「Si interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a highly reliable semiconductor device, in which peel of a wiring film does not occur at the interface between a titanium system metal wiring layer and an insulating film of the semiconductor device that includes the insulating film containing an Si-F group and the titanium system wiring layer.例文帳に追加

Ｓｉ−Ｆ基を含む絶縁膜とチタン系金属配線層を含む半導体装置のチタン系金属配線層と絶縁膜との界面において、配線膜の剥がれが生じない信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

The interface modifying molecule has a nearly-disc-shaped skeleton part composed of a π-electron conjugated system, and a side chain part, and a surface forming the skeleton part is arranged nearly parallel to the surfaces of both the electrodes, and covalently bonded with Si of both the electrodes in the side chain part.例文帳に追加

界面修飾分子はπ電子共役系からなる略円盤状の骨格部と側鎖部を有し、骨格部のなす面が両電極の面に略平行に配置され、側鎖部において両電極のＳｉに共有結合されている。 - 特許庁

In a thin film transistor on a glass substrate, the number of atoms is set at 3×1011/cm2 or less for any impurity element existing on the interface between the channel region 13a of a p-Si thin film 13 and a gate insulation film 14.例文帳に追加

ガラス基板上の薄膜トランジスタにおいて、ｐ−Ｓｉ薄膜１３のチャネル領域１３ａとゲート絶縁膜１４との界面に存在する不純物元素のいずれについても、その原子数量が１ｃｍ^2当たり３×１０^11個以下とする。 - 特許庁

By this Ge ion injection, the Ge bonding state of the Ge epitaxial film 11 in the vicinity of the interface with the Si substrate is collapsed to form an amorphous region 13, while maintaining the single crystal property of the surface region of the Ge epitaxial film.例文帳に追加

このＧｅイオン注入により、Ｇｅエピタキシャル膜表面領域の単結晶性を維持しつつ、Ｓｉ基板１０との界面近傍のＧｅエピタキシャル膜１１のＧｅ結合状態が崩れてアモルファス領域１３が形成されることとなる。 - 特許庁

The Si film 5 is formed on the metallic film, and the metallic silicide film 4 is formed by a siliciding reaction from the gate insulating film 3 for a gate electrode, thus resulting in no concentration of impurity ions on an interface between the gate electrode and the gate insulating film 3.例文帳に追加

金属膜の上にＳｉ膜５を形成し、ゲート電極のゲート絶縁膜３側からのシリサイド化反応により金属シリサイド膜４を形成するため、不純物イオンがゲート電極とゲート絶縁膜３との界面に濃縮することが無い。 - 特許庁

After an AlN buffer layer 12 and a GaN layer 13 are grown sequentially on a sapphire substrate 11 by MOVPE, Si ions are implanted into an ion implantation region 14 centering the vicinity of interface between the sapphire substrate 11 and the growth layer.例文帳に追加

サファイア基板１１上にＡｌＮ緩衝層１２とＧａＮ層１３をＭＯＶＰＥ法により順次成長させた後、サファイア基板１１と成長層との界面付近を中心としたイオン注入領域１４にＳｉのイオン注入を行う。 - 特許庁

The semiconductor structure forming method comprises a step of providing an Si substrate 10 having a surface, a step of forming an interface involving an adjacent seed layer 18 on the surface of the Si substrate 10, a step of forming a buffer layer 20 utilizing molecules of O, and a step of forming one or more high permittivity oxide layers 22 on the buffer layer 20 utilizing active O.例文帳に追加

半導体構造を作成する方法は：表面１２を有するシリコン基板１０を設ける段階；シリコン基板１０の表面１２上に隣接するシード層１８を含むインタフェースを形成する段階；分子酸素を利用してバッファ層２０を形成する段階；および活性酸素を利用してバッファ層２０上に１つ以上の高誘電率酸化物層２２を形成する段階；を備える。 - 特許庁

To provide a high-tensile-strength hot-dip galvannealed steel sheet superior in powdering resistance by controlling a form of an interface between a plated metal and a base metal, in a Si-containing steel which has been difficult to have both of adequate surface quality and workability with a conventional technology.例文帳に追加

従来の技術では、良好な表面性状と加工性を両立することが困難であったＳｉ含有鋼において、めっき／母材界面の形状を制御することで、耐パウダリング性に優れた高張力合金化溶融亜鉛めっき鋼板を提供する。 - 特許庁

