「STRESS FIELD」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the size B_1 of the magnetic density vector B in each fine region s when the size of a magnetic field is H_0 in the B-H curve when the stress σ is the equivalent stress σξ is determined as the size of magnetic flux density corresponding to the equivalent stress σξ.例文帳に追加

次に、応力σが相当応力σξであるときのＢ−Ｈ曲線において、磁界の大きさがＨ_0のときの各微小領域ｓの磁束密度ベクトルＢの大きさＢ_1を、「相当応力σξに対応する磁束密度の大きさ」として求める。 - 特許庁

A field via 60 being formed on lid plating layers 36a and 36d is subjected to a larger stress during a heat cycle as compared with a field via 160 being formed in a second interlayer resin insulation layer 150.例文帳に追加

蓋めっき層３６ａ、３６ｄの上に形成されるフィルドビア６０は、第２の層間樹脂絶縁層１５０に形成されるフィルドビア１６０よりヒートサイクル時に加わる応力が大きい。 - 特許庁

To provide an electromagnetic field measuring apparatus accurately measuring intensity of an electromagnetic field even if a state of polarization of light propagating in an optical fiber varies owing to stress applied to the optical fiber.例文帳に追加

光ファイバ中を伝搬する光の偏光状態が光ファイバに加わる応力によって変化しても電磁界の強度を精度よく測定することができる電磁界測定装置を提供すること。 - 特許庁

The direct solid propagation of stress generated by the inclined magnetic field coils 3, to the cryostats 21 is thereby prevented to reduce vibration and noise.例文帳に追加

これにより、傾斜磁場コイル3で発生する応力はクライオ21に直接固体伝播することがなく、振動と騒音を低減することができる。 - 特許庁

To prevent the generation of a stress in a field region, and to prevent the induction of a dislocation in an active region in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、フィールド領域でのストレスの発生を防止し、アクティブ領域に転位が誘発されることを防止することにある。 - 特許庁

The magnetostriction film of the magnetostriction element piece is elongated or contracted by the application of a magnetic field whereby a shear stress is generated between the substrate of the magnetostriction element piece and the magnetostriction film.例文帳に追加

磁歪素片の磁歪膜は磁界印加によって伸び又は縮み、磁歪素片の基体と磁歪膜との間でずれ応力が生じる。 - 特許庁

A stress field calculation part 8 performs simulation by applying physical action to the analysis model to analyze action in each finite element 19.例文帳に追加

応力場計算部８は、前記解析モデルに物理的な作用を加えるシミュレーションをし、各有限要素１９に生じる作用を解析する。 - 特許庁

Even if inherent stress is released when the mesa structure 23 is formed, the field plate part 21a of the gate electrode 18 can be prevented from peeled off from the insulating film 19 by the stress, and the high withstand voltage can be attained.例文帳に追加

メサ構造２３を形成する際に内在する応力が開放されても、その応力によりゲート電極１８のフィールドプレート部２１ａが絶縁膜１９から剥離するのを防止でき、高耐圧化が可能になる。 - 特許庁

By increasing a radius of curvature of an edge part of each of the corner parts Rb in place of the structure or by adding to the structure, large stress is hardly generated to avoid the generation of the complicated stress field.例文帳に追加

また、この構造に代えて或いはこの構造に加えて、隅部Ｒｂの縁部分の曲率半径を大きくすることで、大きな応力が生じにくくなり、複雑な応力場を生じることが回避される。 - 特許庁

The whole surface of the substrate other than the region of the surface of the substrate with an n-channel conductive-type field effect transistor and a p-channel conductive-type field effect transistor formed is continuously covered with the film that generates stress.例文帳に追加

ｎチャネル導電型電界効果トランジスタ及びｐチャネル導電型電界効果トランジスタが形成された基板表面の領域以外の基板の全表面を、応力を発生させる膜によって連続的に覆う。 - 特許庁

The application of an electric field to the polysilicon resistance body 15 generates stress therein, and this, due to to piezoelectric effect, causes shifting in the direction of higher resistance or in the direction of lower resistance.例文帳に追加

ポリシリコン抵抗体１５に電界を印加してストレスを生じさせ、ピエゾ抵抗効果により抵抗値が高い方向または低い方向にシフトさせる。 - 特許庁

A field effect transistor manufactured using such an In-Si-Zn-O film can withstand high temperature heat treatment and is effective against -BT stress.例文帳に追加

