「Si interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

According to this method, since the mobility of carriers is improved by the displacements of the Si atoms, an enough mobility of the carriers can be obtained even when the concentration of nitrogen present in the vicinity of the interface between the SiON film 3 and the Si substrate 1 is made high.例文帳に追加

この方法によれば、Ｓｉ原子の変位によりキャリアの移動度が向上するため、ＳｉＯＮ膜３のＳｉ基板１との界面近傍の窒素濃度が高くても、十分なキャリアの移動度が得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) whose resistance is low on an interface between a silicide layer and an Si layer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

シリサイド層とＳｉ層との界面における抵抗が低いＭＯＳＦＥＴを備える半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the sheet concentration D_S of Si present in the interface between the semiconductor substrate and the semiconductor thin film is 2.3×10^12 cm^-2 or lower.例文帳に追加

また、半導体基板と半導体薄膜の界面に存在するＳｉのシート濃度Ｄ_ｓが２．３×１０^１２ｃｍ^−２以下となるようにする。 - 特許庁

The interface layer 16 is directly deposited on the uppermost part of a buffer layer 14 before an N-type GaN layer, an N-type Si layer and other parts of an element structure body are grown.例文帳に追加

界面層は、ｎ型（ＧａＮ：Ｓｉ）層と素子構造体のその他の部分とを成長させる前に、バッファ層の最上部に直接堆積される。 - 特許庁

This method can be applied to an interface between an a-Si layer and an active semiconductor layer, and the method can be also applied to a back channel type or an etching stop type TFT.例文帳に追加

この方法はａ−Ｓｉの活性半導体層との界面であれば応用でき、またバックチャンネルエッ型やエッチストップ型ＴＦＴにも応用可能である。 - 特許庁

The glass film preferably exists at an interface between the metal reflecting member and the translucent resin, and it is preferably provided with Si-H bonds.例文帳に追加

ガラス膜は、金属反射部材と透光性樹脂との界面に存在していることが好ましく、さらにＳｉ−Ｈ結合を有していることが好ましい。 - 特許庁

The binder 4 contains at least one kind of metal selected from Cr, Ti, Mn and Si as main component, and an interface reactive layer 5 is formed on the interface of the abrasive grains 3 and the binder 4.例文帳に追加

結合材４はＮｉを主成分としてＣｒ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｓｉのうちの少なくとも１種類の金属を含有しており、砥粒３と結合材４の界面には界面反応層５が形成されている。 - 特許庁

To provide a stable semiconductor device that does not cause Si substrate to be oxidized when a ferroelectric film is formed, can prevent an interface layer from being formed, and does not cause ferroelectric characteristics to deteriorate by the heat treatment of gas containing a hydrogen element.例文帳に追加

強誘電体膜の形成時にSi基板が酸化されず、界面層の形成が防止でき、水素元素を含有したガスの熱処理にも強誘電体特性の劣化が少ない安定な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The method comprises the steps of forming a strained Ge-containing layer on the front surface of an Si-containing substrate, implanting ions into the interface of the Ge-containing layer/the Si-containing substrate or under the interface, and forming the substantially-relaxed SiGe alloy layer, in which the flat surface defect density is decreased.例文帳に追加

本発明の方法は、Ｓｉ含有基板の表面上に歪みＧｅ含有層を形成するステップと、Ｇｅ含有層／Ｓｉ含有基板の界面にまたは界面の下にイオンを注入するステップと、加熱を行って、平面欠陥密度が低下した、実質的に緩和したＳｉＧｅ合金層を形成するステップと、を含む。 - 特許庁

With this configuration, multi-atom layer step of about 3 nm in height are present in parallel each other in the Si wafer before bonding in micro size, and the step acts as a minute degassing hole in nanometer size at the stacked interface, so the gas generated at the interface in thermal process for raising adhesiveness is released effectively outside a wafer.例文帳に追加

