「Si interface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The battery comprises an interface layer 16 mainly composed of Si between the negative electrode layer 14 and the solid electrolyte layer 15.例文帳に追加

この電池は、負極層14と固体電解質層15との間に、Siを主成分とする界面層16を備える。 - 特許庁

The second interface layer does not exist in the first interface layer, and includes an additional element different from Si, O, and N.例文帳に追加

第２の界面層は第１の界面層内になくかつＳｉ、Ｏ及びＮと異なる添加元素を有する。 - 特許庁

A part of impurities in an Si substrate region is shifted to an Si/SiO2 interface and arranged to be an impurity pile up.例文帳に追加

Ｓｉ基板領域の不純物の一部をＳｉ／ＳｉＯ_２界面に移動させ，これを不純物パイルアップとして構成する。 - 特許庁

To obtain a high-quality poly-Si film and MOS interface at a low processing temperature.例文帳に追加

低いプロセス温度で高品質のｐｏｌｙ−Ｓｉ膜およびＭＯＳ界面を得る。 - 特許庁

To prevent an insulating film from being formed on an interface between bit lines, a wiring and an Si substrate.例文帳に追加

ビット線および配線とＳｉ基板の界面での絶縁膜の形成を防止する。 - 特許庁

In this way, the hot dip Al-Zn base alloy coated film having the composition containing 30-70 mass% Al, 0.1-1.0 mass% Si, 0.5-2% of Si to Sr, and the thickness of the interface alloy layer at ≤20% of the coated film thickness is formed.例文帳に追加

これにより、Alが30〜70mass％、Siが0.1 〜1.0mass％、SrがSi含有量の0.5 〜２％含有する組成と、界面合金層の厚みがめっき被膜厚の20％以下である溶融Al−Zn系合金めっき被膜が形成される。 - 特許庁

Receiving light at the interface between the Si substrate 1 and the GaN layer 2 generates a photocurrent which flows along the interface between the Si substrate 1 and the GaN layer 2 as a two-dimensional carrier.例文帳に追加

また、Ｓｉ基板１とＧａＮ層２との界面で光を受光すると、光電流が発生するが、光電流は、ＧａＮとＳｉの界面を２次元性キャリアとして流れる。 - 特許庁

The high-k gate insulating layer formed between an Si substrate 11 and a gate electrode 17 comprises an interface layer 15 formed on an interface with the Si substrate 11, and the high-k layer 16 which is formed on the interface layer 15 and has a relative dielectric constant higher than that of the interface layer 15.例文帳に追加

Ｓｉ基板１１とゲート電極１７との間に形成されるhigh-kゲート絶縁膜は、Ｓｉ基板１１との界面に形成された界面層１５と、界面層１５の上に形成され且つ界面層１５よりも比誘電率が高いhigh-k層１６とを有する。 - 特許庁

The high-k gate insulation film formed between an Si substrate 11 and a gate electrode 17 comprises an interface layer 15 formed on an interface with the Si substrate 11, and a high-k layer 16 which is formed on the interface layer 15 and has a high relative permittivity than that of the interface layer 15.例文帳に追加

Ｓｉ基板１１とゲート電極１７との間に形成されるhigh-kゲート絶縁膜は、Ｓｉ基板１１との界面に形成された界面層１５と、界面層１５の上に形成され且つ界面層１５よりも比誘電率が高いhigh-k層１６とを有する。 - 特許庁

When forming the films, the Ti film 7 reacts with the Al-Si alloy film 8 to form an Al-Ti-Si alloy film 11 on the interface thereof, and the Ti film 9 reacts with the Al-Si alloy film 8 to form an Al-Ti-Si alloy film 12 on the interface thereof.例文帳に追加

成膜時にＴｉ膜７とＡｌ−Ｓｉ合金膜８との反応によりそれらの界面にＡｌ−Ｔｉ−Ｓｉ合金膜１１が、Ｔｉ膜９とＡｌ−Ｓｉ合金膜８との反応によりそれらの界面にＡｌ−Ｔｉ−Ｓｉ合金膜１２が形成される。 - 特許庁

Then, when the insulating film is formed, a fluorine terminating part including Si-F bond is formed near the interface between the insulating film and the Si substrate with the F retained on the Si substrate.例文帳に追加

この時、絶縁膜の形成と共に、Ｓｉ基板上に残留したＦにより、絶縁膜と、Ｓｉ基板との界面近くに、Ｓｉ−Ｆ結合を含むフッ素終端部が形成される。 - 特許庁

To enhance power generation efficiency by facilitating to increase optical intensity on the interface of a p-type Si film and an n-type Si film.例文帳に追加

