Si interfaceとは 意味・読み方・使い方

A part of impurities in an Si substrate region is shifted to an Si/SiO2 interface and arranged to be an impurity pile up.例文帳に追加

Ｓｉ基板領域の不純物の一部をＳｉ／ＳｉＯ_２界面に移動させ，これを不純物パイルアップとして構成する。 - 特許庁

To obtain a high-quality poly-Si film and MOS interface at a low processing temperature.例文帳に追加

低いプロセス温度で高品質のｐｏｌｙ−Ｓｉ膜およびＭＯＳ界面を得る。 - 特許庁

To prevent an insulating film from being formed on an interface between bit lines, a wiring and an Si substrate.例文帳に追加

ビット線および配線とＳｉ基板の界面での絶縁膜の形成を防止する。 - 特許庁

In this way, the hot dip Al-Zn base alloy coated film having the composition containing 30-70 mass% Al, 0.1-1.0 mass% Si, 0.5-2% of Si to Sr, and the thickness of the interface alloy layer at ≤20% of the coated film thickness is formed.例文帳に追加

これにより、Alが30〜70mass％、Siが0.1 〜1.0mass％、SrがSi含有量の0.5 〜２％含有する組成と、界面合金層の厚みがめっき被膜厚の20％以下である溶融Al−Zn系合金めっき被膜が形成される。 - 特許庁

Receiving light at the interface between the Si substrate 1 and the GaN layer 2 generates a photocurrent which flows along the interface between the Si substrate 1 and the GaN layer 2 as a two-dimensional carrier.例文帳に追加

また、Ｓｉ基板１とＧａＮ層２との界面で光を受光すると、光電流が発生するが、光電流は、ＧａＮとＳｉの界面を２次元性キャリアとして流れる。 - 特許庁

The high-k gate insulating layer formed between an Si substrate 11 and a gate electrode 17 comprises an interface layer 15 formed on an interface with the Si substrate 11, and the high-k layer 16 which is formed on the interface layer 15 and has a relative dielectric constant higher than that of the interface layer 15.例文帳に追加

Ｓｉ基板１１とゲート電極１７との間に形成されるhigh-kゲート絶縁膜は、Ｓｉ基板１１との界面に形成された界面層１５と、界面層１５の上に形成され且つ界面層１５よりも比誘電率が高いhigh-k層１６とを有する。 - 特許庁

The high-k gate insulation film formed between an Si substrate 11 and a gate electrode 17 comprises an interface layer 15 formed on an interface with the Si substrate 11, and a high-k layer 16 which is formed on the interface layer 15 and has a high relative permittivity than that of the interface layer 15.例文帳に追加

Ｓｉ基板１１とゲート電極１７との間に形成されるhigh-kゲート絶縁膜は、Ｓｉ基板１１との界面に形成された界面層１５と、界面層１５の上に形成され且つ界面層１５よりも比誘電率が高いhigh-k層１６とを有する。 - 特許庁

When forming the films, the Ti film 7 reacts with the Al-Si alloy film 8 to form an Al-Ti-Si alloy film 11 on the interface thereof, and the Ti film 9 reacts with the Al-Si alloy film 8 to form an Al-Ti-Si alloy film 12 on the interface thereof.例文帳に追加

成膜時にＴｉ膜７とＡｌ−Ｓｉ合金膜８との反応によりそれらの界面にＡｌ−Ｔｉ−Ｓｉ合金膜１１が、Ｔｉ膜９とＡｌ−Ｓｉ合金膜８との反応によりそれらの界面にＡｌ−Ｔｉ−Ｓｉ合金膜１２が形成される。 - 特許庁