V GAPとは 意味・読み方・使い方

The second group III-V compound semiconductor layer is functioned as a light absorption layer, an energy gap of the second group III-V compound semiconductor layer is smaller than that of the first group III-V compound semiconductor layer, and Be or C is used as a p-type dopant in the respective semiconductor layers.例文帳に追加

第２のIII−V族化合物半導体層が光吸収層として機能し、第２のIII−V族化合物半導体層のエネルギーギャップは、第１のIII−V族化合物半導体層のそれより小さく、各半導体層におけるｐ型のドーパントとしては、Ｂｅ又はＣが用いられる。 - 特許庁

A sealing material 40 is disposed on at least one of the inside of a gap between the outer peripheral edge 35b of the inner casing 35 and the inner side face 30a of the outer casing 30, and a foaming space V side of the gap.例文帳に追加

上記庫内ケーシング（35）の外周端（35b）と上記庫外ケーシング（30）の庫内側面（30a）との隙間内及び該隙間の発泡空間（V）側の少なくとも一方に、シーリング材（40）を配設する。 - 特許庁

The first group III-V compound semiconductor has a band-gap wavelength λ_Bg exceeding 1 μm.例文帳に追加

第１のIII−Ｖ化合物半導体は１マイクロメートルを超えるバンドギャップ波長λ_Ｂｇを有する。 - 特許庁

The band gap of the inclined band gap layer 24 decreases more away from the interface of the III-V group semiconductor layer, and the band gap substantially becomes zero or a negative value on the interface of the inclined band gap layer 24 and the electrode layer 23.例文帳に追加

傾斜バンドギャップ層（２４）のバンドギャップは、ＩＩＩ−Ｖ族半導体層（２２）との界面から遠ざかるにつれ減少し、傾斜バンドギャップ層（２４）と電極層（２３）との界面においては実質的に零または負の値となる。 - 特許庁

The first conductivity type layer is provided above the first electrode and below the light-emitting layer and composed of a III-V compound semiconductor having band-gap energy larger than band-gap energy of the light-emitting layer.例文帳に追加

前記第１導電形層は、前記第１電極の上であり前記発光層の下に設けられ、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するIII-V族化合物半導体からなる。 - 特許庁

In the second drilling blade, a gap 37 is formed between second drilling blade pieces 36 and 36 which are reverse V-shaped.例文帳に追加

第二掘削刃３５は、逆Ｖ字状で、第二掘削刃片３６、３６の間に空隙３７が形成される。 - 特許庁

To provide ferromagnetic group III-V compounds in which ferromagnetism can be obtained by using the group III-V compounds (GaAs, InAs, GaP, InP) transmitting light, and a method for controlling the ferromagnetic properties of the ferromagnetic group III-V compounds.例文帳に追加

光を透過するＩＩＩ-Ｖ族系化合物（GaAs, InAs, GaP, InP）を用いて強磁性が得られる強磁性ＩＩＩ-Ｖ族系化合物の提供、およびその強磁性特性を調整することができる強磁性ＩＩＩ-Ｖ族系化合物の強磁性特性を調整する方法を提供する。 - 特許庁

A grayscale property corresponding to cell gap thickness and an I/V property of a transistor is measured beforehand, and compensation values are determined so that the grayscale data can be compensated to proper grayscale data from the cell gap, the I/V property of the transistor, and reference grayscale data.例文帳に追加

セルギャップの厚さやトランジスタのＩ／Ｖ特性に対応する階調特性を予め測定しておき、セルギャップやトランジスタのＩ／Ｖ特性と基準となる階調データから適切な階調データに補正できるように補正値を定める。 - 特許庁