本発明は、該ｐ型Ｓｉ膜とｎ型Ｓｉ膜との界面の光強度を上げやすくして発電効率を高めることを課題とする。 - 特許庁

The interface layer 16 is formed by physical vapor deposition using Si as a vapor deposition material in an atmosphere of a mixed gas prepared by adding oxygen to an inert gas.例文帳に追加

この界面層16は、不活性ガスに酸素を添加した混合ガス雰囲気で、Siを蒸着材料とした物理蒸着により形成される。 - 特許庁

Here, on an interface of the Si monocrystalline substrate and the MgO layer, a Si(100)[110] direction is parallel to a MgO(100)[100] direction.例文帳に追加

ここで、Ｓｉ単結晶基板とＭｇＯ層の界面において、Ｓｉ（１００）［１１０］方向とＭｇＯ（１００）［１００］方向とが平行となっている。 - 特許庁

To prevent cracks from being made in the interface between a Si substrate and a nitride semiconductor of a nitride semiconductor light emitting element using the Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板を使用した窒化物半導体発光素子において、Ｓｉ基板と窒化物半導体との界面におけるクラックの発生を防止する。 - 特許庁

It is preferable that the Si-concentrated region where the concentration of Si in the scale is ≥2.0 times the concentration of Si in the ferrite part comprises ≥60 area % of the interface part of the scale layer.例文帳に追加

前記スケール層の界面部において、スケールのＳｉ濃度が地鉄部のＳｉ濃度の２．０倍以上であるＳｉ濃化領域が６０面積％以上を占めるようにすることがより好ましい。 - 特許庁

A switch interface (SI) register 147 embedded in a memory device manages privilege levels of multiple interfaces.例文帳に追加

メモリデバイスに組み込まれたスイッチインターフェース（ＳＩ）レジスタ１４７は、複数のインターフェースの特権レベルを管理する。 - 特許庁

The Si delta-doped layer compensates for depletion of the electron gas at the interface of the graded layers and adjacent layers.例文帳に追加

Ｓｉデルタ・ドープ層は、傾斜層と隣接層との界面における電子ガスの空乏を補償する。 - 特許庁

To effectively lower an interface level in an interface between an Si substrate and a gate insulating film while suppressing the damage of the Si substrate or a mixture of F in the gate insulating film and a gate oxide film due to an F ion implantation.例文帳に追加

Ｆイオン注入によるＳｉ基板へのダメージや、ゲート絶縁膜、ゲート酸化膜へのＦの混入を抑えつつ、効果的に、Ｓｉ基板と、ゲート絶縁膜との界面における界面準位を低下させる。 - 特許庁

Further, photocurrent is generated when the interface between the n-type Si substrate 1 and the n-type Mg_XZnO layer 2 has received light, however, the photocurrent flows through the interface between Mg_XZnO and Si as a two-dimensional carrier.例文帳に追加

また、ｎ型Ｓｉ基板１とｎ型Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２との界面で光を受光すると、光電流が発生するが、光電流は、Ｍｇ_ＸＺｎＯとＳｉの界面を２次元性キャリアとして流れる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laminated film in which flatness is obtained at an interface between an Si substrate and a metal layer formed adjacent thereto so as to reduce junction leakage at the Si/metal interface in a semiconductor device or the like.例文帳に追加

半導体デバイスなどにおけるＳｉ／金属界面では接合リークを抑制すべく、Ｓｉ基板と、これに隣接して形成される金属層との界面平坦性を確保した半導体積層膜を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a bonding interface between Si having characteristics equal to that attained by hydrophobic bonding by removing an ultra thin interface oxide remaining after hydrophobic wafer bonding between Si.例文帳に追加

Ｓｉ間の親水性ウェハ接合後に残っている極薄の界面酸化物を除去し、疎水性接合で達成されるものに匹敵する特性を有するＳｉ間の接合境界面を形成する方法を提供する。 - 特許庁

The roughness of an interface between the distortion applying layer of SiGe and the distortion semiconductor layer of Si deposited thereon, or an interface between the distortion semiconductor layer of Si and the gate insulating layer on it are reduced to an appropriate value, and MOSFET is formed on the distortion semiconductor layer of Si.例文帳に追加

ＳｉＧｅの歪印加層とその上に堆積されたＳｉの歪半導体層との間の界面、又はＳｉの歪半導体層とその上のゲート絶縁層との間の界面の粗度を適切な値に小さくし、Ｓｉの歪半導体層にＭＯＳＦＥＴを形成する。 - 特許庁

The first single crystal Si layer has an interface with an underlay barrier layer having resistance to Ge diffusion.例文帳に追加

