VB methodとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of forming compound thin films through atomic layer deposition using high-k dielectric Group VB species.例文帳に追加

本発明は、高ｋ誘電体の第ＶＢ族核種を使用して原子層堆積により化合物薄膜を形成する方法に関する。 - 特許庁

The method for producing the polyketone is to react the polyol with hydrogen peroxide in the presence of a metal oxide catalyst which is obtained by reacting hydrogen peroxide with at least one species selected from a group consisting of tungsten metal, molybdenum metal, a tungsten compound comprising tungsten and a IIIb group, IVb group, Vb group or VIb group element and a molybdenum compound comprising molybdenum and a IIIb group, IVb group, Vb group or VIb group element.例文帳に追加

タングステン金属、モリブデン金属、タングステンと第IIIb族、第IVb族、第Vb族または第VIb族元素とからなるタングステン化合物およびモリブデンと第IIIb族、第IVb族、第Vb族または第VIb族元素とからなるモリブデン化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなる金属酸化物触媒の存在下に、前記ポリオール類と過酸化水素とを反応させることを特徴とするポリケトン類の製造方法。 - 特許庁

The paths 26 are opened and closed with the switch valves Va, Vb, etc., which do not slide on the sealing part and air leak is detected by a direct pressure method.例文帳に追加

この流路２６は、シール部分で摺動を行わない切換弁Ｖa，Ｖb等により開閉が行われ、直圧式のエアリーク検出を行う。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for producing a semi-insulating GaAs single crystal having a constant carbon concentration in the crystal growth direction by the vertical gradient freezing (VGF) method and the vertical Bridgeman (VB) method.例文帳に追加

垂直グラジェントフリージング（ＶＧＦ）法および垂直ブリッジマン（ＶＢ）法により、結晶成長方向の炭素濃度が一定な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造する方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor crystal production device effective in enhancing the growth rate of a seed crystal and increasing the length of a grown compound semiconductor single crystal, in a compound semiconductor crystal production process by a VB(vertical Bridgman) method.例文帳に追加

ＶＢ法による種結晶部の成長速度の高速化、結晶の長尺化に有効な化合物半導体結晶の製造を可能にすること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, which is effective for enhancing the speed of crystal growth and for obtaining a long size crystal in VB and VGF methods.例文帳に追加

ＶＢ法及びＶＧＦ法による結晶の成長速度の高速化、結晶の長尺化に有効な化合物半導体結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A single crystal free of cracks can be obtained with high reproducibility regardless of a large difference in thermal expansion between a platinum crucible and an LN (lithium niobate) single crystal in the process of growing an LN single crystal by VB (vertical Bridgeman) method, by employing a crucible structure of the present invention having a foil type platinum plate inserted inside the platinum crucible for growing a crystal.例文帳に追加

箔状白金板を結晶育成用の白金ルツボの内側に挿入した本発明ルツボ構造により、VB法でのLN単結晶成長において白金ルツボとLN単結晶の大きな熱膨脹差があるにもかかわらず、再現性良くクラックの無い単結晶を得ることが可能となる。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor single crystal substrate, in which the carrier concentration in the substrate plane is more uniformed with respect to the compound semiconductor single crystal substrate produced by a VB (Vertical Bridgman) method or a VGF (Vertical Gradient Freeze) method.例文帳に追加

ＶＢ法、ＶＧＦ法によって製造された化合物半導体単結晶基板において、化合物半導体単結晶基板面内のキャリア濃度をより均一化した化合物半導体単結晶基板を提供する。 - 特許庁