Further, in a (p) base region on the bottom of a trench, an n+ source region and a p+ contact region are formed, and a source electrode is connected to an n+ source region and p+ contact region respectively via a source connecting conductor and a p+ connecting conductor.例文帳に追加

また、トレンチ底部のｐベース領域内に、ｎ^+ ソース領域とｐ^+ コンタクト領域とを形成し、ソース電極とｎ^+ ソース領域、ｐ^+ コンタクト領域とをそれぞれソース接続導体、ｐ^+ 接続導体で接続する。 - 特許庁

A P-type source region 6 and a P-type drain region 7 are arranged in opposition in a second direction at right angles to the first direction.例文帳に追加

P形ソ−ス領域６とP形ドレイン領域７とは第１の方向に直角な第２の方向において対向配置されている。 - 特許庁

The source 13s is composed of a P^- layer and a P^+ layer mutually adjacently contacting.例文帳に追加

ソース１３ｓは互いに隣接して接触されたＰ^−層とＰ^＋層から構成されている。 - 特許庁

P^+ contact in the P well can be connected with a reset voltage source and a pixel is reset.例文帳に追加

Ｐウェル中のＰ^+コンタクトはリセット電圧源に接続でき、これにより画素をリセットする。 - 特許庁

A P^- region 11 being a P-type body is derived onto the partial surface of a source side.例文帳に追加

Ｐ型のボディーであるＰ^-領域１１はソース側の一部表面上に導出される。 - 特許庁

In this method, both of the three-phase voltages Ua-p, Ub-p, and Uc-p of the auxiliary power source and the three-phase voltages Ua-g, Ub-g, and Uc-g of the power grid are detected, and the detected voltage is converted into the two components Ud-com and Uq-com on a d-q face.例文帳に追加

本発明の方法は、補助電源の三相電圧Ua＿p，Ub＿p及びUc＿pとパワー・グリッドの三相電圧Ua＿g，Ub＿g及びUc＿gの両方を検出し、検出された電圧をd-q面上の2成分Ud＿com及びUq＿comに変換する。 - 特許庁

The number of teeth is set to 2n×P (n; the number n of phases of an external power source, P; the number P of magnetic poles of the V-shaped permanent magnets).例文帳に追加

ティース数は、２×外部電源の相数ｎ×Ｖ字永久磁石の磁極数Ｐに設定される。 - 特許庁

Heat distortion at the cutting position P is caused, when a linear beam X formed by converging light emitted from a light source at the cutting position P irradiates the cutting position P.例文帳に追加

この切断位置Ｐに熱源からの光を集光して成形した線状熱ビームＸを照射して、パネル部２ａに熱歪を発生させる。 - 特許庁

In the power MOSFET 30, a P base layer 5 is selectively formed on the surface of a semiconductor substrate 1, and an N^+ source layer 6 and a P^+ contact layer 7 as a source of the power MOSFET 30 are formed on the surface of the P base layer 5 of a source region 31a.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴ３０では、半導体基板１の表面にPベース層５が選択的に形成され、ソース領域３１ａのPベース層５の表面にパワーＭＯＳＦＥＴ３０のソースとしてのＮ^＋ソース層６及びＰ^＋コンタクト層７が選択的に形成されている。 - 特許庁

Then, run the following command: phpdoc -p on -f /path/to/my/package/source/File.php -t .発音を聞く 例文帳に追加

そして、次のコマンドを入力します。 phpdoc -p on -f /path/to/my/package/source/File.php -t .-o "XML:DocBook/peardoc2:default" -dc myPackageCategoryファイルができあがったら、その内容を確認してみましょう。 - PEAR

An urgent earthquake prompt report system receives P waves (preliminary tremors) of the earthquake and switches a power source of the control system to an uninterruptible power source.例文帳に追加

しかし、緊急地震速報システムは、地震のP波（初期微動）を受信して、数秒後には、制御系１１の電源を無停電電源へ切り替える。 - 特許庁

The p-type/n-type source/drain layers 37, 40 are patterned to form p-type/n-type source/drains 37a, 37b, 40a, 40b.例文帳に追加

