Protective masksとは 意味・読み方・使い方

Protective film layers having the discriminated zone groups of different compositions are first sputtered on a disk surface by using discriminated masks under different sputtering conditions.例文帳に追加

、異なる組成の区別されたゾーン群を有する保護膜層が、異なるスパッタリング条件下において区別されたマスクを用いることによって、ディスク表面上に最初にスパッタリングされる。 - 特許庁

Dummy masks 20 and 21 extended by the same layout patterns as the wiring layers 15 are formed at upper sections of the wiring layers 15 coated with protective films composed of cap layers 16 and sidewall layers 17.例文帳に追加

キャップ層１６及びサイドウオール層１７から成る保護膜で被覆された配線層１５の上部に、配線層１５と同じレイアウトパターンで延びるダミーマスク層２０、２１を形成する。 - 特許庁

The ohmic contact layer-forming film 25 and the semiconductor film-forming film 21 are subjected to plasma etching for patterning, using resist patterns 26 and 26 and the second channel protective film 6 as masks.例文帳に追加

そして、レジストパターン２６、２６および第２のチャネル保護膜６をマスクとしたプラズマエッチングで、オーミックコンタクト層形成用膜２５および半導体膜形成用膜２１をパターニングする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a reflection mask capable of preventing decrease in the reflectance derived from the deposition of the oxide generated on the surfaces of a reflecting multi-layer film and a protective film in a process of manufacturing the masks.例文帳に追加

マスク製造過程で反射多層膜や保護層の表面に生成した酸化物等の堆積に由来する反射率の低下を防止することができる反射型マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

A part of a silicon oxide film and a silicon substrate is etched using a silicon nitride film having an opening formed therein and a sidewall protective film covering the sidewall of the silicon nitride film as masks, to form an element isolating trench on the silicon substrate (S108).例文帳に追加

開口部が形成されたシリコン窒化膜と、このシリコン窒化膜の側面を覆う側壁保護膜とをマスクとして、シリコン酸化膜およびシリコン基板の一部をエッチングすることにより、シリコン基板に素子分離用トレンチを形成する（Ｓ１０８）。 - 特許庁

By depositing a MgO protective film entirely on both the upper and lower ends in an orthogonal direction of a display electrode of a rectangular front substrate without depositing the MgO protective film on both ends in an extension direction of the display electrode by a deposition mask, breakage of a glass substrate by thermal stress in a deposition process can be prevented, and cost can be reduced by reducing the number of deposition masks.例文帳に追加

長方形の前面基板の表示電極の延長方向の両端部には蒸着マスクによりＭｇＯ保護膜を蒸着せず，表示電極の直交方向の上下端部にはすべて保護膜を蒸着することで，蒸着工程でのガラス基板の熱ストレスによる割れを回避でき，また，蒸着マスクの数を減らしてコストダウンをはかることができる。 - 特許庁

An upper surface protective film 91 after patterning, NMOSFET gate formation mask 31a, and PMOSFET gate formation mask 31b are used as masks for etching, so that a gate electrode 33 of a transistor of a DRAM memory cell part Rm and lower part electrodes 34a and 34b of each transistor of a CMOS part Rc are formed at the same time.例文帳に追加

次に、パターニングした後の上面保護膜９１、ＮＭＯＳＦＥＴゲート形成用マスク３１ａおよびＰＭＯＳＦＥＴゲート形成用マスク３１ｂをマスクとして用いて、エッチングを行うことにより、ＤＲＡＭメモリセル部Rmのトランジスタのゲート電極３３、ＣＭＯＳ部Rcの各トランジスタの下部電極３４ａ、３４ｂを同時に形成する。 - 特許庁

Provided is a combination of a substrate with a topical adhesive for attachment of functional articles such as clothing, prosthesis, heat wraps, pads, and/or packs, cold wraps, protective face masks, ornamental articles, or eye wear, or cosmetic or pharmaceutical delivery articles which provide substances to the skin.例文帳に追加

保護用製品、衣類、人工補装具、加熱ラップ、パッド及び／又はパック、冷却ラップ、保護用フェイスマスク、装飾用製品若しくは眼用ウェア、又は皮膚に物質を提供する化粧用若しくは薬学的デリバリー製品等の機能的製品を皮膚に取り付けるために使用できる局所用接着剤と基体との組み合わせ。 - 特許庁