ZIRCONIUM CARBIDEとは 意味・読み方・使い方

Concretely, it is suitable to contain at least one of a group consisting of titanium oxide, zirconium oxide, tantalum oxide, tungsten oxide, tungsten carbide, tantalum carbide, titanium carbide, and molybdenum carbide.例文帳に追加

具体的には、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化タングステン、タングステンカーバイド、タンタルカーバイド、チタンカーバイドおよびモリブデンカーバイドからなる群のうち少なくとも１つを含むと良い。 - 特許庁

The carbon nanofiber has inorganic fine particles of one or more kinds selected from the group consisting of silicon oxide, titanium oxide, aluminum oxide, zinc oxide, zirconium oxide, silicon nitride, titanium nitride, aluminum nitride, zinc nitride, zirconium nitride, silicon carbide, titanium carbide, aluminum carbide, zinc carbide and zirconium carbide, physically or chemically attached to the surface in a monolayer or multilayer shape.例文帳に追加

酸化珪素、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、窒化珪素、窒化チタン、窒化アルミニウム、窒化亜鉛、窒化ジルコニウム、炭化珪素、炭化チタン、炭化アルミニウム、炭化亜鉛、炭化ジルコニウムからなる群から選ばれる１種以上の無機微粒子が単層または複数層の形態で物理的または化学的に表面に付着しているカーボンナノファイバーである。 - 特許庁

In the immersion nozzle, refractories obtained by forming zirconium carbide on the surfaces of zirconium oxide raw material grains are applied to powder line parts 2.例文帳に追加

酸化ジルコニウム原料粒子表面に炭化ジルコニウムを生成させた耐火物を浸漬ノズルのパウダーライン部２に適用した浸漬ノズル。 - 特許庁

The abrasive grains are preferably of aluminum oxide, silicon oxide, zirconium oxide, diamond, or silicon carbide.例文帳に追加

砥粒は、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、ダイヤモンド又は炭化ケイ素からなることが好ましい。 - 特許庁

The nitride of the composite metal compound is aluminum-titanium nitride, chromium-titanium nitride, zirconium-titanium nitride, or titanium carbide-nitride.例文帳に追加

複合金属化合物の窒化物は、窒化アルミニウムチタン、窒化クロムチタン、窒化ジルコニウムチタン、炭窒化チタンである。 - 特許庁

The substrate 1 for forming a group III nitride semiconductor substrate comprises a base substrate 11, a nitrided layer 12 of a carbide layer selected from aluminum carbide, titanium carbide, zirconium carbide, hafnium carbide and vanadium carbide on the base substrate 11, and a group III nitride semiconductor film 13 provided on the nitrided carbide layer 12.例文帳に追加

III族窒化物半導体基板形成用基板１は、下地基板１１と、この下地基板１１上に設けられ、炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択される炭化物層を窒化した層１２と、炭化物層を窒化した層１２上に設けられたIII族窒化物半導体膜１３とを備える。 - 特許庁

As the ceramic, alumina, chromium oxide, silicon nitride, silicon carbide, zirconium, etc. are selected, and as the metal, molybdenum, tungsten, tantalum, etc are selected.例文帳に追加

該セラミックは、アルミナ、酸化クロム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニウム等であり、該金属は、モリブデン、タングステン、タンタル等からなる。 - 特許庁

A DLC layer via a substrate layer and an intermediate layer or a metal carbide layer composed of vanadium carbide (VC), titanium carbide (TiC), zirconium carbide (ZrC), niobium carbide (NbC) or tantalum carbide (TaC) by pack cementation is formed on the bearing rings 101a, 102a of a first race 101 and a second race 102, and the circumferential face (rolling face) of a cylindrical roller 103.例文帳に追加

第１のレース１０１および第２のレース１０２の軌道輪１０１ａ，１０２ａと、円筒ころ１０３の周面（転動面）に、下地層および中間層を介したＤＬＣ層か、拡散浸透処理によるバナジウムカーバイト（ＶＣ）、チタンカーバイト（ＴｉＣ）、ジルコニウムカーバイト（ＺｒＣ）、ニオブカーバイト（ＮｂＣ）、またはタンタルカーバイト（ＴａＣ）からなる金属炭化物層を形成する。 - 特許庁