Q baseとは 意味・読み方・使い方

A rectification box 50 is provided between the base plate W and the anode 20 in the plating liquid Q.例文帳に追加

基板Ｗとアノード２０の間のめっき液Ｑ中に整流ボックス５０を設置する。 - 特許庁

The lubricant composition G comprises a base oil, a thickener, an anti-oxidant, and a coenzyme Q.例文帳に追加

この潤滑剤組成物Ｇは、基油，増ちょう剤，抗酸化剤，及び補酵素Ｑを含有してなる。 - 特許庁

The inclined lower end 1a_3 (point Q) of the right wall 1a is lower than the level of the projecting base 5.例文帳に追加

右側壁１ａの傾斜下端１ａ_3（Ｑ点）は、突設基台５の高さよりも低い。 - 特許庁

A pair of base band signals I and Q for transmission are supplied to input terminals of the first and second base band variable gain amplifiers 108_I, Q.例文帳に追加

第１と第２のベースバンド信号可変利得増幅器１０８＿Ｉ、Ｑの入力端子には、一対の送信用ベースバンド信号Ｉ、Ｑが供給される。 - 特許庁

Recesses Q (Qa, Qb) by notches along a part opposing the terminal base 30 are formed at the terminal base holding part 16, and the resin connecting part 28 is increased in thickness by an amount of filling in the recesses Q, thus increasing the strength of the connecting part.例文帳に追加

端子台保持部１６には端子台３０との対向部にそって切り欠きによる凹部Ｑ（Ｑａ、Ｑｂ）が形成されて、樹脂連結部２８は凹部Ｑを埋めている分だけ肉厚が大きくなって連結部分の強度が増大する。 - 特許庁

A multiplying part 102 carries out a multiplication determined by a condition in which the origin of (c_0, c_1) is included in the algebraic torus T_2r(F_q) by using (c_0, c_1), w, δ, and polynomial of secondary extension and base and polynomial of tertiary extension and base.例文帳に追加

乗算部１０２は、（c_0,c_1）,w,δを用いて、（c_0,c_1）の元が代数的トーラスT_2r(F_q)に含まれる条件と、2次拡大の方多項式及び基底と3次拡大の法多項式及び基底とにより定まる乗算を行う。 - 特許庁

A combination of a panel and a mask/frame assembly is divided into a playback panel 31 and a playback mask, the mask combines with a base panel 29, measures a Q-value in a Q-value measuring instrument 20 and stores a measured Q-value datum in a server 22.例文帳に追加

パネルとマスク・フレーム組立体との組合せについて、再生パネル３１と再生マスクとに分け、マスクは基準パネル２９と組合せ、Ｑ値測定機２０でＱ値を測定し、測定したＱ値データをサーバ２２に保存する。 - 特許庁

A silicon nitride layer is deposited on a base film at a ratio P/Q of less than 10 [W/sccm], with Q being the silane gas flow rate and P being the plasma-generating electric power, a deposition pressure of 20 to 200 Pa, and at a base film temperature of not more than 70°C, under a bias potential of not more than -100V applied to the base film.例文帳に追加

シランガス流量Ｑ、プラズマ生成ＰとしたＰ／Ｑが１０［Ｗ／ｓｃｃｍ］未満、成膜圧力が２０〜２００Ｐａで、基板温度を７０℃以下として、前記基板に−１００Ｖ以下のバイアス電位を印加しつつ窒化珪素膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