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V is onとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 アメリカミンク


Weblio英語表現辞典での「V is on」の意味

vison


「V is on」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 2518



例文

function is. It is available on System V systems.発音を聞く 例文帳に追加

この関数は System V システムで利用可能である。 - JM

The first time "-v" is seen on the command line, optparse does the equivalent of:例文帳に追加

コマンドライン上で最初に "-v" が見つかると、optparse は: - Python

This is the format used by SDB on most System V Release 4 systems.発音を聞く 例文帳に追加

これはほとんどの System V Release 4 システムにおいて SDB によって使用される形式です。 - JM

For example, you might have a verbose flag that is turned on with "-v" and off with "-q":例文帳に追加

例えば、verbose というフラグを"-v" で有効にして、"-q" で無効にしたいとします: - Python

This option is only available on wacom V devices (Intuos).To see which serial number belongs to a device, you have to set the DebugLevelto 6 and watch the output of the X server.発音を聞く 例文帳に追加

このオプションは Wacom V デバイス(Intuos)でしか使えない。 - XFree86

A negative DC voltage applied on the target 7 is made between ≥250 V and ≤450 V.例文帳に追加

ターゲット7に印下する負の直流電圧は250V以上、450V以下とする。 - 特許庁

例文

A III-V compound semiconductor layer 106 is formed on the surface part 105.例文帳に追加

表面部105上にIII-V族の化合物半導体層106を成膜する。 - 特許庁

>>例文の一覧を見る


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「V is on」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 2518



例文

The maximum voltage V(P) of the short pulse P (based on voltage V0) is higher than the maximum voltage V(TP) of the tailing pulse TP (based on voltage V0).例文帳に追加

短パルスPの最大電圧V(P)(電圧V0を基準とする)は、テーリングパルスTPの最大電圧V(TP)(電圧V0を基準とする)より高くなっている。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is provided with a group III-V compound semiconductor layer 5, an active layer 7 provided on the group III-V compound semiconductor layer 5, and a group III-V compound semiconductor layer 9 provided on the active layer 7 and containing a phosphorous element.例文帳に追加

半導体レーザ1は、III−V族化合物半導体層5と、III−V族化合物半導体層5上に設けられた活性層7と、活性層7上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層9とを備える。 - 特許庁

Then, when determined to be out thereof, a noise is regarded to be superimposed on the value V(i) related to the intensity of light, and the value V(i) related to the intensity of the light is replaced with a value V'(i) which is closer to a reference value T(i).例文帳に追加

続いて、外れると判定した場合は、光の強弱に関する値V(i)にノイズが重畳しているとみなして、光の強弱に関する値V(i)を基準値T(i)により近い値V'(i)に置換する。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 is also provided with a group III-V compound semiconductor layer 11 provided on the group III-V compound semiconductor layer 9 and containing a phosphorous element, and a group III-V compound semiconductor layer 13 provided on the group III-V compound semiconductor layer 11 and containing an arsenic element.例文帳に追加

また、半導体レーザ1は、III−V族化合物半導体層9上に設けられリン元素を含むIII−V族化合物半導体層11と、III−V族化合物半導体層11上に設けられヒ素元素を含むIII−V族化合物半導体層13とを備える。 - 特許庁

In a coordinate system (U, V) on the screen P2, the P is used for the origin and a V-axis is projection of the v-axis on the image forming plane P1.例文帳に追加

また、スクリーンP2上の座標系(U,V)は、Pを原点とし、V軸は作像面P1上のv軸を投影した方向にとる。 - 特許庁

Visible laser light V made incident on a BK-7 prism 1 is incident on a gold layer 2 at an angle θ of incidence.例文帳に追加

BK-7プリズム1に入射された可視レーザ光Vは金層2に入射角θで入射する。 - 特許庁

In the optical pulse generating device, a visible laser light V made incident on a BK-7 prism 1 is incident on a gold layer 2, at an incidence angle θ.例文帳に追加

BK-7プリズム1に入射された可視レーザ光Vは金層2に入射角θで入射する。 - 特許庁

例文

When |V[ti]-V[ci]| is a multiple of m, a quantum algorithm G0 is defined, and the array V is changed on the basis of G0.例文帳に追加

|V[ti]−V[ci]|がmの倍数の場合、量子アルゴリズムG0を定義し、またG0に基づいてVを変更する。 - 特許庁

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