Pecとは 意味・読み方・使い方

As the anisotropic etching, dry etching and PEC etching can be cited.例文帳に追加

この異方性エッチングとしては、乾式エッチング、ＰＥＣエッチングが挙げられ得る。 - 特許庁

CONTROL OF PHOTOELECTROCHEMICAL (PEC) ETCHING BY MODIFICATION OF LOCAL ELECTROCHEMICAL POTENTIAL OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE RELATIVE TO ELECTROLYTE例文帳に追加

電解質に対する半導体構造の局部的な電気化学的ポテンシャルの改変による光電気化学（ＰＥＣ）的エッチングの制御 - 特許庁

A procedure 4 is an exposure step of using the found exposure amount and PEC parameter for exposing the chemically amplified resist.例文帳に追加

（手順４）求められた露光量およびＰＥＣパラメータを用いて化学増幅型レジストを露光する露光工程である。 - 特許庁

PEC etching is carried out with this configuration to make a secure etching stop nearby an interface between the current constriction layer (nitride semiconductor layer 3) and nitride semiconductor layer 2, thereby stabilizing device characteristics.例文帳に追加

この構成に対して、ＰＥＣエッチングを行うと、電流狭窄層（窒化物半導体層３）と窒化物半導体層２の界面近傍で確実なエッチストップが得られ、デバイス特性の安定化が可能である。 - 特許庁

A procedure 3 is an exposure condition determining step of finding the exposure sensitivity and an optimum PEC parameter value during exposure in accordance with the investigated exposure sensitivity and a previously measured aging effect amount.例文帳に追加

（手順３）調べた保管期間及び予め測定しておいた経時変化量に基づき、露光時における露光感度および最適なＰＥＣパラメータ値を求める露光条件決定工程である。 - 特許庁

The method locally controls the electrical potential of a semiconductor structure or a device, and thereby locally controls lateral and/or vertical photoelectrochemical (PEC) etching rates by the appropriate placement of electrically resistive layers or layers that impede electron flows in the semiconductor structure, and/or by disposing a cathode in contact with a specific layer of the semiconductor structure during PEC etching.例文帳に追加

上記方法は、電気的抵抗層または半導体構造の中の電子のフローを妨げる層の適切な配置によって、および／またはＰＥＣエッチングの間に、半導体構造の特定の層と接触するカソードを配置することによって、半導体構造または半導体デバイスの電気的ポテンシャルを局部的に制御し、水平方向および／または垂直方向の光電気化学（ＰＥＣ）的エッチング速度を局部的に制御する。 - 特許庁