ｐ型／ｎ型ソース・ドレイン層３７，４０をパターニングして、ｐ型／ｎ型ソース・ドレイン３７ａ，３７ｂ，４０ａ，４０ｂを形成する。 - 特許庁

In wave optics, the reciprocity theorem of ray diagrams implies that the excitation of a wave at a point P by wave from a source Q is the same as that detected at Q with the source at P. 発音を聞く 例文帳に追加

波動光学において光線図の相反定理は、光源Qからの波による点Pでの波の励起は光源PによってQで検出される波の励起と同じであることを(論理的に当然のこととして)意味する。 - 科学技術論文動詞集

The N-type and P-type latchup prevention regions 8, 12 are arranged between the P-type source region and drain region and the N-type source region and drain region respectively, and formed also under a gate connection conductor layer.例文帳に追加

N形及びP形ラッチアップ防止領域８、１２は前記P形ソ−ス領域及びドレイン領域とN形ソ−ス領域及びドレイン領域との間にそれぞれ配置され且つゲ−ト接続導体層の下にも形成されている。 - 特許庁

Further, the source of an N-channel MOS transistor M5 is connected to the gate of a P-channel MOS transistor M7 in the push-pull circuit 15, and the P-channel MOS transistor M7 is driven by an output from the source of the N-channel MOS transistor M5.例文帳に追加

また、NチャネルMOSトランジスタM5のソースは、プッシュプル回路１５のPチャネルMOSトランジスタM7のゲートと接続され、NチャネルMOSトランジスタM5のソース出力によって、PチャネルMOSトランジスタM7が駆動される。 - 特許庁

In pMOSs 18 and 20, a source region 30 consists of a p+ source region 34 and an LDD region 36 consisting of p-, and a drain region 32 comprises a p+ drain region and an LDD region 40 consisting of p-.例文帳に追加

ｐＭＯＳ１８、２０は、ソース領域３０がｐ^+ ソース領域３４とｐ^- からなるＬＤＤ領域３６とからなり、ドレイン領域３２がｐ^+ ドレイン領域とｐ^- からなるＬＤＤ領域４０とからなっている。 - 特許庁

Furthermore, in manufacturing of the active material, S-containing synthetic raw materials containing a Li source, a source of Me, a P source and an S source are heated.例文帳に追加

また、活物質の製造にあたっては、Ｌｉ源と、Ｍｅ源と、Ｐ源と、Ｓ源とを含むＳ含有合成原料を加熱する。 - 特許庁

The source 3 within the trench 1 is made of p-type polysilicon.例文帳に追加

トレンチ１内のソース３はｐ型ポリシリコンで形成されている。 - 特許庁

A P^- layer 80 is formed only on the source 60 side of a silicon substrate 1.例文帳に追加

また、シリコン基板１のソース６０側だけにＰ^-層８０を形成する。 - 特許庁

A voltage source 12 applies a negative potential to a p-substrate 50.例文帳に追加

電圧源１２は、Ｐ^—基板５０に対して、負の電位を与える。 - 特許庁

A P^+ diffusion layer 9 forms a source/drain along with the N^+ diffusion layer 8.例文帳に追加

Ｐ^+拡散層９は、Ｎ^+拡散層８とともにソース／ドレインを形成する。 - 特許庁

A light source irradiates light of BR, BG, BB to an original P.例文帳に追加

光源は、光ＢＲ，ＢＧ，ＢＢを原稿Ｐに対して照射する。 - 特許庁

An image reading apparatus comprises a light source device 27 for radiating light to a manuscript P.例文帳に追加

原稿Ｐに対して光を照射する光源装置２７を有している。 - 特許庁

The P^+ source layer 11 is provided on both sides of the P^+ source layer 9 so as to come into contact with the P^+ source layer 9 between the element isolation region and the P^+ source layer 9, and the end part is provided at the center end part of the element formation region 20 so as to overlap the gate insulating film.例文帳に追加