このようなＩｎ−Ｓｉ−Ｚｎ−Ｏ膜を用いた電界効果トランジスタは、高温の熱処理に耐えられ、かつ、−ＢＴストレスに対し有効である。 - 特許庁

To provide a high-reliability field effect transistor small in threshold voltage variation before and after voltage stress; a method of manufacturing the same; and a semiconductor device.例文帳に追加

電圧ストレス前後でのしきい値電圧変動が少ない高信頼性の電界効果トランジスタ、その製造方法、及び半導体装置を提供すること - 特許庁

With this configuration, since the amount of piezo-potentials generated from stress near the gate electrode becomes constant, the characteristics of the field effect transistor can be made uniform.例文帳に追加

これによって、ゲート電極近傍のストレスにより発生するピエゾ電荷量が一定となるので電界効果型トランジスタの特性を揃えることができる。 - 特許庁

Break of the insulation substrate caused by a concentration of a stress to the chip of the insulation plate 1 and a concentration of an electric field to the projection and the chip are prevented.例文帳に追加

絶縁性基板１の欠けに応力が集中することによる絶縁性基板１の破壊、および突起や欠けへの電界の集中が防止される。 - 特許庁

In magnetic fluid M for filling the clearance L2, shearing stress in a direction orthogonal to a magnetic field is reduced to lower the viscosity with increasing the clearance L2.例文帳に追加

間隔Ｌ２の増大に伴って、間隔Ｌ２を満たす磁性流体Ｍでは、磁界と直交する方向のせん断応力が小さくなり、粘度が低下する。 - 特許庁

To diffuse and reduce the stress generated at the neck part when a magnetic field generating device such as a deflection yoke or the like is fixed to the neck part of a cathode-ray tube.例文帳に追加

陰極線管のネック部に偏向ヨークなどの磁界発生装置を固定されたときにネック部に発生する応力を拡散および低減する。 - 特許庁

A vibrating anisotropic magnetic field is generated by inverse magnetostriction effect due to the stress, induced electromotive force based on the vibration of the anistropic magnetic field is measured by a coil 17, and the effective magnetic field distribution of the magnetic body 10 is obtained from the induced power, a magnetization curve, and a magnetostriction curve.例文帳に追加

応力による逆磁気歪み効果により、振動する異方性磁界が発生し、この異方性磁界の振動に基づく誘導起電力をコイル１７により測定し、誘導起電力と磁化曲線と磁気歪み曲線とから磁性体１０の実効磁界分布を求める。 - 特許庁

A long active region, extending over a plurality of p-channel type field effect transistors is separated by gate electrodes and sufficiently thin STI is arranged between gates so that compressive stress is generated at channel parts of the p-channel type field effect transistors.例文帳に追加

pチャネル型電界効果トランジスタのチャネル部分に圧縮応力が発生するように，複数のトランジスタにまたがる長いアクティブをゲート電極ごとに分断して、ゲート電極とゲート電極の間に十分に細いSTIを配置する。 - 特許庁

To precisely conserve a flow field which applies a shear stress load, by converting a portion contacting with a blood cell to be disposable, when measuring deformability of the blood cell in such the state that the shear stress load is applied to the blood cell.例文帳に追加

試料中の血液細胞にせん断応力負荷を加えた状態で血液細胞の変形能を測定する際に、血液細胞に接触する部分をディスポーザブル化し、せん断応力負荷を与える流れ場が精度よく保持されるようにする。 - 特許庁

To provide a method for raising seedlings capable of harvesting quality and safety crops by enhancing resistivity of the seedlings to the stress such as disease or the like, and suppressing inhibition of growth of the seedlings by the stress of disease or the like after transplanting to a field.例文帳に追加

病害等のストレスに対する苗の抵抗性を高め、圃場に移植した後、病害等のストレスによって苗の生育が妨げられることを抑制して品質の良い安全な作物を収穫可能とする育苗方法を提供する。 - 特許庁

In the negative magnetostrictive material 1 composed of the composite material 4, tensile stress is allowed to remain at -50 to 200°C in a state free from applied magnetic field in the rare- earth alloy 2, and preset load can be applied by means of this residual tensile stress.例文帳に追加

この複合材４からなる負磁歪材料１において、希土類合金２には-50℃〜200℃の範囲の温度でかつ印加磁界がない状態で引張応力が残留しており、この引張の残留応力によりプリセット荷重を付加されている。 - 特許庁