上記構成によって、接着前のSiウェーハはミクロに見れば高さが3nm程度の多原子層ステップがお互い平行に存在し、重ね合わせた界面でこのステップがナノメートルサイズの微細なガス抜き穴として働くため、密着を高めるための熱処理時に界面で発生するガスがウェーハ外に効果的に抜ける。 - 特許庁

The single crystal Si substrate 10 and a quartz substrate 20 having carbon concentration of 100 ppm or above are stuck and an external impact is applied to the vicinity of the ion implantation damage layer 11 thus exfoliating an Si crystal film along the hydrogen ion implantation interface 12 of the single crystal Si substrate 10 in the substrates stuck together.例文帳に追加

この単結晶Ｓｉ基板１０と炭素濃度１００ｐｐｍ以上を含有する石英基板２０を貼り合わせ、イオン注入ダメージ層１１近傍に外部衝撃を付与することで、貼り合せ基板の単結晶Ｓｉ基板１０の水素イオン注入界面１２に沿ってＳｉ結晶膜を剥離する。 - 特許庁

The semiconductor layer has a hetero structure that a first layer (SiGe layer 14) containing at least Si and Ge, and a second layer (Si layers 13, 16) having a composition different from the first layer and containing at least an Si are laminated in such a manner that a carbon exists in the interface region between the first layer and the second layer.例文帳に追加

半導体層は、少なくともＳｉおよびＧｅを含む第１層（ＳｉＧｅ層１４）と、前記第１層と異なる組成を有し、かつ少なくともＳｉを含む第２層（Ｓｉ層１３，１６）と、が積層されたヘテロ構造を有し、前記第１層と前記第２層との界面領域に炭素が存在する。 - 特許庁

A material layer near the interface of an a-Si layer is deposited at a low deposition rate, so as to be extremely high in quality, and a material layer distant from the interface is deposited at a high deposition rate to be somewhat lower in quality than the former material layer but sufficiently high in quality.例文帳に追加

ａ−Ｓｉの界面近傍の材料層は極高品質の膜を実現する低堆積速度で堆積され、界面から離れた材料層は多少劣るが高品質膜を形成する高堆積速度で堆積される。 - 特許庁

The bottom insulation film 12A is made of SiON, of which barrier height to the silicon substrate 11 in the channel area 11A is smaller than that between SiO_2 and Si, and an interface between SiON and Si has nitrogen with a composition ratio of ≥9%.例文帳に追加

ボトム絶縁膜１２Ａは、チャネル形成領域１１Ａにおけるシリコン基板１１とのバリアハイトが、ＳｉＯ_２とＳｉとのバリアハイトより低いＳｉＯＮから形成され、このＳｉＯＮとＳｉとの界面は、窒素の組成比が９％以上である。 - 特許庁

The hot-dip aluminized steel plate preferably has an Al-Fe-Si ternary alloy layer with a thickness of ≥0.1 μm, which is formed on an interface between the plated layer and base steel.例文帳に追加

溶融アルミニウムめっき鋼板は、好ましくは厚さ０.１μｍ以上のＡｌ-Ｆｅ-Ｓｉ三元合金層をめっき層／下地鋼の界面に形成している。 - 特許庁

An isolating oxide film 32 is provided, which is formed so that the interface with an active region 34 extends at an angle of 45°±10° to a cleavage plane of a Si substrate 30.例文帳に追加

活性領域３４との境界面が、シリコン基板３０の劈開面方向に対して４５°±１０°の方向に延在するように形成された分離酸化膜３２を備える。 - 特許庁

The interface layer may be intentionally added with n-type or p-type impurities for the purpose of canceling the electrical effect of impurities including the compound semiconductor on the connection interface and oxides existing on the surface of Si.例文帳に追加

この界面層には，接続界面の化合物半導体およびＳｉの表面に存在する酸化物をはじめとする不純物の電気的な影響を相殺する目的でｎ型またはｐ型の不純物が意図的に添加されていても良い。 - 特許庁

