「VB method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In this method, the metal in the oxometal complex is selected from groups IVB, VB and VIB transition metal elements.例文帳に追加

その内、前記オキソ金属錯体中の金属は、ＩＶＢ族、ＶＢ族、ＶＩＢ族の遷移金属元素より選ぶ。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semi-insulating GaAs single crystal with a constant carbon concentration in the direction of crystal growth through a VGF or VB method.例文帳に追加

ＶＧＦ法およびＶＢ法により、結晶成長方向の炭素濃度が一定な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming compound thin films through atomic layer deposition using high-k dielectric Group VB species.例文帳に追加

本発明は、高ｋ誘電体の第ＶＢ族核種を使用して原子層堆積により化合物薄膜を形成する方法に関する。 - 特許庁

The method for producing the polyketone is to react the polyol with hydrogen peroxide in the presence of a metal oxide catalyst which is obtained by reacting hydrogen peroxide with at least one species selected from a group consisting of tungsten metal, molybdenum metal, a tungsten compound comprising tungsten and a IIIb group, IVb group, Vb group or VIb group element and a molybdenum compound comprising molybdenum and a IIIb group, IVb group, Vb group or VIb group element.例文帳に追加

タングステン金属、モリブデン金属、タングステンと第IIIb族、第IVb族、第Vb族または第VIb族元素とからなるタングステン化合物およびモリブデンと第IIIb族、第IVb族、第Vb族または第VIb族元素とからなるモリブデン化合物からなる群から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなる金属酸化物触媒の存在下に、前記ポリオール類と過酸化水素とを反応させることを特徴とするポリケトン類の製造方法。 - 特許庁

The paths 26 are opened and closed with the switch valves Va, Vb, etc., which do not slide on the sealing part and air leak is detected by a direct pressure method.例文帳に追加

この流路２６は、シール部分で摺動を行わない切換弁Ｖa，Ｖb等により開閉が行われ、直圧式のエアリーク検出を行う。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for producing a semi-insulating GaAs single crystal having a constant carbon concentration in the crystal growth direction by the vertical gradient freezing (VGF) method and the vertical Bridgeman (VB) method.例文帳に追加

垂直グラジェントフリージング（ＶＧＦ）法および垂直ブリッジマン（ＶＢ）法により、結晶成長方向の炭素濃度が一定な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造する方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor crystal production device effective in enhancing the growth rate of a seed crystal and increasing the length of a grown compound semiconductor single crystal, in a compound semiconductor crystal production process by a VB(vertical Bridgman) method.例文帳に追加

ＶＢ法による種結晶部の成長速度の高速化、結晶の長尺化に有効な化合物半導体結晶の製造を可能にすること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a compound semiconductor single crystal, which is effective for enhancing the speed of crystal growth and for obtaining a long size crystal in VB and VGF methods.例文帳に追加

ＶＢ法及びＶＧＦ法による結晶の成長速度の高速化、結晶の長尺化に有効な化合物半導体結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A single crystal free of cracks can be obtained with high reproducibility regardless of a large difference in thermal expansion between a platinum crucible and an LN (lithium niobate) single crystal in the process of growing an LN single crystal by VB (vertical Bridgeman) method, by employing a crucible structure of the present invention having a foil type platinum plate inserted inside the platinum crucible for growing a crystal.例文帳に追加

箔状白金板を結晶育成用の白金ルツボの内側に挿入した本発明ルツボ構造により、VB法でのLN単結晶成長において白金ルツボとLN単結晶の大きな熱膨脹差があるにもかかわらず、再現性良くクラックの無い単結晶を得ることが可能となる。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor single crystal substrate, in which the carrier concentration in the substrate plane is more uniformed with respect to the compound semiconductor single crystal substrate produced by a VB (Vertical Bridgman) method or a VGF (Vertical Gradient Freeze) method.例文帳に追加

ＶＢ法、ＶＧＦ法によって製造された化合物半導体単結晶基板において、化合物半導体単結晶基板面内のキャリア濃度をより均一化した化合物半導体単結晶基板を提供する。 - 特許庁

In the method, a pulse voltage VB is applied to a material 3 having a ferroelectric thin film 1 by a conductive needle 2 by using an atomic force microscope, the amplitude of the pulse voltage VB is changed by a voltage applying means when a film thickness change of the ferroelectric thin film 1 is measured, and also a detecting output is measured through a lock-in amplifier 4.例文帳に追加

原子間力顕微鏡を用いて導電性針２によって強誘電体薄膜１を有する試料３にパルス電圧Ｖ_B を印加し、強誘電体薄膜１の膜厚変化分を測定する際に、パルス電圧Ｖ_B の振幅を電圧印加手段によって変化させるとともに、検出出力をロックインアンプ４を通して測定する。 - 特許庁

When a pulse MIG welding method is the MIG welding method, the fact that the welding voltage value Vw is rapidly lowered is discriminated by the rapid lowering of the peak voltage Vp, base voltage Vb or their average value (the average value of the welding voltage).例文帳に追加

また、ＭＩＧ溶接法がパルスＭＩＧ溶接法である場合には、上記の溶接電圧値Ｖｗが急降下したことを、ピーク電圧Ｖｐ、ベース電圧Ｖｂ又はそれらの平均値（溶接電圧平均値）が急降下したことによって判別する。 - 特許庁

