SEMI-CONDUCTOR THIN FILMとは 意味・読み方・使い方

This device is intended for the use in manufacturing the thin film by the ALE method for the structure and a display unit of a semi-conductor layer.例文帳に追加

本装置は、半導体層の構造およびディスプレイユニットのためのＡＬＥ方法による薄膜の製造における使用に意図される。 - 特許庁

To provide an element manufacturing apparatus capable of manufacturing a semi-conductor element or the like by depositing a film of a predetermined kind on a thin and lightweight substrate.例文帳に追加

薄くて軽い基材の上に所定膜種の膜を成膜し、半導体素子等を製造することができる素子製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high purity copper sputtering target suitable for producing a thin film wiring material for a semi-conductor of LSI or the like, generating a reduced few amount of particles in forming thin film by sputtering.例文帳に追加

スパッタリングにより薄膜を形成する際にパーティクルの発生の少ない、ＬＳＩなどの半導体薄膜配線材料を製造するために好適な高純度銅スパッタリングターゲットを得ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a film deposition method and a film deposition apparatus reducing defects in film deposition in a thin film to be used in a semi-conductor device, a display device, a photo mask or the like.例文帳に追加

半導体デバイス、表示デバイス、フォトマスクなどに使用される薄膜において、成膜欠陥を低減できる成膜方法、及び成膜装置を提供する。 - 特許庁

The semi-conductor thin film contains indium oxide and cerium oxide, and consists of a crystalline material, and the specific resistance thereof is 10^+1 to 10^+8 Ωcm.例文帳に追加

酸化インジウムと酸化セリウムとを含有し、結晶質からなる半導体薄膜であって、比抵抗が１０^＋１〜１０^＋８Ωｃｍであることを特徴とする半導体薄膜を用いる。 - 特許庁

To provide a plasma CVD device and a semi conductor thin film forming method to effectively prevent particles from being deposited on a counter electrode even when the high-voltage reactive gas is used.例文帳に追加

高圧の反応ガスを用いた場合にも、粒子が対向電極に付着するのが有効に防止される、プラズマＣＶＤ装置および半導体薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of enhancing the quality of a metal thin film even in the case of a high melting point metal, and a method for manufacturing a semi-conductor device.例文帳に追加

高融点金属においても金属薄膜の膜質を向上させることが可能な基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transparent semi-conductor thin film which is formed of an oxide mainly consisting of indium oxide with cerium oxide added thereto, free from any improper operation caused by the light or any change in specific resistance of a thin film caused by the heating, and has high mobility, and its manufacturing method.例文帳に追加

酸化インジウムを主成分とし、酸化セリウムを添加した酸化物により、光による誤作動がなく、加熱等による薄膜の比抵抗の変化がなく、移動度が高い透明酸化物半導体及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