Plasma etching equipmentとは 意味・読み方・使い方

To provide a plasma etching method by which an occurrence of a micro trench in a plasma etching of a CF_X film can be inhibited as compared with the past, plasma etching equipment, and a computer storage medium.例文帳に追加

ＣＦ_x膜のプラズマエッチングにおけるマイクロトレンチの発生を従来に比べて抑制することのできるプラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体を提供する。 - 特許庁

This dry etching equipment is down flow type dry etching equipment in which a plasma forming region is isolated from a treating chamber 1 for treating the object 3 to be treated, and active species formed in the plasma forming region are introduced to the treating chamber 1.例文帳に追加

プラズマ生成領域と被処理物３を処理する処理室１とが分離されており、プラズマ生成領域にて生成された活性種を処理室１に導くようになされたダウンフロー型のドライエッチング装置である。 - 特許庁

To provide a method and equipment for etching, where the uniformity of the etching depth in a surface can be improved by uniforming an electric field distribution over an electrode when plasma-etching a dielectric film on a compound semiconductor substrate.例文帳に追加

化合物半導体基板上の誘電体膜をプラズマエッチングする際に、電極上の電界分布を均一化させて、そのエッチング深さの面内均一性を向上できるエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide plasma etching equipment wherein lifting of a wafer before etching is prevented, reliability and yield of a product are improved, and improvement of equipment utilization rate and reduction of production cost can be performed.例文帳に追加

エッチング前のウェーハの浮きを防止して製品の信頼性及び歩留りを向上させるとともに、装置稼動率の向上及び生産コストの低減を行うことができるプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

When performing the differential operation, in a process S110, the etching equipment determines the differential value to detect the end point of plasma treatment.例文帳に追加

微分演算を行う場合には、工程Ｓ１１０では、エッチング装置では、プラズマ処理の終点を検知するために、この微分値の判定を行う。 - 特許庁

To obtain a plasma etching system in which the end point of etching can be detected with a high accuracy regardless of the aging of an optical system or a measuring equipment, contamination of an observation window, or the like.例文帳に追加

光学系や測定計の経時変化、観測窓の汚れ等の影響を受けずに、エッチングの終点を高精度に検出できるようにする。 - 特許庁

To provide plasma etching equipment which ensures good surface planarity when a magnetic metal thin film or other thin film unstable for plasma and a substrate are etched.例文帳に追加

磁性金属薄膜その他プラズマに対して不安定な薄膜及び基板をエッチングする際に、表面平坦性良くエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

Because of the etching rate difference between SF6 gas and HCl gas for the same crystallographic plane, the etching becomes hard to proceed in isotropic basis, and texture is produced on the surface of the semiconductor substrate 3 even with plasma etching equipment of low impact energy.例文帳に追加

すると、同一面方位についてのＳＦ_6ガスとＨＣｌガスとのエッチレートの差によって、エッチングが等方的に進行しにくくなり、イオン衝突エネルギーが低いプラズマエッチング装置１でも、半導体基板３の表面にテクスチャーを形成することができる。 - 特許庁