In a device and a method for estimating the rotational speed ω of an electromotor in an idling state, a motor is controlled by a variable speed driver which generates reference AC voltages Va, Vb.例文帳に追加

空転状態の電動機の回転速度ωを推定する装置および方法に関し、その方法は基準交流電圧Ｖａ、Ｖｂを発生させることによって電動機を制御する可変速駆動装置で実行される。 - 特許庁

The method for producing the N-oxide comprises carrying out a reaction between the tertiary amine and hydrogen peroxide in the presence of a tungsten oxide catalyst prepared by reaction of hydrogen peroxide with metallic tungsten and/or a tungsten compound made from tungsten and a group IIIb element, group IVb element, group Vb element or group VIb element except oxygen.例文帳に追加

タングステンと第IIIb族元素、第IVb族元素、第Vb族元素または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物およびタングステン金属からなる群から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなるタングステン酸化物触媒の存在下に、三級アミンと過酸化水素とを反応させることを特徴とするＮ−オキシド類の製造方法。 - 特許庁

The method for producing the oxime compound comprises carrying out a reaction between the carbonyl compound, ammonia and hydrogen peroxide in the presence of a tungsten oxide catalyst prepared by reaction of hydrogen peroxide with metallic tungsten and/or a tungsten compound made from tungsten and a group IIIb element, group IVb element, group Vb element or group VIb element except oxygen.例文帳に追加

タングステンと第IIIb族元素、第IVb族元素、第Vb族元素または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物およびタングステン金属からなる群から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなるタングステン酸化物触媒の存在下に、カルボニル化合物とアンモニアと過酸化水素を反応させることを特徴とするオキシム化合物の製造方法。 - 特許庁

This method for producing both of cyclododecanone and cyclododecanol features contacting epoxycyclododecanes with hydrogen in the presence of a platinum group catalyst where (a) a platinum group metal and (b) at least one element selected from the group consisting of group VIII, Ib, IIb, IIIb, IVb, Vb, VIb and VIIb elements and lanthanoid elements or compounds thereof as a cocatalyst are supported by a carrier.例文帳に追加

白金族触媒が、（ａ）白金族金属と（ｂ）助触媒としてVIII族、Ib族、IIb族、IIIb族、IVb族、Vb族、VIb族、VIIb族およびランタノイド元素からなる群より選ばれる少なくとも１つの元素またはその化合物とを担体に担持したものからなり、該触媒の存在下、エポキシシクロドデカン類と水素とを接触させることを特徴とするシクロドデカノン及びシクロドデカノールの製造法により解決される。 - 特許庁

The method for producing the nitrogen-containing aromatic N-oxides comprises reacting the corresponding nitrogen-containing aromatics with the hydrogen peroxide in the presence of a metal oxide catalyst prepared by reacting at least one kind selected from tungsten metal and a tungsten compound composed of tungsten and a group IIIb element, a group IVb element, a group Vb element or a group VIb element except oxygen with the hydrogen peroxide.例文帳に追加

タングステン金属およびタングステンと第IIIb族、第IVb族、第Vb族または酸素を除く第VIb族元素とからなるタングステン化合物から選ばれる少なくとも一種と過酸化水素とを反応せしめてなる金属酸化物触媒の存在下に、含窒素芳香族類と過酸化水素とを反応させることを特徴とする含窒素芳香族Ｎ−オキシド類の製造方法。 - 特許庁

A method of restarting an operation includes a step (S12) of turning on a transistor and charging a post-coil capacitor and an output capacitor, a step (S13) of turned off a transistor, and a step(S14) of confirming rise in post-coil voltage VB and boost voltage VC.例文帳に追加

作動復帰方法は、トランジスタをオンしてコイル後コンデンサと出力用コンデンサを充電するステップ（Ｓ１２）と、トランジスタをオフするステップ（Ｓ１３）と、コイル後電圧ＶＢ、昇圧電圧ＶＣが上昇することを確認するステップ（Ｓ１４）とを含む。 - 特許庁

In the method, the heating of the optical fiber preform by a heater is stopped in a point of time Te when the drawing is finished and after the stoppage of the heating, the optical fiber preform is maintained to receive the tension produced by the difference (Vb-Va) of the moving speed between a pulling side chuck and a sending side chuck.例文帳に追加

延伸終了時点Ｔｅで、ヒータによる光ファイバ母材の加熱を停止し、加熱停止後も、引側チャックと送側チャックの移動速度差（Ｖｂ−Ｖａ）によって光ファイバ母材に張力を与えた状態を維持する。 - 特許庁

To prevent the solidification at the outer peripheral part from being earlier than that at the inside of a crystal, and to inhibit the generation of polycrystals caused by accumulation of dislocations at the inside during growth of the crystal by uniformizing the temperature distribution in the radial direction of the growth interface, in a semiconductor crystal growth process based on a VB method or a VGF method.例文帳に追加

ＶＢ法又はＶＧＦ法による半導体結晶成長方法において、成長界面の径方向の温度分布を均一にすることで、結晶内部に対し外周部が早く固化することを防ぎ、成長途中で転位が内部に集積し多結晶化するのを防止可能にする。 - 特許庁