acceptor levelとは 意味・読み方・使い方

The incorporated Mn forms a shallow acceptor level, and the GaN becomes a p-type semiconductor.例文帳に追加

Ｍｎが浅いアクセプタレベルを形成し、ＧａＮがｐ型を示す。 - 特許庁

Erythropoietin responsiveness of a subject is diagnosed by detecting the level of an erythropoietin inhibitor bonding specifically to an erythropoietin acceptor and neutralizing action of erythropoietin through the erythropoietin acceptor, in a sample isolated from the subject.例文帳に追加

被験者から単離したサンプル中における、エリスロポエチン受容体と特異的に結合し、エリスロポエチン受容体を介したエリスロポエチンの作用を中和するエリスロポエチン阻害物質のレベルを検出することにより、当該被験者のエリスロポエチン応答性を診断する。 - 特許庁

In this way the acceptor level and the donor level are formed uniformly in the barrier layer 4a, so a potential graduation is generated in the well layer 4b.例文帳に追加

このように障壁層４ａ内にアクセプタ準位およびドナー準位が不均一に形成されているため、井戸層４ｂ内に電位勾配が発生する。 - 特許庁

For example, when boron is added to a diamond semiconductor thin film 1b of the emitter electrode 1, an acceptor level is present at approximately 5.1 eV from a conduction band and when nitrogen is added to a diamond semiconductor thin film 2b of the collector electrode 2, a donor level is present at approximately 1.7 eV from the conduction band.例文帳に追加

例えば、エミッタ電極１のダイヤモンド半導体薄膜１ｂに対してボロンを添加すると、アクセプタ準位は伝導帯から約５．１ｅＶに存在し、コレクタ電極２のダイヤモンド半導体薄膜２ｂに対して窒素を添加すると、ドナー準位は伝導帯から約１．７ｅＶに存在する。 - 特許庁

To provide a method for selecting a combination of a set of ink-jet color ink with an acceptor which can bring about an image wherein a gloss level fluctuation between an image-forming region and a non-image-forming region and the gloss level fluctuation between various colors in a color image are minimized simultaneously.例文帳に追加

像形成領域と非像形成領域との間での光沢レベル変動並びにカラー画像における種々の色の間での光沢レベル変動が同時に最小化されている画像を生ずる事が可能なインクジェットカラーインクの組と受容体との組み合わせを選ぶための方法を提供する。 - 特許庁

A first impurity generating a donor level or acceptor level in a semiconductor is introduced in upper and side parts of the fin type semiconductor regions 13, and a second impurity making the semiconductor into an insulator is further introduced in the upper parts of the fin type semiconductor regions 13.例文帳に追加

フィン型半導体領域１３の上部及び側部には、半導体にドナー準位又はアクセプタ準位を生成する第１の不純物が導入されていると共に、フィン型半導体領域１３の上部には、半導体を絶縁物化する第２の不純物がさらに導入されている。 - 特許庁

Light emitting intensity of exciton light emission having the short fluorescent life by reduction of self-absorption is improved by doping a dopant such as Sb and Bi having a deep donor level or doping a plurality of dopants of a donor and an acceptor in the zinc oxide.例文帳に追加

酸化亜鉛にSb、Biなどドナー準位の深いドーパントをドーピング、又は、ドナーとアクセプターの複数ドーパントをドーピングすることにより、自己吸収の低減により蛍光寿命の短いエキシトン発光の発光強度の改善が達成される。 - 特許庁