Ｐ^＋ソース層１１は、素子分離領域とＰ^＋ソース層９の間にＰ^＋ソース層９と接するように、Ｐ^＋ソース層９の両側に設けられ、端部がゲート絶縁膜とオーバーラップするように素子形成領域２０の中央端部に設けられる。 - 特許庁

The N well of the P type MOS transistor 6 is shut off from the power source.例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳトランジスタ６のＮウェルが電源から遮断される。 - 特許庁

The N^+ layer 10 is provided at the left side end part of the element formation region 20 so as to be surrounded by the element isolation region, the P^+ source layer 9, and the P^+ source layer 11 and also provided at the bottom of the P^+ source layer 11.例文帳に追加

Ｎ^＋層１０は、素子分離領域、Ｐ^＋ソース層９、及びＰ^＋ソース層１１に取り囲まれるように素子形成領域２０の左側端部に設けられ、Ｐ^＋ソース層１１の底部にも設けられる。 - 特許庁

The n^+ source area 22 includes a first n^+ source region 221, arranged in the p well 21 and a second n^+ source region 222, which is arranged extending to the outside of the p well 21 from the inside of the p well 21.例文帳に追加

そして、ｎ^＋ソース領域２２は、ｐウェル２１の中に配置される第１ｎ^＋ソース領域２２１と、ｐウェル２１の内部からｐウェル２１の外部にまで延在するように配置される第２ｎ^＋ソース領域２２２とを含んでいる。 - 特許庁

Alternatively, synthetic raw materials containing the Li source, the Me source, and the P source are made to come into contact with the gas containing S element to be heated.例文帳に追加

または、Ｌｉ源と、Ｍｅ源と、Ｐ源とを含む合成原料にＳ元素を含有するガスを接触させて加熱する。 - 特許庁

An N well of a P type MOS transistor 6 is connected to a source of itself instead of a power source line, and a source potential becomes a well potential.例文帳に追加

Ｐ型ＭＯＳトランジスタ６のＮウェルは電源ラインではなくそれ自身のソースに接続されており、ソース電位がウェル電位となる。 - 特許庁

In the raw material preparation process, a raw material for synthesis containing an Li source, an Fe source, and a P source is prepared.例文帳に追加

原料準備工程においては、Ｌｉ源と、Ｆｅ源と、Ｐ源とを含有する合成原料を準備する。 - 特許庁

An n^+-type source/drain region 112, a p^+-type source/drain region 113, a p-type well 114, an n-type well 117, a p^+-diffusion layer 115, and an n^+-diffusion layer 116 are formed on the embedded oxide film 102.例文帳に追加

埋め込み酸化膜１０２上にｎ^+ 型ソース／ドレイン領域１１２，ｐ^+ 型ソース／ドレイン領域１１３，ｐ型ウェル１１４，ｎ型ウェル１１７，ｐ^+ 拡散層１１５，及びｎ^+ 拡散層１１６が形成されている。 - 特許庁

Further, after a p--type source/drain diffused layer is also formed on the side of a p-channel MISFET, a gate side wall insulation film is formed and n+-type and p+-type source/drain diffused layers are formed.例文帳に追加

以下、ｐチャネルＭＩＳＦＥＴ側にもｐ^-型ソース、ドレイン拡散層を形成した後、ゲート側壁絶縁膜を形成し、ｎ^+型及びｐ^+型のソース、ドレイン拡散層を形成する。 - 特許庁

The electron source 9 can use a p-n junction or p-i-n junction 9a and the like, and a p-layer 6a or an n-layer 6b of the p-n junction 9a may have a protruded form.例文帳に追加

電子源９は、ｐｎ接合又はｐｉｎ接合９ａ等を用いることができ、ｐｎ接合９ａｐ層６ａ又はｎ層６ｂが突起形状を有していてもよい。 - 特許庁

A P^+ region halo-P, with which a P^- type impurity is introduced with high concentration, is provided in contact with the source/drain region except for the N^- region 171 of a low concentration extension region, namely, to the lower part of the N^+ region 172.例文帳に追加

