「STRESS FIELD」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

STRESS FIELD MEASURING APPARATUS AND PROGRAM THEREOF例文帳に追加

応力場測定装置及び応力場測定プログラム - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR MEASURING SHEAR STRESS DISTRIBUTION OF FLOW FIELD例文帳に追加

流れ場のせん断応力分布計測方法および装置 - 特許庁

FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FET) HAVING STRESS CHANNEL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

応力チャネルを有する電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

A strength H of a stress singular field near a contact end is determined from a maximum stress distribution obtained by a finite element method, and a fatigue test result is organized by a ratio of a strength ΔH of the stress singular field and a strength ΔHc of a crack initiation critical stress singular field.例文帳に追加

接触端近傍の応力特異場の強さＨを、有限要素法から得られる最大応力分布から求めて、応力特異場の強さΔＨとき裂発生限界応力特異場の強さΔＨｃの比率で、疲労試験結果を整理した。 - 特許庁

A tensile stress insulating film is formed by covering a n-channel field effect transistor, and a compressive stress insulating film being formed by covering a p-channel field effect transistor.例文帳に追加

ｎチャネル電界効果トランジスタを覆って引張応力絶縁膜を、ｐチャネル電界効果トランジスタを覆って圧縮応力絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Here, by using a high stress electric field Eox (i.e., 12.5) as a stress electric field, it is possible to shorten time necessary for measurement.例文帳に追加

ここで、このストレス電界として高いストレス電界Ｅox（たとえば１２．５）を用いることにより、測定に要する時間を短縮することが可能となる。 - 特許庁

REAL-TIME EVALUATION OF STRESS FIELD AND CHARACTERISTIC IN LINE STRUCTURE FORMED ON SUBSTRATE例文帳に追加

基板上に形成されたライン構造の応力界と特性のリアルタイム評価 - 特許庁

To prevent short-circuiting between the gate electrode and the emitter caused by the electric field induced stress.例文帳に追加

電界誘起応力によるゲート電極とエミッタとの短絡を防止する。 - 特許庁

The internal stress generated in the channel formation region of the n-channel conductivity field-effect transistor is a tensile stress, and the internal stress generated in the channel formation region of the p-channel conductivity field-effect transistor is a compressive stress.例文帳に追加

前記ｎチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力は引っ張り応力であり、前記ｐチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力は圧縮応力である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a stable diffusely reflecting polarizer regarding stress, distortion, temperature difference, moisture, electric field and magnetic field.例文帳に追加

応力、歪み、温度差、水分、電場および磁場に関して安定な拡散反射偏光子を製造する方法の提供。 - 特許庁

To establish the magnetic field analysis method of two-dimensional vector magnetic characteristics considering stress characteristics.例文帳に追加

応力特性を考慮した二次元ベクトル磁気特性の磁界解析手法を確立する。 - 特許庁

To obtain a resin mold vacuum bulb small in residual stress, and large in electrical field moderation effect.例文帳に追加

残留応力が小さく、電界緩和の効果の大きい樹脂モールド真空バルブを得る。 - 特許庁

The intermediate straight section is preferably parallel to a principle stress field of the platform.例文帳に追加

中間直線部は、プラットフォームの主要応力領域に平行であることが好ましい。 - 特許庁

In a semiconductor device having an n-channel field effect transistor 10 and a p-channel field effect transistor 30, as a stress control film 19 covering a gate electrode 15 of the n-channel field effect transistor 10, a film having film stress in a tension stress side is used.例文帳に追加

ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０と、ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０とを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０のゲート電極１５を覆う応力制御膜１９には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。 - 特許庁

As a stress control film 39 covering a gate electrode 35 of the p-channel field effect transistor 30, a film having film stress in a compress stress side than a film of the stress control film 19 of the n-channel field effect transistor 10 is used, so that drain current in both the n-channel and p-channel field effect transistors can be improved.例文帳に追加

ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０のゲート電極３５を覆う応力制御膜３９には、膜応力が、ｎチャネル型トランジスタ１０の応力制御膜１９より、圧縮応力側の膜を用いることにより、ｎチャネル型、ｐチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。 - 特許庁

This two-dimensional stress field measuring system has, for example, a cargo loading system, a photographing system, and an analytical system.例文帳に追加

二次元応力場計測システムは、例えば、載荷系と、撮影系と、解析系とを備える。 - 特許庁

To provide an electric field relaxing cover body capable of relaxing an electric field stress generated when a cable terminal is connected to a bushing provided in electric power equipment.例文帳に追加

電力機器に備えられたブッシングにケーブル端末を接続した場合の電界ストレスを緩和できる電界緩和被覆体を提供する。 - 特許庁

Thus, the reliability is markedly improved for the electric field stress while extending the life of the chip.例文帳に追加

このため、動作時の電界ストレス信頼性が著しく向上し、寿命延長を図ることができる。 - 特許庁

To moderate thermal stress of an insulating layer formed between a vacuum insulating container and an electric field moderating shield.例文帳に追加

真空絶縁容器と電界緩和シールド間に形成される絶縁層の熱応力を緩和する。 - 特許庁

A stress distribution for calculating the strength H of the stress singular field near the contact end is determined by a molecular dynamic analysis, nano-indentation as an experimental technique, an X-ray stress measuring method, or a neutron diffraction stress measuring method.例文帳に追加

また、接触端近傍の応力特異場の強さＨを算出するための応力分布を、分子動力学解析、又は実験的手法としてナノインデンテーション、Ｘ線応力測定法、中性子回折応力測定法により求めた。 - 特許庁

A gate cap film 15 for applying a tensile stress F1' to a field effect transistor is formed on the field effect transistor, and the stress caused by the gate cap film 15 is set larger than the stress to be applied to the transistor by bending of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

電界効果型トランジスタ上には、電界効果型トランジスタに引っ張り応力Ｆ１´を印加するゲートキャップ膜１５が形成され、ゲートキャップ膜１５に起因する応力は、半導体基板１１の折り曲げによってトランジスタに印加される応力よりも大きくする。 - 特許庁

The method includes the steps of applying a DC magnetic field to a measurement object sample; repeatedly applying an AC magnetic field to demagnetize, while sequentially weakening a strength of the AC magnetic field; measuring a magnetic field distribution on a surface of the sintered tool, and obtaining a residual stress distribution of the sintered tool by converting the magnetic field distribution into the residual stress distribution.例文帳に追加

被測定試料に直流磁界を加えた後、交流磁界の強度を逐次弱めながら反復して交流磁界を加える消磁操作を実施し、その後前記焼結工具表面の磁界分布を測定して、前記磁界分布を残留応力分布に変換することにより前記燒結工具の残留応力分布を求める。 - 特許庁

A model in which a wedge is introduced by receiving the one point load from the surface of the test material is first investigated for taking into account of the stress field, and the calculated residual stress is calculated at the position in which the residual magnetic field is measured.例文帳に追加

先ず、応力場を考えるために試験材料の表面から一点荷重を受けてくさびが導入されるモデルを検討し、残留磁場を測定した位置における計算残留応力を計算した。 - 特許庁

Thus, the outer contact members 5, 6 radially press the ends of the pipe materials 1, 4 through the welding joint 3 to convert the compressive residual stress field on the inner surface side of the ends of the pipe materials 1, 4 into a tensile stress field.例文帳に追加

これにより、外接部材５，６が溶接継手３を介して管材１，４の端部を径方向に押圧し、管材１，４の端部の内面側の圧縮残留応力場を引張応力場に転換する。 - 特許庁

By utilizing a time-varying field, which is locally or systematically applied, that is, a magnetic field, an electric field, and electromagnetic field, it is possible to achieve protection for cells, tissue and organs from the adverse health effect of stress on the body.例文帳に追加

局所的にまたは体系的に適用される、時間に応じて変化する場、すなわち、磁場、電場および電磁場を利用することにより、ストレスの身体に有害な影響から、細胞、組織および器官を防御することが達せられる。 - 特許庁

