Phosphosilicate glassとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of forming a film of phosphosilicate glass or borophosphosilicate glass with a small moisture content in the film and small absorbed water.例文帳に追加

膜中水分及び吸着水の少ないフォスフォシリケートグラスまたはボロフォスフォシリケートグラスの成膜方法を提供する。 - 特許庁

In the method of forming a film of phosphosilicate glass or borophosphosilicate glass by plasma chemical evaporation, trimethoxysilane is used as a source of silicon.例文帳に追加

プラズマ化学蒸着によるフォスフォシリケートグラスまたはボロフォスフォシリケートグラスの成膜方法において、シリコン源としてトリメトキシシランを用いることを特徴とする成膜方法。 - 特許庁

Between the SOI layer and the glass substrate, a bonding layer is provided which is formed of one layer or a plurality of layers of phosphosilicate glass, borosilicate glass, and/or borophosphosilicate glass, using organosilane as one material by a thermal CVD method at a temperature of 500 to 800°C.例文帳に追加

ＳＯＩ層とガラス基板との間に有機シランを材料の一つとして用い、熱ＣＶＤ法により５００℃〜８００℃の温度範囲で成膜された、リンガラス、ボロンガラス、リンボロンガラスのいずれかからなる１層もしくは複数層により形成された接合層を設けることで上記課題を解決する。 - 特許庁

A gate electrode 30 embedded in the trench 10a so that the opening portion of the trench 10a remains, and a PSG (phosphosilicate glass) film 40 is formed on the remaining opening portion as a source of diffusion of an impurity.例文帳に追加

そして、トレンチ溝１０ａの開口部分を残すようにゲート電極３０をトレンチ溝１０ａ内に埋め込み、残った開口部分に不純物の拡散源となるＰＳＧ（リンシリケートガラス）膜４０を形成する。 - 特許庁

A phosphosilicate glass is deposited and etched except for the upper part of gate 205 and source 201 to form an inter level dielectrics 207, over which a source metal 212 is deposited for function with a drain as a contact point.例文帳に追加

ホスシリケートガラスを堆積してソース２０１及びゲート２０５上部を残してエツチングしてインターレベル誘電体２０７を形成し、その上にソースメタル２１２を堆積してドレインを接点として機能させる。 - 特許庁

To provide a phosphosilicate glass ceramic that, despite a very small CaO content, has apatite crystals which are further very small and in particular in the nanoscale range, and that is thereby very similar to the natural tooth material in terms of its optical properties.例文帳に追加

非常に低いＣａＯ含有量にもかかわらず、アパタイト結晶を有し、これらのアパタイト結晶がさらに、非常に小さく、特に、ナノスケールの範囲内であり、従って、光学特性の観点で自然の歯の材料と非常に類似している、リンケイ酸ガラスセラミックを提供すること。 - 特許庁

The invented etchant etches materials with both doped and non-doped oxide films on the basis that etching rates for thermal oxide (THOX) and Boron Phosphosilicate Glass (BPSG) films are below 100Å/min at 25°C, and the BPSG etching rate/THOX etching rate is below 1.5.例文帳に追加

熱酸化膜（ＴＨＯＸ）及びボロンリンガラス膜（ＢＰＳＧ）のエッチングレートが２５℃で１００Å／ｍｉｎ以下、かつＢＰＳＧのエッチングレート／ＴＨＯＸのエッチングレートが１．５以下である、ドープ酸化膜と非ドープ酸化膜を有する被エッチング物をエッチングするためのエッチング液。 - 特許庁