導入されたレーザー・ビーム6が偏向される。 - 特許庁
The steel doped with Nb in combination with Mo is provided, wherein after bend forming such that the bend radius (R) at plate external surface becomes 2 to 5 times the thickness of the plate, the difference between the Vickers hardness at the center of the plate thickness and the maximum value of Vickers hardness within 0.5 mm from the surface ranges from 50 to 150 points.例文帳に追加
本発明の自動車足回り部品用鋼材は、Nb、Moが複合添加された鋼材であり、板外面の曲げRが板厚の2〜5倍となる曲げ成形を行った後の板厚中心のビッカース硬さと、表面から0.5mm以内のビッカース硬さの最高値との差が、50〜150ポイントである。 - 特許庁
The sensor is comprised of a membrane capacitor of a structure in which a membrane 12 of a ferroelectric BaTiO3 of a thickness of 30 ML (approximately 120 Å) grown through the use of an MBE method is provided on a lower electrode 10 comprised of an SrTiO3 substrate doped with Nb of a thickness of 0.5 mm and in which a Pd upper electrode 14 is provided by deposition on the membrane 12.例文帳に追加
センサーは、0.5mm厚のNbをドープされたSrTiO_3基板から成る下側電極10の上にMBE法を用いて成長させた30ML(ほぼ120Å)厚の強誘電体BaTiO_3薄膜12を設け、その上に析出によりPdの上側電極14を設けた構造の薄膜キャパシタから成る。 - 特許庁
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