By utilizing a time-varying field, which is locally or systematically applied, that is, a magnetic field, an electric field, and electromagnetic field, it is possible to achieve protection for cells, tissue and organs from the adverse health effect of stress on the body.例文帳に追加

局所的にまたは体系的に適用される、時間に応じて変化する場、すなわち、磁場、電場および電磁場を利用することにより、ストレスの身体に有害な影響から、細胞、組織および器官を防御することが達せられる。 - 特許庁

A cracked surface 13 stops in a compression residual stress field 22 even if the cracked surface 13 is formed by the growth of a crack 12 when the member is loaded with repeated stress after the loading with excessive stress by setting.例文帳に追加

セッチングによる過大応力負荷後、繰返し応力を部材に負荷した場合、亀裂１２が成長して亀裂面１３が形成されたとしても、亀裂面１３は圧縮残留応力場２２に停留する。 - 特許庁

To change the intrinsic stress after forming a stress control film in a method for manufacturing a semiconudctor device for forming the stress control film that generates the stress in a channel forming region of a field effect transistor formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板表面に形成した電界効果トランジスタのチャネル形成領域に応力を発生させる応力制御膜を形成する半導体装置の製造方法であって、応力制御膜を形成した後にその真性応力を変更できるようにする。 - 特許庁

Stress of roots by transplantation is eliminated, compared with a conventional culture method transplanting from temporary planting bed to the field.例文帳に追加

また、仮植床から本圃へ移植する従来の栽培方法と比較し、植え替えによる根のストレスもなくなる。 - 特許庁

Thus, production of an electric field due to stress at thermosetting of an adhesive is prevented in the adhering process.例文帳に追加

これにより、貼り付け工程では、接着剤の熱硬化時の応力に起因した電界発生が防止される。 - 特許庁

The welded end part 6 with the interposing press is plastically deformed under a compression stress field toward this tip end direction.例文帳に追加

挟圧によって溶接端部６は、その先端方向に向かって圧縮応力場で塑性変形する。 - 特許庁

A stress cone for a termination joint (reinforcing stress cone ) 130 is composed of a bell mouth part 131 which relaxes the field of a high field part arising at the termination 10 of a power cable, and a reinforcing compact 132 which relaxes the creeping field at the surface of the bell mouth part 131.例文帳に追加

終端接続部用ストレスコーン（補強型ストレスコーン）１３０は、電力ケーブルの終端部１１０に生じる高電界部の電界緩和を行うベルマウス部１３１と、ベルマウス部１３１表面の沿層電界を緩和する補強成形体１３２とで構成されている。 - 特許庁

To endure mechanical stress and thermal stress, which a rotor or a stator receives during building-up and during operation, by preparing a sufficient thermal barrier between a superconductive magnetic field coil and a mounting stage for magnetic field coil support structure.例文帳に追加

超伝導磁場コイルと磁場コイル支持構造体用の取付け台との間に充分な熱障壁をもたらし、構築中および動作中にロータまたはステータが受ける機械的応力および熱応力にも耐えることができる。 - 特許庁

To provide a method and device for measuring shear stress distribution of a flow field, capable of accurately obtaining the shear stress distribution based on velocity variation of the flow field due to an agitation blade without using an empirical formula obtained by testing.例文帳に追加

試験により求める実験式を用いることなく、攪拌翼による流れ場の速度変動に基づくせん断応力分布を正確に求めることができる流れ場のせん断応力分布計測方法および装置を提供する。 - 特許庁

This method includes steps of: forming first and second field-effect transistors of an integrated circuit; forming a stress layer over the first and second field-effect transistors, the stress layer inducing strain in channel regions of the first and second field-effect transistors; and selectively thinning the stress layer over at least a portion of the second field-effect transistor.例文帳に追加

