アクセプタ不純物の英語

第１障壁層１０２に形成されてＡｌＧａＳｂに対して浅いアクセプタとなる不純物が導入された第１不純物導入領域１１０と、第２障壁層１０４に形成されてＡｌＧａＳｂに対して浅いアクセプタとなる不純物が導入された第２不純物導入領域１１１とを備える。例文帳に追加

The field effect transistor includes: a first impurity introduction region 110 which is formed on a first barrier layer 102 and is introduced with an impurity that is an shallow acceptor with respect to AlGaSb; and a second impurity introduction region 111 which is formed on a second barrier layer 104 and is introduced with an impurity that is an shallow acceptor with respect to AlGaSb. - 特許庁

これにより、アクセプタ不純物としてのホウ素を、基板１１０から直接的にIII族窒化物系半導体に混入させることができる。例文帳に追加

Accordingly, boron, as acceptor impurity, can be mixed directly into the group III nitride series semiconductor from the substrate 110. - 特許庁

第１の半導体層には、オン状態でチャネルが形成され、アクセプタとなる不純物元素を含んでいる。例文帳に追加

A channel is formed in the first semiconductor layer in an on state, and includes an impurity element for functioning as an acceptor. - 特許庁

アクセプタとなる不純物が導入されたアモルファスシリコンを結晶化する際、シリコン結晶粒の大きさを小さくする。例文帳に追加

To reduce the size of silicon crystal pastilles at crystallization of amorphous silicon, to which impurities to be acceptors are introduced. - 特許庁

添加された元素はＺｎＯに対してアクセプタ不純物として働くので、過剰な自由電子が減少する。例文帳に追加

The doped element acts as an acceptor impurity for ZnO, which reduces excess free electrons. - 特許庁

また、上記オリエンテーションフラット部分５にドナー、アクセプタ等の不純物を拡散して接触抵抗値を小さくするようにする。例文帳に追加

Further, the contact resistance is decreased by allowing an impurity such as a donor or an acceptor to diffuse into the orientation flat part 5 mentioned above. - 特許庁

ホール輸送層２２はアクセプター不純物を添加した３Ｂ族元素の窒化物により構成されている。例文帳に追加

The hole transportation layer 22 is constituted of the nitride of a 3B group element, to which acceptor impunity is added. - 特許庁

IV族の不純物原子をアクセプタとして含むｐ型伝導性の窒化物半導体、又は基板上に、IV族の不純物をアクセプタとして含むｐ型伝導性の窒化物半導体層と、ｎ型伝導性の窒化物半導体層を少なくとも有する窒化物半導体ウェハの構造とする。例文帳に追加

The nitride semiconductor wafer includes a p-type conductive nitride semiconductor containing group IV impurity atoms as an acceptor, or at least a p-type conductive nitride semiconductor layer containing a group IV impurity as an acceptor and an n-type conductive nitride semiconductor layer on a substrate. - 特許庁