To enable an optical spectroscopic measurements, such as of Raman scattering, at a spatial resolution exceeding a diffractive limit, with regard to a sample having a structure that two types of optically-different materials, such as Si, SiO_2 contact each other via an interface.例文帳に追加

本発明の目的は、ＳｉとＳｉＯ_２などの光学的に異なる２種の物質が境界面を介して接している構造をもつ試料について、回折限界を超える空間分解能でラマン散乱などの光学的分光測定を可能にすることにある。 - 特許庁

To provide a thin film evaluation method whereby a film characteristic and a structure of an Si substrate / insulation film interface can be measured by having only to form an insulating thin film such as a gate insulating film so as to feed back the measured result to a film forming condition of the insulating thin film in a short period of time.例文帳に追加

ゲート絶縁膜など絶縁薄膜を形成するのみで、その膜特性やＳｉ基板／絶縁膜界面の構造を測定できるようにし、短期間で絶縁薄膜の成膜条件に対するフィードバックをかけることができるようにする。 - 特許庁

A heat treatment method irradiates emission light from a Xe flash lamp, which serves as a heat source, to a test sample having an interface of a semiconductor substrate 15 including an insulating film containing oxygen, and Si, while at least part of ultra violet rays in the emission light is removed to carry out heat treatment.例文帳に追加

加熱源となるＸｅフラッシュランプの放出光を、前記放出光の内の紫外線の少なくとも一部を除去した状態で酸素を含む絶縁膜とＳｉを含む半導体基体との界面を有する試料に照射して熱処理を行う。 - 特許庁

The halogen elements are introduced so that Hf atoms or Si atoms on the surface of the HfSiON gate insulating film 5 are terminated, and an electrically satisfactory interface is formed between the HfSiON gate insulating film 5 and the PolySi gate electrode 6.例文帳に追加

ハロゲン元素が導入されることで、ＨｆＳｉＯＮゲート絶縁膜５表面のＨｆ原子やＳｉ原子は終端され、ＨｆＳｉＯＮゲート絶縁膜５とＰｏｌｙＳｉゲート電極６との間に電気的に良好な界面が形成されるようになる。 - 特許庁

The negative electrode active material layer 22B contains Si, Sn or their alloy, and is formed by a vapor phase method, a liquid phase method, or a sintering method, and is alloyed with the negative electrode current collector 22A in at least one part of interface with the negative electrode current collector 22A.例文帳に追加

負極活物質層２２Ｂは、Ｓｉ，Ｓｎあるいはこれらの合金を含み、気相法，液相法または焼結法で形成されたものであり、負極集電体２２Ａとの界面の少なくとも一部において負極集電体２２Ａと合金化している。 - 特許庁

The negative electrode active material layer 22B contains Si or its alloy and is formed by the gas phase method, liquid phase method or sintering method, and it is preferable that at least part of the interface to the negative electrode collector 22A is alloyed with the negative electrode collector 22A.例文帳に追加

負極活物質層２２Ｂは、Ｓｉあるいはこの合金を含み、気相法，液相法または焼結法で形成されたものであり、負極集電体２２Ａとの界面の少なくとも一部において負極集電体２２Ａと合金化していることが好ましい。 - 特許庁

This semiconductor device has a film whose main component being silicon, and an aluminum alloy film directly connected with a film whose main component being silicon, e.g., an ohmic low resistance Si film 8 and containing at least Al, Ni, and N near the connection interface, e.g., a source electrode 9 or a drain electrode 10.例文帳に追加

半導体デバイスは、シリコンを主成分とする膜と、シリコンを主成分とする膜、例えば、オーミック低抵抗Ｓｉ膜８と直接接続し、接続界面近傍に、少なくともＡｌ、Ｎｉ、及びＮを含むアルミニウム合金膜、例えば、ソース電極９またはドレイン電極１０と、を有する。 - 特許庁

When applying thermocompression bonding onto a glass substrate 11 and a metal wiring material 12, Si on the surface of the glass substrate 11 and alkoxyl group (OR) of disulfide silane terminal modified with hydrophobic silica 14 are reacted each other on an interface between a glass substrate 11 and an anisotropic conductive material 13, and they are chemically bonded to each other.例文帳に追加

ガラス基板１１と金属配線材１２とを熱圧着させると、ガラス基板１１と異方性導電材料１３との界面において、ガラス基板１１表面のＳｉと疎水シリカ１４に修飾されたジスルフィドシラン末端のアルコキシル基（ＯＲ）とが反応し、化学結合する。 - 特許庁

