active finとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device having a fin field effect transistor that alleviates the concentration of an electric field to the top end (angular portion) of a fin-shape active region, inhibits a decrease in the threshold voltage of the fin effect transistor, and has high current drive capability, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

フィントランジスタにおいて、フィン状の活性領域の上端部（角部）における電界集中を緩和し、フィントランジスタの閾値電圧の低下を抑制し、電流駆動能力の高いフィントランジスタを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the temperature of the active filter module 9 is not lower than a predetermined value, the fin thermo 21 is turned off and the input of the ON/OFF signal the controller 9c of the active filter module 9 is cut off.例文帳に追加

アクティブフィルタモジュール９の温度が所定値以上になったときには、フィンサーモ２１がオフし、アクティブフィルタモジュール９の制御部９ｃにはオン／オフ信号が入力されなくなる。 - 特許庁

A fin thermo 21 is installed to a heat sink for cooling the IGBT9b of the active filter module 9 and the fin thermo is interposed in an ON/OFF signal line among the control signals transmitted from the control circuit 5 of the outdoor unit 20 to the controller 9c of the active filter module 9.例文帳に追加

そのため、アクティブフィルタモジュール９のＩＧＢＴ９ｂを冷却するためのヒートシンクにフィンサーモ２１を取り付け、このフィンサーモ２１を室外機２０の制御回路５からアクティブフィルタモジュール９の制御部９ｃへ送信される制御信号のうちオン／オフ信号ラインに介在させる。 - 特許庁

This alleviates the concentration of the electric filed to the top end (angular portion) of the fin-shape active region, thus making it possible to maintain the current drive capability of the fin effect field transistor and simultaneously inhibit the decrease in threshold voltage.例文帳に追加

これにより、フィン状の活性領域の上端部（角部）における電界集中が緩和されることから、フィントランジスタの電流駆動能力を維持しつつ、閾値電圧の低下を抑制することが可能となる。 - 特許庁

To provide a trench gate type FIN-FET, in which the advantage of an FIN type transistor is sufficiently demonstrated even in micronization, a sufficient contact area is assured in an active region, and dropping of on-current being suppressed.例文帳に追加

トレンチゲート型ＦＩＮ−ＦＥＴにおいて、微細化に対してもＦＩＮ型トランジスタの利点を十分に発揮し、また、活性領域において十分なコンタクト面積を確保し、オン電流の低下を抑制したトレンチゲート型ＦＩＮ−ＦＥＴを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a fin-shape active region 12, a first gate insulating film 13t for covering the top surface of the active region, and a second gate insulating film 13s for covering the side of the active layer.例文帳に追加

フィン状の活性領域１２と、活性領域の上面を覆う第１ゲート絶縁膜１３ｔと、活性領域の側面を覆う第２ゲート絶縁膜１３ｓとを備え、第１ゲート絶縁膜１３ｔの膜厚が第２ゲート絶縁膜１３ｓの膜厚よりも厚く構成される。 - 特許庁

In a semiconductor apparatus, including a double gate transistor which has a fin-type active region and a pair of gate electrodes arranged to be opposed to each other so that the active region is inserted therebetween, a height of the gate electrodes is set higher than that of the active region and set equal or smaller than the height obtained, based on Formula 1.例文帳に追加

フィン型の活性領域と、活性領域を挟むように対向配置された一対のゲート電極とを有するダブルゲートトランジスタを含む半導体装置において、ゲート電極の高さを活性領域の高さよりも高くし、かつ数式１に基づき求められる高さ以下とする。 - 特許庁

Sidewalls 28 are formed on side faces of active regions 16 each having a Fin shape, and thereafter a substrate region 40 surrounded by element separation grooves 29, and large in widths in a channel longitudinal direction and a channel width direction relative to the active region 16 is formed.例文帳に追加

Ｆｉｎ形状の活性領域１６の側面に側壁２８を形成した後、素子分離溝２９に囲まれ、活性領域１６よりチャネル長方向およびチャネル幅方向の幅が広い基板領域４０を形成する。 - 特許庁