To provide a stress evaluation method and system by surface acoustic wave which can efficiently evaluate stress caused inside a magnetic body by utilizing a leaked oscillating magnetic field caused by transmitting surface acoustic wave on the magnetic body surface.例文帳に追加

磁性体表面に弾性表面波を伝播させることで生じる漏洩振動磁界を利用して、磁性体内部に生じている応力を効率良く評価することができる、弾性表面波による応力評価方法および装置を提供する。 - 特許庁

Then magnetic field size H_0 corresponding to the size B_0 of the magnetic flux density vector B in each fine region s is determined based on the B-H curve in which stress σ is 0.例文帳に追加

次に、各微小領域ｓにおける磁束密度ベクトルＢの大きさＢ_0に対応する「磁界の大きさＨ_0」を、応力σが０のＢ−Ｈ曲線に基づいて求める。 - 特許庁

To effectively suppress electric field stress applied to a corner, while suppressing the thickness of filling materials, even in an electrical insulation bar having a longitudinal surface of a small aspect ratio.例文帳に追加

アスペクト比の小さい縦断面を有する電気絶縁バーにおいても充填物の厚さを抑えつつ角部にかかる電界ストレスを効果的に抑制すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving stress applied to a channel formation region while suppressing deterioration in short-channel characteristics with respect to a field-effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタにおいて、短チャネル特性の劣化を抑制しつつ、チャネル形成領域に与える応力を向上させることが可能な半導体装置を実現する。 - 特許庁

To provide a magnetic resonance imaging apparatus with a tilted magnetic field coil which can suppress crack and deformation by reducing stress caused by the cure shrinkage of a resin.例文帳に追加

樹脂の硬化収縮による応力を低減し、クラックや変形を抑制することが可能な傾斜磁場コイルを備えた磁気共鳴イメージング装置を提供する。 - 特許庁

To prevent fracture of a mask due to local concentration of stress produced in the boundary region between a supporting body and a membrane part when the membrane part of a proximity field exposure photomask bends.例文帳に追加

メンブレン部分が撓む際に支持体とメンブレン部分との境界部分にできる応力が、局所的に集中してマスクが破壊されることを防止する。 - 特許庁

To provide an improved metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) device with stress-inducing structures located at the source and drain (S/D) regions.例文帳に追加

ソースおよびドレイン（Ｓ／Ｄ）領域に位置する応力誘導構造を備えた改良された金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を提供することにある。 - 特許庁

To provide a rotor for superconducting dynamo-electric machine wherein stress on the base side (inner radius side) of tooth portions due to centrifugal force exerted on field winding or circumferential electromagnetic force is reduced.例文帳に追加

界磁巻線に作用する遠心力や周方向電磁力による歯部の基部側（内径側）の応力が低減された超電導回転電機の回転子の提供。 - 特許庁

To prevent occurrence of vibration noise caused by vibration of an optical sheet by the stress due to the change of an electric field generated at an external part at the time of display-driving a liquid crystal display panel.例文帳に追加

液晶表示パネルの表示駆動時に外部に生じる電界の変化で生じる応力によって光学シートが振動し、振動音が発生することを防止する。 - 特許庁

Data of magnetic flux density (H-B curve) in a magnetic field and the iron loss (W-B curve) are stored in a database 3 using the angle θ and a stress σ as parameters.例文帳に追加

磁界に対する磁束密度（Ｈ−Ｂ曲線）及び鉄損（Ｗ−Ｂ曲線）のデータは、角度θと応力σをパラメーターとしてデータベース３に格納しておく。 - 特許庁

In this magnetic field sensor, a magnetostriction material having a magnetic impedance effect is formed into a wire shape and moreover formed into a shape bent so that a stress within an elastic limit remains.例文帳に追加

本発明の磁界センサは、磁気インピーダンス効果を有する磁歪材料をワイヤ状とし、かつ弾性限内の応力が残存するように湾曲させた形状にしている。 - 特許庁

To provide a piezoelectric actuator for a fuel injector of internal combustion engine less susceptible to kinds of faults related to a high local electric field and a concentrated stress.例文帳に追加

高い局所的電場及び応力集中と関連した種類の故障に対して鈍感な、内燃エンジンの燃料インジェクタ用の圧電アクチュエータを提供する。 - 特許庁

A crease is generated on the metal layer by applying a tensile stress or a bending stress to the metal layer, and a period of the crease generated at that time is measured directly on the field by an optical microscope or the like, to thereby easily measure the thickness of the thin metal layer.例文帳に追加

