Threshold potentialとは 意味・読み方・使い方

A second comparator 38 compares a threshold potential higher than the initial value potential by 50mV with the output potential from the amplifier 14.例文帳に追加

同様に、第２コンパレータ３８は、初期値電位よりも５０ｍＶ高い閾値電位と増幅器１４からの出力電位とを比較する。 - 特許庁

For example, a power drive pulse DSL is set to the first potential Vcc at a threshold correction operation time, and to a third potential Vmid between the first potential Vcc and a second potential Vss in the interval period.例文帳に追加

たとえば、閾値補正動作時の電源駆動パルスDSL を第１電位Ｖccに設定し、間隔期間は第１電位Ｖccと第２電位Ｖssの間の第３電位Ｖmid に設定する。 - 特許庁

The interface circuit 1 is provided with a comparing part 10 which compares the potential of the DQS signal with the threshold potential VREFH of a potential different from the intermediate potential VM.例文帳に追加

インターフェース回路１は、ＤＱＳ信号の電位を、中間電位ＶＭとは異なる電位の閾値電位ＶＲＥＦＨと比較する比較部１０を備えている。 - 特許庁

The calculation means calculates a threshold level during photographing operation by referring to the threshold level, and when the comparison means determines that the potential level exceeds the threshold level, the controlling means changes the potential level to the threshold level.例文帳に追加

算出手段は、撮影動作中に、電位レベルを参照して閾値レベルを算出し、比較手段により電位レベルが閾値レベルを超えると判断されたとき、制御手段は、電位レベルを前記閾値レベルに置き替える。 - 特許庁

Upon the electric potential of the membrane exceeding a threshold, a spike signal is generated.例文帳に追加

膜電位がしきい値を超えたことに応じて、スパイク信号が生成される。 - 特許庁

A determination potential correcting circuit 23 corrects a determination potential based on threshold values of the memory cells MC2 to MC4.例文帳に追加

判定電位補正回路２３は、メモリセルＭＣ２〜ＭＣ４が持つしきい値に基づいて判定電位を補正する。 - 特許庁

A first comparator 36 compares a threshold potential lower than an initial value potential by 50mV before engine start with an output potential from an amplifier 14.例文帳に追加

第１コンパレータ３６は、エンジン始動前の初期値電位よりも５０ｍＶ低い閾値電位と増幅器１４からの出力電位とを比較する。 - 特許庁

A control circuit adds a value obtained by adding a particular potential stored in a particular potential storage to a threshold stored in an adjacent memory cell threshold storage to a gate potential of the source line side depletion-type FET, in the read operation.例文帳に追加

制御回路は、読み出し時に、隣接メモリセル閾値記憶部に記憶された閾値に特定電位記憶部に記憶された特定電位を足した値を、ソース線側デプレッションタイプＦＥＴのゲート電位に加える。 - 特許庁