この方法は、集積回路の第１及び第２の電界効果トランジスタを形成するステップと、第１及び第２の電界効果トランジスタの上に応力層を形成するステップであって、応力層は第１及び第２の電界効果トランジスタのチャネル領域内に歪みを誘起する、ステップと、第２の電界効果トランジスタの少なくとも一部の上の応力層を選択的に薄層化するステップとを含む。 - 特許庁

The complicated stress field is avoided from being generated by mutual influence of the corner parts Rb and the knot parts 14b.例文帳に追加

隅部Ｒｂと結節部分１４ｂとが相互に影響し合って複雑な応力場を生じることが回避される。 - 特許庁

To prevent crack or high temperature corrosion of a burner, due to thermal stress, by suppressing formation of a high temperature field in the vicinity of the burner.例文帳に追加

バーナ近傍における高温場の形成を抑制し、熱応力によるき裂や高温腐食を防止すること。 - 特許庁

Working accuracy of the brace joint at the construction field can be improved, and the lowering of the wall proof stress can be prevented.例文帳に追加

したがって、現場加工であっても筋違仕口の加工精度を高め、壁耐力の低下を防止し得る効果がある。 - 特許庁

Since the vitreous object 18 is arranged in a microwave field 4, the object 18 is crushed by generated thermal stress.例文帳に追加

ガラス物体１８はマイクロ波フィールド４に配置されるので、かかるガラス物体１８は生ずる熱ストレスにより破砕される。 - 特許庁

LIGHT-EMITTING MATERIAL, PIEZOELECTRIC BODY, ELECTROSTRICTIVE BODY, FERROELECTRIC SUBSTANCE, ELECTRIC FIELD LIGHT-EMITTING BODY, STRESS LIGHT-EMITTING BODY, AND METHOD FOR PRODUCING THESE例文帳に追加

発光材料、圧電体、電歪体、強誘電体、電場発光体、応力発光体、及びこれらの製造方法 - 特許庁

To restrain a bias stress effect in an organic field effect transistor, and to control concurrently a threshold voltage to a fixed value.例文帳に追加

有機電界効果トランジスタにおけるバイアスストレス効果を抑えると同時に、しきい値電圧を一定値に制御する。 - 特許庁

The cluster subdividing device 1 has a plurality of magnetic field generators 2A or the like for giving a magnetic field to the object 5 to be frozen and changing the intensity of the magnetic field as time elapses, a magnetic field controller 20 for controlling the intensity of the magnetic field generated by each magnetic field generator, and a minus ion generator 3 for generating minus ion due to the action of stress.例文帳に追加

クラスター細分化装置１は、冷凍対象物５に磁場を与えかつその磁場強度を経時的に変化させる、複数の磁場発生装置２Ａ等と、各磁場発生装置が発生する磁場の強度を制御する磁場制御装置２０と、応力が作用することによりマイナスイオンを発生するマイナスイオン発生装置３とを有する。 - 特許庁

The outside magnetic field is not applied to the stress detection part, and when stress is applied, it outputs output voltage of the same as output voltage of the X axis direction magnetic detection part.例文帳に追加

応力検出部は、外部磁界が加わっておらず、且つ、応力が加わっているときのＸ軸方向磁気検出部の出力電圧と同等の出力電圧を出力する。 - 特許庁

By the impression of any given stress electric field Eox, the time TBD that elapses before an oxide film reaches a dielectric breakdown is measured.例文帳に追加

任意のストレス電界Ｅoxを印加することにより、酸化膜が絶縁破壊（ブレークダウン）に至るまでの時間ＴBD（１）を測定する。 - 特許庁

As shown in (C), because the exponential function-like correspondence between the measured residual magnetic field and the calculated residual stress is shown, the residual magnetism is measured at the position in which the load is applied, and the stress field can be measured with the residual magnetism as the parameter.例文帳に追加

（Ｃ）に示すように、測定残留磁場と計算残留応力との間には指数関数的な対応が見られるため、荷重を加えた位置における残留磁気を測定し、この残留磁気をパラメータとして応力場を測定することができる。 - 特許庁