金属層に引張応力又は曲げ応力を加えることにより金属層にシワを生成し、このときに発生したシワの周期を光学顕微鏡などで現場で直接測定することにより薄い金属層の厚さを容易に測定することができる。 - 特許庁

The pressure-sensitive adhesive layer is used in a high-performance adhesive, which is creep-resistant at high temperature, in the field of fastenings which can be statically subjected to stress, and as an adhesive tape configuration.例文帳に追加

該感圧接着剤層は、高温でクリープ抵抗を示す高性能接着剤、および応力に静的にさらされる締結分野や、接着剤テープ構造としても利用される。 - 特許庁

To suppress increase in the magnetic reluctance and turbulent of magnetic field in cores, resulting from deformation of ring-like steel lamina and increase of internal stress in stator of resolver, to an irreducible minimum.例文帳に追加

レゾルバのステータにおけるリング状鋼薄板の変形や内部応力の増大に伴う、コアにおける磁気抵抗の増大や磁界の乱れを必要最小限に抑えること。 - 特許庁

By changing frequency, the voids, residual magnetic field and residual stress in the metal component can be measured on the basis of the average voltage and the phase signal.例文帳に追加

周波数を変化させることで、平均電圧と位相信号に基づいて、金属部品内の空孔率、金属部品内の残留磁界、金属部品内の残留応力が測定できる。 - 特許庁

To effectively apply a stretch stress to a silicon channel region of an N channel insulating gate type field-effect transistor, and further to enhance the mobility of a parasitic transistor.例文帳に追加

Ｎチャネル絶縁ゲート型電界効果トランジスタのシリコンのチャネル領域に引張応力を効果的に印加することを可能とし、また寄生トランジスタの移動度を高めることを可能にする。 - 特許庁

When an electric field is given to an electrolytic layer 4 between a first electrode layer 2 of a first block BK1 and a second electrode layer 3, a bending stress occurs in the first block BK1.例文帳に追加

第１のブロックＢＫ１の第１の電極層２と第２の電極層３との間の電解質層４に電界を与えると、第１のブロックＢＫ１に曲げ応力が発生する。 - 特許庁

The sustained release delivery systems are based on the silk fibroin whose conformation is altered by contacting with methanol, treating with shear stress, treating with an electric field, treating with pressure, or contacting with salt.例文帳に追加

メタノールと接触、剪断（sheer）応力で処理、電場で処理、圧力で処理、又は塩を接触させることによりコンフォメーションを改変した絹フィブロインに基づく徐放性送達システム。 - 特許庁

LINEAR WIND POWER GENERATOR, LINEAR MOTOR HELICOPTER AND IN-WHEEL MOTOR HAVING CAM FOLLOWER FOR HOLDING CLEARANCE BETWEEN ARMATURE AND FIELD MAGNET FACING AXIAL DIRECTION AGAINST STRESS AND LOAD例文帳に追加

アキシャル方向に対向する界磁磁石と電機子との間隙を応力や荷重に抗して保持するためのカムフォロアを有するリニア風力発電装置やリニアモーターヘリコプターやインホイールモーター - 特許庁

We stress the need to create an enabling environment that encourages increased public and private investment in agriculture, and we recognize the important role of public-private partnerships in the field of investment.例文帳に追加

我々は，官民の農業投資の増加を推奨する有効な環境を作り上げる必要性を強調し，投資分野における官民パートナーシップの重要な役割を認識する。 - 経済産業省

When a film is formed by heat treating piezoelectric ceramic at high temperature, inclination (piezoelectric constant d31) of the field vs displacement characteristic curve A increase in the intermediate field region due to tensile stress in the film and a piezoelectric thin film element excellent in piezoelectric characteristics can be obtained.例文帳に追加

圧電性セラミックスを高温熱処理して成膜すると、膜内部の引張応力のために中電界領域における電界対変位特性曲線Ａの傾き（圧電定数ｄ_31）が大きくなり、圧電特性に優れた圧電体薄膜素子を提供することができる。 - 特許庁

To provide a field effect transistor having a small parasitic resistance by suppressing a highly increasing of a resistance caused by an influence of a stress generated in a gate recess region, in the field effect transistor using a group III-V nitride semiconductor having a gate recess structure.例文帳に追加

ゲートリセス構造を有するIII−Ｖ族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、ゲートリセス領域に生じる応力の影響に起因する高抵抗化を抑制し、寄生抵抗が小さい電界効果トランジスタを実現できるようにする。 - 特許庁