threshold potentialsとは 意味・読み方・使い方

The two-dimensional coordinates obtained through the coordinate detection processing are outputted only when one of both potentials detected before and after the coordinate detection processing is higher than a prescribed threshold level.例文帳に追加

座標検出処理の前後の時点の前記検出電位ＶＰ３がどちらも予め定める閾電位以上である場合だけ、該座標検出処理で得られた２次元座標を出力する。 - 特許庁

A capacitance means 105 holds electric charges equal to the threshold value of a TFT 104, and when a signal is inputted, the gate electrode of a TFT 101 is applied with a sum of the potentials of the input signal and the threshold value held by the capacitance means 105.例文帳に追加

容量手段１０５において、ＴＦＴ１０４のしきい値に等しい電荷を保持し、信号の入力があったとき、ＴＦＴ１０１のゲート電極には、入力信号の電位に容量手段１０５に保持されているしきい値を加えた電位が与えられる。 - 特許庁

When the potentials are higher than threshold voltages of the switching elements Q31 to Q3n, outputs of comparators CP1 to CPn are inverted and the states at this time are latched by latch circuits LC1 to LCn and stored in a data register 11.例文帳に追加

前記電位がスイッチング素子Ｑ31〜Ｑ3nのスレッショルド電圧以上であれば、コンパレータＣP1〜ＣPnの出力が反転し、この時の状態がラッチ回路ＬＣ1 〜ＬＣn においてラッチされ、データレジスタ１１に格納される。 - 特許庁

Prior to threshold correcting operation, the sampling transistor 125 and initialization transistor 126 are both turned on in a time zone where an initialization potential Nini is supplied to the sampling transistor 125 and to the initialization transistor 126 to thereby initialize potentials of the gate and source of the driving transistor 121.例文帳に追加

閾値補正動作に先立って、サンプリングトランジスタ１２５および初期化トランジスタ１２６に初期化電位Ｎini が供給されている時間帯で両者をオンさせることで、駆動トランジスタ１２１のゲートとソースの電位を初期化する。 - 特許庁

The bias generation circuit 31 generates the bias potential pg1 to reflect one or both of a fluctuation in a potential difference between the first and second driving potentials and a fluctuation in the threshold voltage of the FET constituting the cross feedback circuit of each memory cell.例文帳に追加

バイアス生成回路３１は、第１及び第２の駆動電位間の電位差の変動及び各メモリセルの交差帰還回路を形成するＦＥＴの閾値電圧の変動の一方または双方を反映するようにバイアス電位ｐｇ１を生成する。 - 特許庁

The driving circuit is provided with a detection circuit (21) for detecting the threshold value of the cell transistor in a verifying operation, a storage circuit (22) for storing the detected threshold value, and a potential setting circuit (23) for setting the wirings (BL) to 3 or more potentials (V1 to V3) in a writing operation subsequent to the verifying operation.例文帳に追加

そして、駆動回路は、ベリファイ動作においてセルトランジスタのしきい値を検知する検知回路（２１）、検知されたしきい値を記憶する記憶回路（２２）、及び記憶回路に記憶されたしきい値に基づき、ベリファイ動作に続く書き込み動作において配線（ＢＬ）の電位を３つ以上の電位（Ｖ１〜Ｖ３）に設定する電位設定回路（２３）を具備する。 - 特許庁

The level shifter 301 controls electric potentials input to the back gates BG of the transistors Tr312 and Tr315 using input signals V_BG, /V_BG, and sets a threshold voltage Vth_OFF of the transistors Tr312 and Tr315 in off-state to be larger than a low level-low potential power VEE of the input signals 01, /01.例文帳に追加

レベルシフタ３０１は、トランジスタＴｒ３１２，３１５のバックゲートＢＧに印加する電位を入力信号Ｖ_BG，／Ｖ_BGを用いて制御し、オフの状態にあるトランジスタＴｒ３１２，３１５の閾値電圧Ｖｔｈ_ＯＦＦを、入力信号０１，／０１のＬｏｗレベル−低電位電源ＶＥＥよりも大きくする。 - 特許庁

After the time t_44, respective electric potentials of picture image signal wires DTL10-1 to DTL10-N are set to the second reference electric potential Vofs2 being higher than the reference electric potential Vofs to perform divided threshold value correction operation and picture image signal writing by the signal electric potential Vsig according to the order of wires.例文帳に追加

時刻ｔ_44以降は、映像信号線ＤＴＬ１０−１乃至１０−Ｎそれぞれの電位を基準電位Ｖｏｆｓよりも高い第２基準電位Ｖｏｆｓ２に設定しての分割閾値補正動作と、信号電位Ｖｓｉｇによる映像信号の書き込みとが、線順次に行われる。 - 特許庁