However, in this case, Si of high concentration is deposited on the P-clad layer and a P-clad layer interface directly below the oxide film, these layers are turned into N-type, positive holes which flowed into a P-block layer are injected effectively into the active layer, and a semiconductor laser having superior oscillation characteristic can be realized.例文帳に追加

ただし、この場合ｐクラッド層と酸化膜直下のｐクラッド層界面には高濃度のＳｉが析出し、ｎ転しｐブロック層に流れ込んでいた正孔が有効に活性層に注入され、良好な発振特性を有する半導体レーザを実現できる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a photoelectric transducer, with which deterioration in the film quality of a P layer can be suppressed, by inhibiting the drawing out of hydrogen by P-type impurities in an a-Si film, ensuring excellent interface characteristics with a light-transmitting metallic oxide layer.例文帳に追加

透光性金属酸化物層と良好な界面特性を確保しながら、ａ−Ｓｉ膜中におけるｐ型不純物による水素の引き抜きを抑制してｐ層の膜質低下を抑えることができる光電変換素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The negative electrode active material layer 14B contains Si or its alloy and is formed by the gas phase method, liquid phase method or sintering method, and it is preferable that at least part of the interface with the negative electrode collector 14A is alloyed with the negative electrode collector 14A.例文帳に追加

負極活物質層１４Ｂは、Ｓｉ，Ｓｎあるいはこれらの合金を含み、気相法，液相法または焼結法で形成されたものであり、負極集電体１４Ａとの界面の少なくとも一部において負極集電体１４Ａと合金化していることが好ましい。 - 特許庁

The negative electrode active material layer 14B contains Si or its alloy and is formed by the gas phase method, liquid phase method or sintering method, and it is preferable that at least part of the interface to the negative electrode collector 14A is alloyed with the negative electrode collector 14A.例文帳に追加

負極活物質層１４Ｂは、Ｓｉ，Ｓｎあるいはこれらの合金を含み、気相法，液相法または焼結法で形成されたものであり、負極集電体１４Ａとの界面の少なくとも一部において負極集電体１４Ａと合金化していることが好ましい。 - 特許庁

Next, ions are implanted into the structure, the ions forming defects by which mechanical decoupling is achieved at the interface or vicinity of the interface; then a heating step is performed to the structure including the implanted ions, by which mutual diffusion of Ge through the first single crystal Si layer and SiGe layer is achieved; thereby a SiGe layer that is substantially relaxed single crystal and homogenous is formed on the barrier layer.例文帳に追加

次に、界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を形成することができるイオンが構造内に注入され、その後、注入されたイオンを含む構造に、第１の単結晶Ｓｉ層およびＳｉＧｅ層を通るＧｅの相互拡散を可能にする加熱ステップを施して、障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶であり均質のＳｉＧｅ層を形成する。 - 特許庁

The information recording medium has an oxide dielectric layer containing an oxide D1 (D1 is an oxide having at least one element selected from Zr, Hf, Y, In, Al, Ti, Cr and Si) and an oxide D2 (D2 is an oxide having at least one element selected from Sb, Sn, Te and Bi) as a second interface layer 14 and a first interface layer 16.例文帳に追加

酸化物Ｄ１（但し、Ｄ１はＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｔｉ、ＣｒおよびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）および酸化物Ｄ２（但し、Ｄ２はＳｂ、Ｓｎ、ＴｅおよびＢｉより選ばれる少なくとも一つの元素を有する酸化物）を含む酸化物誘電体層を第２界面層１４および第１界面層１６として備えることを特徴とする情報記録媒体。 - 特許庁

The substrates under the state stuck together are then heated at a relatively low temperature of 120-250°C (not exceeding the melting point of a supporting substrate), and an external impact is applied thereto thus exfoliating a silicon crystal film along the hydrogen ion implantation interface 12 of the single crystal Si substrate 10 in the substrates stuck together after heat treatment.例文帳に追加

貼り合わせた状態の基板を１２０℃以上２５０℃以下（但し、支持基板の融点を超えない温度）の比較的低い温度で加熱し、さらに、外部衝撃を付与することで、熱処理後の貼り合せ基板の単結晶Ｓｉ基板１０の水素イオン注入界面１２に沿ってＳｉ結晶膜を剥離する。 - 特許庁

The method for strengthening the interface of a carbon material is provided to form Si-C covalent bonds, and includes: (a) a step for producing a silicon-carbon material mixture by mixing silicon nanoparticles and a carbon material; and (b) a step for subjecting the silicon-carbon material mixture to a high frequency induction heating treatment.例文帳に追加

