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STRESS FIELDとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 応力場; 応用場
「STRESS FIELD」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 176件
To provide a stress field measuring apparatus and a stress field measuring program, which can precisely analyze the stress field of an object to be measured.例文帳に追加
測定対象物の応力場を精度よく解析することができる応力場測定装置及び応力場測定プログラムを提供する。 - 特許庁
TWO-DIMENSIONAL STRESS FIELD MEASURING SYSTEM AND TWO- DIMENSIONAL STRESS FIELD MEASURING PROGRAM例文帳に追加
二次元応力場計測システム及び二次元応力場計測プログラム - 特許庁
The correspondence between the residual magnetic field and the stress field is then tested for quantitatively evaluating the stress field by the magnetic field distribution.例文帳に追加
次に、応力場を磁気分布によって定量的に評価するため、残留磁場と応力場との対応を試みた。 - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR MEASURING SHEAR STRESS DISTRIBUTION OF FLOW FIELD例文帳に追加
流れ場のせん断応力分布計測方法および装置 - 特許庁
GENERATION OF STRESS IN FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加
電界効果型トランジスタにおける応力の生成 - 特許庁
STRESS FIELD MEASURING APPARATUS AND PROGRAM THEREOF例文帳に追加
応力場測定装置及び応力場測定プログラム - 特許庁
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「STRESS FIELD」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 176件
Here, by using a high stress electric field Eox (i.e., 12.5) as a stress electric field, it is possible to shorten time necessary for measurement.例文帳に追加
ここで、このストレス電界として高いストレス電界Eox(たとえば12.5)を用いることにより、測定に要する時間を短縮することが可能となる。 - 特許庁
FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FET) HAVING STRESS CHANNEL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
応力チャネルを有する電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁
A strength H of a stress singular field near a contact end is determined from a maximum stress distribution obtained by a finite element method, and a fatigue test result is organized by a ratio of a strength ΔH of the stress singular field and a strength ΔHc of a crack initiation critical stress singular field.例文帳に追加
接触端近傍の応力特異場の強さHを、有限要素法から得られる最大応力分布から求めて、応力特異場の強さΔHとき裂発生限界応力特異場の強さΔHcの比率で、疲労試験結果を整理した。 - 特許庁
The internal stress generated in the channel formation region of the n-channel conductivity field-effect transistor is a tensile stress, and the internal stress generated in the channel formation region of the p-channel conductivity field-effect transistor is a compressive stress.例文帳に追加
前記nチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力は引っ張り応力であり、前記pチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力は圧縮応力である。 - 特許庁
In a semiconductor device having an n-channel field effect transistor 10 and a p-channel field effect transistor 30, as a stress control film 19 covering a gate electrode 15 of the n-channel field effect transistor 10, a film having film stress in a tension stress side is used.例文帳に追加
nチャネル型電界効果トランジスタ10と、pチャネル型電界効果トランジスタ30とを有する半導体装置において、nチャネル型電界効果トランジスタ10のゲート電極15を覆う応力制御膜19には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。 - 特許庁
REAL-TIME EVALUATION OF STRESS FIELD AND CHARACTERISTIC IN LINE STRUCTURE FORMED ON SUBSTRATE例文帳に追加
基板上に形成されたライン構造の応力界と特性のリアルタイム評価 - 特許庁
Thus, the reliability is markedly improved for the electric field stress while extending the life of the chip.例文帳に追加
このため、動作時の電界ストレス信頼性が著しく向上し、寿命延長を図ることができる。 - 特許庁
To obtain a resin mold vacuum bulb small in residual stress, and large in electrical field moderation effect.例文帳に追加
残留応力が小さく、電界緩和の効果の大きい樹脂モールド真空バルブを得る。 - 特許庁
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※この記事は『「多国語防災用語集」国際防災の十年(IDNDR)国民会議』の内容を転載しております。 | |
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