第１の単結晶Ｓｉ層は、Ｇｅ拡散に対する耐性がある下の障壁層との界面を有する。 - 特許庁

At least one superlattice layer having a thickness of approximately 10 nm or smaller is formed at the interface of Si and SiC, or Si and SiGeC-based layer, thus increasing crystallinity further.例文帳に追加

また、ＳｉとＳｉＣまたはＳｉＧｅＣ系層の界面に、厚み１０ｎｍ程度以下の超格子層を１層以上入れることで、結晶性をさらに高くする。 - 特許庁

As a result, the silicon nitride film or the silicon oxide film is interposed between the Si and the SiO_2 on the surface of the SOI layer, so that no interface is generated between the Si and the SiO_2.例文帳に追加

その結果、ＳＯＩ層表面において、ＳｉとＳｉＯ_2との間にシリコン窒化膜若しくはシリコン酸窒化膜が介在し、ＳｉとＳｉＯ_2の界面が生じることはない。 - 特許庁

In a semiconductor device having a low dielectric constant insulating film formed on an insulating film containing Si, an Si-rich layer whose composition is more rich in Si than the chemically logical composition of the material of the insulating film is provided at the interface between the insulating film containing Si and the low dielectric constant insulating film.例文帳に追加

Ｓｉを含む絶縁膜上に形成された低誘電率絶縁膜を有する半導体装置において、このＳｉを含む絶縁膜と低誘電率絶縁膜との界面に、その組成が、絶縁膜の材料の化学論理的組成よりもＳｉ過剰なＳｉリッチ層を設ける。 - 特許庁

The low dark current generation is achieved by quenching interface states by placing a p^+ implant near the silicon-silicon dioxide (Si-SiO_2) interface.例文帳に追加

低い暗電流の生成は、シリコン−二酸化シリコン（Ｓｉ−ＳｉＯ_２）インターフェスの近くにｐ^＋インプラントを実行して、インターフェス状態を消去することによって達成される。 - 特許庁

The low dark current generation is achieved by quenching the interface states by placing a p+ implant near the silicon-silicon dioxide (Si-SiO_2) interface.例文帳に追加

低い暗電流の生成は、シリコン−二酸化シリコン（Ｓｉ−ＳｉＯ_２）インターフェスの近くにｐ^＋インプラントを実行して、インターフェス状態を消去することによって達成される。 - 特許庁

The invention is most effectively used if the Si surface of a bonding interface has a different surface orientation as, for example, the Si surface with (100) orientation is bonded to the Si surface with (110) orientation.例文帳に追加

例えば、（１００）配向を有するＳｉ表面が（１１０）配向を有するＳｉ表面に接合されるときのように、接合境界面のＳｉ表面が異なる表面配向を有するときに、最も有利になるように用いられる。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which a leakage current is not generated on the heterojunction interface of SiGe/Si.例文帳に追加

ＳｉＧｅ／Ｓｉヘテロ接合界面に漏れ電流を生じない半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

A material containing As exists in an interface of the active layer 2 and a single crystal layer of the Si substrate 1, in an island shape.例文帳に追加

この活性層２とＳｉ基板１の単結晶層の界面にＡｓを含む物質が島状に存在している。 - 特許庁

After interface defects each containing at least one of P_b-center, P_b-H, and P_b-D are introduced to an Si/SiO_2 interface 15 at a concentration of ≥0.1%, the interface 15 is nitrified.例文帳に追加

Ｓｉ／ＳｉＯ_2 界面１５に、Ｐ_b 中心、Ｐ_b −Ｈ、及び、Ｐ_b −Ｄの内の少なくとも一つを含む界面欠陥を少なくとも０．１％以上の密度で導入したのち、Ｓｉ／ＳｉＯ_2 界面１５を窒化する。 - 特許庁

Although a high-density defect is introduced into an SiGe epitaxial film 11 from an interface to the Si substrate 10, heat treatment is performed at 700 or 1,200°C to change a through dislocation 12 into a loop dislocation defect 12' near an Si substrate interface.例文帳に追加

ＳｉＧｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥が導入されるが、７００乃至１２００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。 - 特許庁

An interface 76 is formed after a high-quality a-Si layer 78 is deposited at a low rate of deposition on the g-SiN_x film 74, and then an average quality a-Si layer 80 is deposited, which completes the arrangement of the a-Si layers.例文帳に追加

低い堆積速度で高品質のａ−Ｓｉ層７８をｇ−ＳｉＮ_X層７４の上に堆積して界面７６を形成し、次に、高い堆積速度で平均的な品質のａ−Ｓｉ層８０を堆積してａ−Ｓｉ層を完成させる。 - 特許庁