本発明の方法は、Ｓｉ−Ｃ共有結合を形成するための方法であり、前記方法が：（ａ）シリコンナノ粒子と炭素材料を混合してシリコン−炭素材料混合物を製造するステップ；及び（ｂ）前記シリコン−炭素材料混合物を、高周波誘導加熱処理するステップを含む。 - 特許庁

The phase change type optical recording medium has: a recording film 13 wherein reversible phase changes between a crystalline phase and an amorphous phase occur under irradiation with light; and interface films 12 and 14 formed in contact with at least one surface of the recording film 13 and containing hafnium (Hf), silicon (Si), oxygen (O) and carbon (C).例文帳に追加

光照射により結晶質と非晶質との間で可逆的な相変化を起こす記録膜１３と、前記記録膜１３の少なくとも一方の面に接して形成された、ハフニウム（Ｈｆ）、珪素（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、および炭素（Ｃ）を含有する界面膜１２，１４とを有する相変化光記録媒体。 - 特許庁

To improve a problem resulting from a defect at the interface between an insulation layer and a SiGe crystal layer not to give adverse effect on the leak current characteristic in a MIS type field effect transistor in which a strain Si layer joined with the SiGe crystal layer formed on an insulation layer is used for channel layer.例文帳に追加

本発明では絶縁層上に形成されたＳｉＧｅ結晶層に接合するひずみＳｉ層をチャネル層に用いるＭＩＳ型電界効果トランジスタにおいて、絶縁層とＳｉＧｅ結晶層との界面の欠陥等に起因する問題が、リーク電流特性等に悪影響を与えないよう改良する。 - 特許庁

By filming the reaction-proofing layer composed of SiC or AlN, for example, having a fusing point or thermal resistance higher than that of the semiconductor crystal A on the base wafer (Si wafer), even if the crystal A is grown at a high temperature for a long time, the high temperature reaction part is not formed near a silicon interface.例文帳に追加

下地基板（Ｓｉ基板）上に半導体結晶Ａよりも融点又は耐熱性が高い例えばＳｉＣやＡｌＮ等より成る反応防止層を成膜すれば、結晶Ａを長時間高温で結晶成長させる場合においても、シリコン界面付近に高温反応部が形成されない。 - 特許庁

In the semiconductor epitaxial wafer formed by epitaxially growing a semiconductor thin film on a semiconductor substrate, a ratio of sheet concentration D_C/D_S by a secondary ion mass spectrometry (SIMS) of carbon (C) and silicon (Si) present in the interface between the semiconductor substrate and the semiconductor thin film is 20 or higher.例文帳に追加

半導体基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させてなる半導体エピタキシャルウェハにおいて、半導体基板と半導体薄膜の界面に存在する炭素（Ｃ）及びケイ素（Ｓｉ）の二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Secondary Ion Mass Spectrometry）によるシート濃度の比Ｄ_ｃ／Ｄ_ｓが２０以上となるようにする。 - 特許庁

It is desirable that the negative electrode active material layer 22B contains Si, Sn or an alloy of these, and are formed by vapor growth method, liquid phase method or sintering method, and it is desirable that the negative electrode active material layer is alloyed with the negative electrode current collector 22A at least at a part of interface between the negative electrode current collector 22A and itself.例文帳に追加

負極活物質層２２Ｂは、Ｓｉ，Ｓｎあるいはこれらの合金を含み、気相法，液相法または焼結法で形成されたものであることが好ましく、また、負極集電体２２Ａとの界面の少なくとも一部において負極集電体２２Ａと合金化していることが好ましい。 - 特許庁

This ferrite magnetic layer is composed of 40 to 50 mol% Fe2O3, 15 to 35 mol% ZnO, 0 to 20 mol% Cu, and NiO and inevitable impurities for the rest, and an area having 5 mol% CuO, or lower density is formed in the ferrite magnetic layer nearby the interface contacting the top surface of the Si substrate.例文帳に追加

フェライト磁性層の組成がＦｅ_2Ｏ_3：４０〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１５〜３５ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０〜２０ｍｏｌ％、Ｂｉ_2Ｏ_3：０〜１０ｍｏｌ％、残部はＮｉＯ及び不可避不純物からなる磁性槽のＳｉ基板表面に接する界面近傍のフェライト磁性層にＣｕＯ濃度が５ｍｏｌ％以下の領域を形成する。 - 特許庁

