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add-on memoryとは 意味・読み方・使い方

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コンピューター用語辞典での「add-on memory」の意味

「add-on memory」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 22



例文

You could add on a lot of extra memory if you wanted to.例文帳に追加

必要ならメモリを追加 することができました (笑) - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

You could add on a lot of extra memory if you wanted to.例文帳に追加

必要ならメモリを追加 することができました - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

On an add-up reservation memory display 18c, the number of circle marks (maximum 8) corresponding to an add-up reservation memory number are displayed.例文帳に追加

合算保留記憶表示部18cには、合算保留記憶数に応じた数の丸印(最大8個)が表示される。 - 特許庁

The data stored in the memory cell specified by an internal address add is inverted, an writing operation in the memory cell is performed based on each address, and the internal address add is incremented whenever the invert writing operation is executed in the memory cell.例文帳に追加

内部アドレスaddにて指定されるメモリセルに記憶されたデータを反転させてそのメモリセルに書き込む動作をアドレス単位で実行し、そのメモリセルの反転書き込み動作が実行されるごとに内部アドレスaddをインクリメントする。 - 特許庁

A memory area 14 performs a write operation or a read operation on the basis of the activation signal CS and the address signals Add.例文帳に追加

メモリ領域14は、活性化信号CS及びアドレス信号Addに基づいて、書き込み動作あるいは読み出し動作を行う。 - 特許庁

On the other hand, in the two-port memory 6, read data RD is read from an address Add given from a CPU 7.例文帳に追加

一方、2ポートメモリ6は、CPU7によって与えられるアドレスAddからリードデータRDがリードされる。 - 特許庁

例文

Therefore, if the first and second images are the same, memories of the whole area of the add-on memory are regarded to be working in a normal manner.例文帳に追加

従って、1枚目と2枚目の画像が同じであれば、増設メモリの全領域のメモリが正常に動作していることになる。 - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「add-on memory」の意味

add-on memory

アドオンメモリ

「add-on memory」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 22



例文

A memory region 1 performs write-in operation or read-out operation based on the activating signal CS and the address signal Add.例文帳に追加

メモリ領域1は、活性化信号CS及びアドレス信号Addに基づいて書き込み動作あるいは読み出し動作を行う。 - 特許庁

The electronic apparatus is provided at least with a memory control means 1 for maintaining the expansion memory 3 in a self-refresh mode when there is no memory access and on the other hand, releasing a self-refresh command, reading data and writing the data when the add-in memory 3 becomes the target of memory access.例文帳に追加

メモリアクセスのないときには増設メモリ3をセルフリフレッシュモードに保持する一方、メモリアクセスの対象になったときには、セルフリフレッシュ指令を解除して、データの読出し、書き込みを行うことを特徴とするメモリ制御手段1を少なくとも備えている。 - 特許庁

When an extension memory card is set on a card slot 200, a microcomputer 30 for control can add an extension module read from the subject special card to a predetermined region of a flash memory 31.例文帳に追加

カードスロット200に拡張メモリカードが装着された場合に、制御用マイコン30は、当該専用カードから読み込んだ拡張モジュールを、フラッシュメモリ31の所定の領域に追加することができる。 - 特許庁

To make it unnecessary to add a circuit to a circuit board in the case of writing (erasing) the contents of a flash memory in a state that a microcomputer incorporating the flash memory is loaded on the circuit board.例文帳に追加

フラッシュメモリ内蔵マイクロコンピュータを回路基板に実装したままで、フラッシュメモリ内容を書込み(消去)する際の回路基板上の回路追加を不要とする。 - 特許庁

For each value of the address part based on the class codes of the surrounding blocks, the concerned block in the case of generating the address ADD-B corresponding to the maximum frequency stored in the frequency memory is stored in a maximum frequency data memory within the robust memory 107.例文帳に追加

周囲ブロックのクラスコードによるアドレス部分の各値毎に、頻度メモリに記憶される最大頻度に対応したアドレスADD_Bが生成された際の注目ブロックをロバストメモリ107内の最大頻度データメモリに記憶する。 - 特許庁

An ACS (add compare select) operation unit 33 computes a trellis diagram based on data which is output with a soft decision by a receiving data soft decision unit 30 and retains path information in the trellis diagram in a path memory unit 34.例文帳に追加

ACS演算部33は、受信データ軟判定部30で軟判定されて出力されたデータに基づいてトレリス線図を算出して、トレリス線図におけるパス情報をパスメモリ部34に保持する。 - 特許庁

When a chip selection signal CS2B is activated, the memory circuit section 110B performs the read or write operation via the data input/output terminal UDQ based on the address signal ADD regardless of the operation of the memory circuit section 110A.例文帳に追加

メモリ回路部110Bは、チップ選択信号CS2Bが活性化されると、メモリ回路部110Aの動作とは無関係にアドレス信号ADDに基づいてデータ入出力端子UDQを介したリード動作又はライト動作を行う。 - 特許庁

例文

An address decoder 12 generates two or more selection signals SEL0-SEL3, so as to simultaneously select first to fourth memory circuits RAM 0-RAM3, on the basis of an address signal ADD for accessing to the memory circuit by a CPU 11 in testing mode.例文帳に追加

アドレスデコーダ12はテストモード時にCPU11が1つのメモリ回路をアクセスするためのアドレス信号ADDに基づいて第1〜第4メモリ回路RAM0〜RAM3を同時に選択するように複数の選択信号SEL0〜SEL3を生成する。 - 特許庁

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