低濃度エクステンション領域のＮ^-領域１７１を除いたソース／ドレイン領域、つまりＮ^+領域１７２下部に接触するように、Ｐ型の不純物が高濃度に導入されたＰ^+領域Halo-Pが設けられている。 - 特許庁

This structure is provided with a p-type layer 3a in a lower part of a center part of a p-type base region 3 connected between adjacent cells, specifically, a lower part of a body p-type layer 5 brought into contact with a source electrode 12 within the p-type base region 3.例文帳に追加

隣接するセル同士間で繋がったｐ型ベース領域３の中央部の下部、具体的にはｐ型ベース領域３のうちソース電極１２と接触させられるボディｐ型層５の下部にｐ型層３ａを備える。 - 特許庁

A second p base region 26 doped with high density is formed in the inside of the p base region 6, and a p^+ body region 8 and an n^+ source region 9 are selectively formed in the inside of the second p base region 26.例文帳に追加

ｐベース領域６の内部に高濃度にドープされた第２のｐベース領域２６を形成し、この第２のｐベース領域２６の内部に、ｐ^+ボディ領域８とｎ^+ソース領域９を選択的に形成する。 - 特許庁

In the Source Editor, change the content of the newly created page to the following:headmeta http-equiv=Content-Type content=text/html; charset=UTF-8titleLogin Success/title/headbodyh1Congratulations!/h1pYou have successfully logged in./ppYour name is: ./ppYour email address is: ./p/body発音を聞く 例文帳に追加

ソースエディタで新しく作成されたページの内容を次のように変更します。 headmeta http-equiv=Content-Type content=text/html; charset=UTF-8titleLogin Success/title/headbodyh1Congratulations!/h1pYou have successfully logged in./ppYour name is: ./ppYour email address is: ./p/body - NetBeans

Light P_D and light P_C emitted from a two-wavelength light source are made incident on a diffraction optical element 3a in the same polarizing direction.例文帳に追加

二波長光源から出射した光Ｐ_Ｄ、光Ｐ_Ｃは、同一の偏光方向で回折光学素子３ａに入射する。 - 特許庁

A cathode of a first Zener diode Z1 is connected between the input power supply Vin and a source of the P-channel MOS transistor MP1.例文帳に追加

第1ツェナーダイオードZ1のカソードは、入力電源VinとPチャネルMOSトランジスタMP1のソースとの間に接続されている。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer 4 is formed on the n+ type drain layer 3, and an n+ type source layer 5 is formed on the p-type semiconductor layer 4.例文帳に追加

このｎ＋型ドレイン層３の上には、ｐ型半導体層４が形成され、ｐ型半導体層４の上にはｎ＋型ソース層５が形成される。 - 特許庁

A p-type base layer is selectively formed on an n-type active layer, and an n-type source layer is positioned on the p-type base layer.例文帳に追加

ｎ型活性層上に選択的にｐ型ベース層が形成され、そのｐ型ベース層上にｎ型ソース層が位置する。 - 特許庁

A reverse bias voltage is applied to the light modulation region 2 by a voltage source 12 through the p-side electrode 8 and the n-side common electrode 7.例文帳に追加

光変調領域2にはp側電極8とn側共通電極とを介して電圧源12によって逆バイアス電圧が印加される。 - 特許庁

A P+ type diffusion layer 105 and an N+ type diffusion layer 107 as a source diffusion layer are formed in the P type diffusion layer 104.例文帳に追加

Ｐ型拡散層１０４内には、Ｐ＋拡散層１０５、およびソース拡散層としてのＮ＋拡散層１０７が形成されている。 - 特許庁

A p-type source diffusion layer 10, a p-type drain diffusion layer 11 and an intermediate layer 12 are formed sideward of each electrode part 8, 18.例文帳に追加

各電極部８，１８の側方に、ｐ型ソース拡散層１０，ｐ型ドレイン拡散層１１及び中間拡散層１２を形成する。 - 特許庁