The substrate for the power module has the circuit layer 2a formed on a top surface of a ceramic substrate 1 by etching an aluminum layer 2 bonded thereupon, and is characterized in that the circuit layer 2a contains 0.7 to 1.2 wt.% Si within a range of ≤200 μm from its bonding interface 6 with the ceramic substrate 1.例文帳に追加

セラミックス基板１の表面に、その上に接合したアルミニウム層２のエッチングにより回路層２ａを形成してなるパワーモジュール用基板であって、前記回路層２ａは、その前記セラミックス基板１との接合界面６から２００μｍ以内のＳｉの含有量が０．７ｗｔ％以上１．２ｗｔ％以下とされていることを特徴とする。 - 特許庁

The multilayer ceramic capacitor includes a plurality of dielectric ceramic layers and a plurality of internal electrodes formed along a particular interface between the dielectric ceramic layers, and each dielectric ceramic layer includes a dielectric ceramic containing a perovskite compound represented by ABO_3 as a principal component and R (R is La and the like), M (M is Mn and the like) and Si as accessory components.例文帳に追加

複数の誘電体セラミック層および誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成された複数の内部電極を備え、誘電体セラミック層が、ＡＢＯ_３で表わされるペロブスカイト型化合物を主成分とし、副成分として、Ｒ（Ｒは、Ｌａ等）、Ｍ（Ｍは、Ｍｎ等）およびＳｉを含む、誘電体セラミックからなる。 - 特許庁

To provide a light emitting element which is sufficiently reducible in element series resistance on a sticking interface and can improve its switching response even when a sticking surface side of a light emission layer part and a transparent conductive semiconductor substrate become (n) types and an InGaP intermediate layer formed on the sticking surface side is made into an (n) type through Si doping.例文帳に追加

発光層部と透明導電性半導体基板との貼り合せ面側がｎ型となり、貼り合せ面側に形成するＩｎＧａＰ中間層がＳｉドーピングによりｎ型とされる場合においても、貼り合せ界面における素子直列抵抗を十分に低減でき、またそのスイッチング応答性も図ることができる発光素子を提供する。 - 特許庁

The gas barrier film has a polypropylene film having a tuning molecular chain with a structure of -O-Si-Oas the major skeleton which has been introduced into the carbons (C) present in the surface through the above oxygen (-O-), and a SiOx thin film formed on the surface of this tuning molecular chain-introduced polypropylene film and bonded to the above tuning molecular chain at the interface of the above film.例文帳に追加

表面の炭素（Ｃ）に主骨格が−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−の構造を持つチューニング分子鎖を前記酸素(−Ｏ−)を介して導入されたポリプロピレンフィルムと、このポリプロピレンフィルムのチューニング分子鎖が導入された表面に形成され、前記フィルムとの界面で前記チューニング分子鎖と結合されたＳｉＯ_x薄膜とを備えたことを特徴とする - 特許庁

To compensate an oxygen defect in a Ta2O5 film and to minimize the formation of an oxide film at the interface between the Ta2O5 film and an Si substrate during a heat treatment process for crystallizing the Ta2O5 film, and to minimize the diffusion of impurity elements in a channel doped region in a semiconductor device having the Ta2O5 film as a gate insulating film.例文帳に追加

Ｔａ_2 Ｏ_5 膜をゲート絶縁膜として有する半導体装置において、前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜中の酸素欠損を補償し、またこれを結晶化させる熱処理工程の際に前記Ｔａ_2 Ｏ_5 膜とＳｉ基板との界面において生じる酸化膜の形成を最小化し、またチャネルドープ領域中の不純物元素の拡散を最小化する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an interlayer insulation film 36 formed above a semiconductor substrate 10, the conductor 50 containing Cu formed in the interlayer insulation film 36, and a barrier metal film 46 formed between the interlayer insulation film 36 and the conductor 50 and formed of a multilayer film of a Ti film 42 and a Ta film 44, and an interface layer 54 containing Ti and Si is formed on the surface of the conductor 50.例文帳に追加

半導体基板１０の上方に形成された層間絶縁膜３６と、層間絶縁膜３６内に形成されたＣｕより成る配線５０と、層間絶縁膜３６と配線５０の間に形成され、Ｔｉ膜４２とＴａ膜４４との積層膜より成るバリアメタル膜４６とを有し、配線５０表面に、ＴｉとＳｉとを含む界面層５４が形成されている。 - 特許庁