To provide equipment and a method of depositing a thin film by chemical vapor deposition which enable obtaining a material having high permittivity (High-k) constituted of a metal oxide thin film on an Si substrate without oxidizing the interface with the Si substrate by small-sized equipment and at a low cost.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に金属酸化薄膜からなる誘電率の高い材料（High-k）をＳｉ基板との界面を酸化することなく小型で、かつ、コスト安に得ることができる化学気相成長法による薄膜堆積装置および堆積方法を提供すること。 - 特許庁

In a semiconductor substrate where an SiGe layer 2 is formed on an Si substrate 1, a crystal defect region 6 or a structure region 6a for facilitating generation or concentration of dislocation is formed on the interface of the Si substrate 1 and the SiGe layer 2.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に、ＳｉＧｅ層２が積層された半導体基板において、Ｓｉ基板１とＳｉＧｅ層２との界面に、転位を発生あるいは集中し易くするための結晶欠陥領域６あるいは構造領域６ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using a large and inexpensive substrate showing the stable characteristics, which also includes a single crystal Si thin film and not generating any variations and fluctuations in the junction strength of the single crystal Si thin film and in the stress working on the junction interface, and also to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ薄膜を有する特性の安定した大型かつ安価な基板であり、単結晶Ｓｉ薄膜の接合強度および接合界面に働く応力にムラやバラツキのない半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which comprises a gate insulation film having a high dielectric constant and a gate electrode which contains a dopant and is made of Si or a material containing Si, and which can prevent the generation of fixed electric charge in an interface between the gate insulation film and the gate electrode, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜及びドーパントを含むＳｉもしくはＳｉを含有する材料のゲート電極を具備し、ゲート絶縁膜とゲート電極の界面に生じる固定電荷を防止する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The channel through which the hole of a PMOS transistor runs is formed by utilizing the discontinuous section of a valence band formed in the interface between an SiGe layer 15p and an Si layer 17p.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタの正孔が走行するチャネルは、ＳｉＧｅ層１５ｐとＳｉ層１７ｐとの界面に生じる価電子帯の不連続部を利用して形成されている。 - 特許庁

For example, the SiGe has Ge of 20% concentration on the substrate interface of Si, Ge of 30 % concentration on the upper end surface of the SiGe film, and a thickness of 400 nm.例文帳に追加

例えば、ＳｉＧｅは、Ｓｉの基板界面において２０％の濃度のＧｅ、ＳｉＧｅ膜の上端面において３０％の濃度のＧｅ、および、４００ｎｍの厚さを有する。 - 特許庁

In addition, a second side wall composed of an oxidation-resistant film is formed to cover the first side wall, an extremely thin SiO_2 film is not formed in an Si interface in a succeeding process.例文帳に追加

さらに、第１のサイドウォールを覆うように耐酸化性膜からなる第２のサイドウォールが形成されるので、後の工程でＳｉ界面に極薄のＳｉＯ_2膜が形成されることはない。 - 特許庁

To provide a semiconductor epitaxial wafer suitable for production of a semiconductor device such as an HEMT, in which Si present in an interface between a substrate and an epitaxial film is effectively inactivated.例文帳に追加

ＨＥＭＴ等の半導体デバイスの作製に好適な、基板とエピタキシャル膜の界面に存在するＳｉが効果的に不活性化された半導体エピタキシャルウエハを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device whereby no damage is caused to an Si substrate, controllability of high melting point metallic silicide (Ti silicide)/Si interface is improved, junction leakage is reduced, thin junction is formed, and thermal stability of a silicide film is improved.例文帳に追加