At this point, an a-Si layer of high quality is deposited on a g-SiNx layer at a low deposition rate to form an interface 56, and an a-Si layer of average quality is deposited thereon at a high deposition rate to have the formation of an a-Si layer 58 completed.例文帳に追加

その際は先ず低堆積速度で高品質のａ−Ｓｉ層をｇ−ＳｉＮ_X層上に堆積して界面５６を形成後、高堆積速度で平均的品質のａ−Ｓｉ層を堆積してａ−Ｓｉ層５８を完成させる。 - 特許庁

To provide a crystal Si solar battery electrode that can reduce a resistance for having a sufficient sintering property in a general production process of a crystal Si-type solar battery, and has a small resistance of an interface with a Si substrate at low cost.例文帳に追加

安価で、結晶Ｓｉ型太陽電池の一般的な作製プロセスにおいて十分な焼結性を有するため低抵抗化が実現でき、Ｓｉ基板との間の界面抵抗が少ない結晶Ｓｉ太陽電池用電極を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a leak current is not generated in a hetero-junction interface of SiGe/Si, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ＳｉＧｅ／Ｓｉヘテロ接合界面に漏れ電流を生じない半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This enables flatness to be obtained at the interface between the (100) Si substrate and NiSi polycrystalline film with (111) orientation.例文帳に追加

これによって、（１００）Ｓｉ基板と（１１１）配向のＮｉＳｉ多結晶膜との界面平坦性を確保することができる。 - 特許庁

Thereby, the amount of Si on an interface between the compound semiconductor substrate 10 and an epitaxial layer 14 formed thereon is reduced, resulting a decrease in the electric resistance on the interface.例文帳に追加

これにより、化合物半導体基板１０とその上に形成されるエピタキシャル層１４との間の界面のＳｉが低減され、その結果界面における電気抵抗が低減される。 - 特許庁

Here, the MgO(100) face is grown on the Si(100) face, and as shown in Figure 2(c), on the interface, the Si(100)[110] direction is parallel to the MgO(100)[100] direction.例文帳に追加

ここでは、Ｓｉ（１００）面上においてＭｇＯ（１００）面が成長し、図２（ｃ）に示されるように、界面においてＳｉ（１００）［１１０］方向とＭｇＯ（１００）［１００］方向とが平行となっている。 - 特許庁

To provide means for removing a stain due to n-type impurities such as Si and S, which form in an interface between a substrate and a buffer layer.例文帳に追加

基板とバッファ層の界面に発生するＳｉやＳなどのｎ型不純物による汚染を除去する手段を提供すること。 - 特許庁

An intermediate layer 5 sandwiched by an amorphous Si photoelectric converting layer 4 and a microcrystal Si photoelectric converting layer 6 is a double-layer structure of a positive charge holding aluminum oxide layer 5a having a positive fixed charge in the interface of the amorphous Si photoelectric converting layer 4 side and a negative charge holding aluminum oxide layer 5b having a negative fixed charge in the interface of the opposite side microcrystal Si photoelectric converting layer 6 side.例文帳に追加

非晶質Ｓｉ光電変換層４と微結晶Ｓｉ光電変換層６とに挟まれた中間層５は、非晶質Ｓｉ光電変換層４側の界面に正の固定電荷を持った正電荷保持酸化アルミニウム層５ａ、反対側の微結晶Ｓｉ光電変換層６側の界面に負の固定電荷を持った負電荷保持酸化アルミニウム層５ｂとする２層構造とする。 - 特許庁

Highly dense defects (threading dislocation) 12 are introduced into the Ge epitaxial film 11 from the interface with the Si substrate 10, and the threading dislocation 12 is converted into Rupe rearrangement defects 12' in the vicinity of the Si substrate interface by applying a heat treatment to the Ge epitaxial film 11 at a temperature of 700-900°C.例文帳に追加

Ｇｅエピタキシャル膜１１中にはＳｉ基板１０との界面から高密度の欠陥（貫通転位）１２が導入されるが、Ｇｅエピタキシャル膜１１に７００乃至９００℃の熱処理を施して貫通転位１２をＳｉ基板界面近傍のループ転位状欠陥１２´に変化させる。 - 特許庁

An n-type impurity doped region 1a is formed on an Si substrate 1, and an interface to a GaN layer 2 mainly formed on a part of the Si substrate 1 that has no n-type impurity doped region 1a formed thereon serves as the light-receiving region, so that carriers are separated at this interface.例文帳に追加

Ｓｉ基板１に、ｎ型不純物ドープ領域１ａが形成され、主としてｎ型不純物ドープ領域１ａが形成されていないシリコン基板１上に積層されたＧａＮ層２との界面が受光領域となっており、この界面でキャリアを分離している。 - 特許庁