acceptor impurityとは 意味・読み方・使い方

To control a concentration of a donor impurity or an acceptor impurity in a processing object in which a doping is carried out by using an ion doping system, and to reduce a dispersion of the concentration.例文帳に追加

イオンドーピング装置を用いてドーピングをおこなった被処理体中のドナー不純物又はアクセプタ不純物の濃度を制御し、その濃度のばらつきを小さくする。 - 特許庁

The field effect transistor includes: a first impurity introduction region 110 which is formed on a first barrier layer 102 and is introduced with an impurity that is an shallow acceptor with respect to AlGaSb; and a second impurity introduction region 111 which is formed on a second barrier layer 104 and is introduced with an impurity that is an shallow acceptor with respect to AlGaSb.例文帳に追加

第１障壁層１０２に形成されてＡｌＧａＳｂに対して浅いアクセプタとなる不純物が導入された第１不純物導入領域１１０と、第２障壁層１０４に形成されてＡｌＧａＳｂに対して浅いアクセプタとなる不純物が導入された第２不純物導入領域１１１とを備える。 - 特許庁

Further, the contact resistance is decreased by allowing an impurity such as a donor or an acceptor to diffuse into the orientation flat part 5 mentioned above.例文帳に追加

また、上記オリエンテーションフラット部分５にドナー、アクセプタ等の不純物を拡散して接触抵抗値を小さくするようにする。 - 特許庁

When TFTs whose drive voltages differ from each other to a polycrystal silicon film formed on a glass substrate are mixed and formed, in low-voltage driven TFTs, an acceptor has more impurity of a channel region or a donor has less impurity of the channel region, and in high-voltage driven TFTs, the donor has more impurity of the channel region or the acceptor has less impurity of the channel region.例文帳に追加

ガラス基板上に形成した多結晶シリコン膜に駆動電圧が異なるＴＦＴを混載する際に、低電圧駆動ＴＦＴではチャネル領域の不純物をアクセプタがより多くなるようにしあるいはドナーがより少なくなるようにし、高電圧駆動ＴＦＴではチャネル領域の不純物をドナーがより多くなるようにしあるいはアクセプタがより少なくなるようにする。 - 特許庁

Accordingly, boron, as acceptor impurity, can be mixed directly into the group III nitride series semiconductor from the substrate 110.例文帳に追加

これにより、アクセプタ不純物としてのホウ素を、基板１１０から直接的にIII族窒化物系半導体に混入させることができる。 - 特許庁

The nitride semiconductor wafer includes a p-type conductive nitride semiconductor containing group IV impurity atoms as an acceptor, or at least a p-type conductive nitride semiconductor layer containing a group IV impurity as an acceptor and an n-type conductive nitride semiconductor layer on a substrate.例文帳に追加

IV族の不純物原子をアクセプタとして含むｐ型伝導性の窒化物半導体、又は基板上に、IV族の不純物をアクセプタとして含むｐ型伝導性の窒化物半導体層と、ｎ型伝導性の窒化物半導体層を少なくとも有する窒化物半導体ウェハの構造とする。 - 特許庁

At this time, a donor impurity is added at a concentration at which the formation of holes when the acceptor impurity used for forming the p-type AlGaN layer 107 is mixed in the intermediate layer 108 can be compensated.例文帳に追加

このとき、ｐ−ＡｌＧａＮ層１０７を形成する際に用いられたアクセプタ不純物の、中間層１０８への混入によるホール発生を補償する濃度にドナー不純物を添加する。 - 特許庁

In the p-type MgZnO-based thin film 1, nitrogen as a p-type impurity, which serves as an acceptor, is contained in a concentration of not less than about 5.0×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ｐ型ＭｇＺｎＯ薄膜１は、アクセプタとなるｐ型不純物の窒素が約５．０×１０^１８ｃｍ^−３以上の濃度で含まれている。 - 特許庁