Ｓｉ基板にダメージを与えることがなくなり、高融点金属シリサイド（Ｔｉシリサイド）／Ｓｉ界面の制御性をよくし、接合リークを低減し、浅い接合形成を可能にし、シリサイド膜の熱的安定性を向上させ得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve the characteristic of a leakage current of stored electrode junction by forming a gate on the upper part of an Si epitaxial layer having a level difference to increase the effective length of a gate channel, and by forming an oxide film only on the interface between an Si epitaxial layer of a lower part of a bit line contact and a semiconductor substrate.例文帳に追加

段差のあるＳｉエピタキシャル層の上部にゲートを形成してゲートチャンネルの有効長さを増加させ、ビットラインコンタクトの下部のＳｉエピタキシャル層と半導体基板の界面にのみ酸化膜を形成することにより、格納電極接合の漏洩電流の特性を改善する。 - 特許庁

A semiconductor device (TFT) includes oxidized low-ohmic resistance Si films 8 disposed on a Si semiconductor film 7 so as to form a channel 11, and a source electrode 9 and a drain electrode 10 which are directly connected to the low-ohmic resistance Si films 8, and comprise an aluminum alloy film containing at least Ni atoms, N atoms and O atoms in the vicinity of the connection interface.例文帳に追加

半導体デバイス（ＴＦＴ）は、チャネル部１１を形成する様にＳｉ半導体膜７上に配設された被酸化のオーミック低抵抗Ｓｉ膜８と、オーミック低抵抗Ｓｉ膜８と直接に接続し、且つ、接続界面近傍に、少なくともＮｉ原子、Ｎ原子及びＯ原子を含むアルミニウム合金膜から成る、ソース電極９及びドレイン電極１０とを有する。 - 特許庁

In an ERP(Event Related Potential) measuring system, a signal Sa transmitted to a visual stimulation section 4 and a signal Sb transmitted to an audible stimulation section 5 are simultaneously taken into a computer 20 via second input interface section 23 and a third input interface section 24 respectively with a brain wave data signal Si.例文帳に追加

ＥＲＰ測定システムにおいて、視覚刺激部４に送られる信号Ｓａを第２の入力インターフェース部２３、聴覚刺激部５に送られる信号Ｓｂを第３の入力インターフェース部２４を介して脳波データ信号Ｓｉとともにコンピュータ２０に同時に取り込む。 - 特許庁

In the semiconductor device having the junction interface where a first conductive type SiGe and a second conductive type Si or SiGe come in contact with each other, the surface concentration of a germanium oxide (GeO^2, GeO) in a portion where the junction interface is exposed outside is suppressed to 1.0×10^15 molecule/cm^2 or less.例文帳に追加

第１導電型のＳｉＧｅと第２導電型のＳｉ又はＳｉＧｅとが相互接触する接合界面を有する半導体装置において、前記接合界面が表面に露出する部分のゲルマニウム酸化物（ＧｅＯ２，ＧｅＯ）の表面濃度を１．０ｘ１０^１５ｍｏｌｅｃｕｌｅ／ｃｍ^２以下に抑える。 - 特許庁

The thickness of the Al layer may be 5 μm or larger and an Fe-Al alloy layer or Fe-Al-Si alloy layer having a thickness of 1 μm or larger exists at the interface between the Al layer and the steel material.例文帳に追加

Ａｌ層の厚みが５μｍ以上であり、Ａｌ層と鋼材との界面に、厚みが１μｍ以上のＦｅ−Ａｌ合金層又はＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金層を有しても良い。 - 特許庁

To provide a Ti-Al alloy combining excellent ductility at the ordinary temperature with excellent high temperature strength characteristic by establishing a unidirectional solidification technique where a single crystal, in which the lamellar interface of a Ti-Al-base alloy containing ≥1 atomic % Si is oriented along the direction of solidification, is grown and acicular or laminar titanium silicides dispersed in the single crystal are refined and oriented in a direction parallel to the lamellar interface.例文帳に追加

Siを１at％以上で含有するTi−Al基合金のラメラ界面が凝固方向に沿って配向した単結晶を育成し、その単結晶中に分散する針状あるいは板状のチタンシリサイドを微細化すると共に、ラメラ界面に平行に配向させる、一方向凝固技術を確立することによって、優れた常温延性および高温強度特性を併せ持つTi−Al系合金を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a large crystal grain can be formed by making the energy absorption distribution of the a-Si layer constant in the transmitting direction at a part where the energy beam is passed a plurality of times and making the solid-liquid interface flat along the optical path thereby realizing lateral epitaxial growth in the a-Si layer.例文帳に追加

さらに、ａ−Ｓｉ層は、そのレーザビームを複数回透過された部分で、透過方向に生じるエネルギー吸収分布を一定にして固液界面を光路に沿った平坦なものとすることにより、ａ−Ｓｉ層における横方向結晶成長を実現して大結晶粒の形成を可能とする。 - 特許庁

To realize a thin film transistor device having a high mobility by providing a technique for grain enlarging (pseudo-single crystal) a low temperature poly-Si thin film as an element material of the thin film transistor device in a state in which the thin film is aligned in an plane-orientation having an optimum lattice structure considering an interface distortion from a substrate and controlling a crystal position.例文帳に追加

薄膜トランジスタ装置の素子材となる低温poly-Si薄膜を、基板との界面歪みを考慮した最適格子構造を持つ面方位に揃えた状態で大粒径化（擬似的な単結晶）し、かつ結晶位置を制御するための技術を提供することで高移動度の薄膜トランジスタ装置を実現することにある。 - 特許庁

The sliding member 12 comprises: an intermediate layer 13 which has a mixed part 14 formed in an interface between a substrate 1 and a Si-containing carbon film 13a formed on the surface of the substrate 1, by implanting ions into the Si-containing carbon film 13a; and the hard carbon film 15 with a predetermined film thickness formed on the surface of the intermediate layer 13.例文帳に追加

基材１の表面に形成したＳｉ含有炭素膜１３ａに対してイオン注入を行い基材１との界面にミキシング部１４を形成させた中間層１３と、中間層１３の表面に所定の膜厚で形成した硬質炭素膜１５とを備えた摺動部材１２とする。 - 特許庁

To provide a gate insulated film which has high specific dielectric const., suppresses gate leakage current to be sufficiently low and forming of a silicon oxide film on a Si substrate interface, and is made of a polycrystalline metal oxide film having a small thickness over the whole of the gate insulated film as converted to a Si oxide film.例文帳に追加

高い比誘電率を有し、ゲートリーク電流を十分低く抑え、また、シリコン基板界面におけるシリコン酸化膜の形成が抑制されてゲート絶縁膜全体としてのシリコン酸化膜換算膜厚が小さい金属酸化物の多結晶膜からなるゲート絶縁膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To avoid forming a natural oxide film on an Si surface, avoid forming an oxide film due to the reaction of Si with a gate insulating film, and eliminate the influence of H and suppress appearance of fixed charges or interface level wherein the gate insulation film uses a film of a material having a higher dielectric constant than that of an Si oxide film.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、ゲート絶縁膜にシリコン酸化膜と比較して誘電率が高い物質の膜を用いる場合、シリコン表面に自然酸化膜が生成されないように、また、シリコンとゲート絶縁膜の反応に起因する酸化膜が生成されないように、更にまた、水素の影響を排除すると共に固定電荷や界面準位の発生を抑止することを可能にしようとする。 - 特許庁

To provide a method for modeling a semiconductor in which impurity pile up on the Si/SiO2 interface can be simulated and electric characteristics dependent on the impurity concentration (e.g. substrate bias dependence) can be analyzed through high speed calculation.例文帳に追加

Ｓｉ／ＳｉＯ_２界面での不純物パイルアップをシミュレーション可能であり，不純物濃度に依存する電気特性（例えば，基板バイアス依存性）を高速計算のもとに解析可能な半導体モデリング方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device 10 as described above, the other side 16 of the Si substrate 12 is provided with an electrode pad 24 via an insulating film 20, and the inclined plane 23 is formed on an interface with the insulating film 20.例文帳に追加

このような半導体装置１０においてＳｉ基板１２の他方の面１６には絶縁膜２０を介して電極パッド２４が設けられ、傾斜面２３は絶縁膜２０との境界面に形成されるようにした。 - 特許庁

Thus, the dangling bond in the gate nitride film 4 is terminated by an Si-F combination to lower an interface level between the gate nitride film 4 and the N-type well layer 2.例文帳に追加

このようにすれば、ゲート窒化膜４の中のダングリングボンドをＳｉ−Ｆ結合によって終端させることができ、ゲート窒化膜４とＮ型ウェル層２との界面における界面準位を低減することができる。 - 特許庁

It is desirable to further incorporate ≤15%, in total, of either or both of Sn and Si into the galvanizing layer, and further, it is desirable to provide a precoating layer containing either or both of Ni and Co to the interface between the galvanizing layer and base steel sheet.例文帳に追加

めっき層に更にＳｎ，Ｓｉの１以上を合計で１５％以下含有すること、更にはめっき層と地鉄の界面にＮｉ，Ｃｏの１以上を含有するプレめっき層を有することが望ましい。 - 特許庁

In the method for fabricating a semiconductor device having a junction interface where first conductivity type SiGe and second conductivity type Si or SiGe touch each other, the junction interface is cleaned, at the part thereof exposed to the surface, with a solution containing hydrofluoric acid and then cleaned with a solution containing sulfuric acid.例文帳に追加

第１導電型のＳｉＧｅと第２導電型のＳｉ又はＳｉＧｅとが相互接触する接合界面を有する半導体装置の作製方法において、前記接合界面が表面に露出する部分を、弗化水素酸を含む溶液で洗浄し、その後、硫酸を含む溶液で洗浄する。 - 特許庁

In the galvanized steel sheet in which a galvanized layer is formed on the surface layer of the base steel sheet containing, by mass, 0.05 to 2.5% Si and 0.2 to 3% Mn via an iron plated layer, oxides containing Si and/or Mn are discontinuously dispersed in the vicinity of the interface between the base steel sheet and the iron plated layer.例文帳に追加

質量％でＳｉ：０．０５〜２．５％およびＭｎ：０．２〜３％を含有する素地鋼板の表層に鉄めっき層を介して溶融亜鉛めっき層が形成された溶融亜鉛めっき鋼板であって、素地鋼板と鉄めっき層の界面近傍に、Ｓｉおよび／またはＭｎを含有する酸化物が、不連続的に分散していることを特徴とする。 - 特許庁

The silicon nitride(SiN) regions 40 filling the role of the barriers for obstructing the thermal diffusion of substrate impurities of a MOSFET in STI region formed by ion implantation of nitrogen(N) are held by Si substrate 31 near the interface between STI structured buried-in oxide films 34 and the Si substrate 31.例文帳に追加

ＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４とＳｉ基板３１との界面近傍のＳｉ基板３１中に、窒素（Ｎ）のイオン注入によって形成され、ＭＯＳＦＥＴの基板不純物がＳＴＩ領域中へ熱拡散するのを阻止するためのバリアとして働く窒化シリコン（ＳｉＮ）領域４０を介在させたことを特徴としている。 - 特許庁

An HfSiON gate insulating film 5 is formed through an interface layer 4 on a p-type Si substrate, and for example, SF_6 gas is sprayed to the surface to introduce F for introducing a halogen element so that a halogen element region 7 can be formed.例文帳に追加

ｐ型Ｓｉ基板上に界面層４を介してＨｆＳｉＯＮゲート絶縁膜５を形成し、その表面に例えばＳＦ_6ガスを吹き付けてＦを導入する等してハロゲン元素を導入し、ハロゲン元素領域７を形成する。 - 特許庁