anisotropic solutionとは 意味・読み方・使い方

The optical anisotropic layer 3 is formed by coating of resin solution with viscosity of 500 mPa s or less.例文帳に追加

光学異方層３は、粘度が５００ｍＰａ・ｓ以下である樹脂溶液を塗工することにより形成されている。 - 特許庁

An electric field is generated within the etchant solution to cause an anisotropic etch pattern to form on a surface of the workpiece.例文帳に追加

エッチャント溶液内に電界が生成され、加工物の表面に異方性エッチング・パターンを形成させる。 - 特許庁

In the method for manufacturing the MEMS device, at the anisotropic etching step of anisotropic etching a part of a silicon substrate 1 for forming the cavity part 11, a TMAH solution dissolving Si is used as an alkali solution; and in the course of anisotropic etching the silicon substrate 1a down to a given depth dp, a cleaning step is carried out at least once, without drying the silicon substrate 1a.例文帳に追加

ＭＥＭＳデバイスの製造方法において、シリコン基板１の一部を異方性エッチングして空洞部１１を形成する異方性エッチング工程では、アルカリ系溶液としてＳｉを溶解させたＴＭＡＨ水溶液を用いるようにし、シリコン基板１ａを所定深さｄｐまで異方性エッチングする途中で、シリコン基板１ａを乾燥させることなく少なくとも１回の洗浄工程を行う。 - 特許庁

To propose a method for manufacturing an optically anisotropic body, which generates no uneven drying and no repelling which are often generated in aligning a liquid crystalline compound by applying a solution of the liquid crystalline compound, and subsequently removing the solvent of the solution.例文帳に追加

液晶性化合物の溶液を塗布後、該溶液の溶剤を除去して液晶性化合物を配向させる際に発生する乾燥ムラやハジキを発生させない光学異方体の製造方法を提案する。 - 特許庁

A problem is solved with anisotropic etching solution where silicon is dissolved into 3.0 to 20.0 mass % of TMAH water solution so that it becomes 0.9 to 8.0 mass % and oxidant is added or silicon anisotropic etching solution comprising 3.0 to 20.0 mass % of TMAH, silicon and ammonium nitrate.例文帳に追加

３．０〜２０．０質量％ＴＭＡＨ水溶液に、シリコンを０．９〜８．０質量％となるように溶解後、酸化剤を添加されてなるシリコン異方性エッチング液か、または、３．０〜２０．０質量％のＴＭＡＨと、シリコンと、硝酸アンモニウムとを含有してなるシリコン異方性エッチング液により課題は解決される。 - 特許庁

In the method of the silicon anisotropic etching, a silicon substrate 5 is subjected to etching processing using a silicon anisotropic etching liquid in which polyoxyalkylene alkyl ether is added at a rate of 0.1 to 10 ppm to a hydroxylation tetramethylammonium aqueous solution of 20 to 25 mass%.例文帳に追加

シリコン異方性エッチング方法において、２０〜２５質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルを０．１〜１０ｐｐｍの割合で添加したシリコン異方性エッチング液を用いて、シリコン基板５をエッチング加工する。 - 特許庁

The manufacturing method of the optical film at least includes a process of preparing a coating solution by dissolving and/or dispersing a mesomorphism compound in a solvent and a process of applying the coating solution onto the surface of a first optical anisotropic layer containing non-liquid crystalline polymer to form a second optical anisotropic layer on the first optical anisotropic layer.例文帳に追加

少なくとも液晶化合物を溶剤に溶解及び／又は分散させて塗布液を調製する工程、及び該塗布液を非液晶性ポリマーを含有する第１の光学異方性層の表面に塗布して、該層上に第２の光学異方性層を形成する工程を少なくとも含む光学フィルムの製造方法であって、前記塗布液の調製に用いられる溶剤が、該溶剤のみを第１の光学異方性層の表面に塗布した場合に、下記式（１）及び（２）を満足する溶剤から選択されることを特徴とする光学フィルムの製造方法である。 - 特許庁

The inkjet recording head manufacturing method restrains membrane cracking by reducing damage given to a membrane by an etching solution by reducing an etching rate in an anisotropic etching process in a final etching phase by varying the temperature or the concentration of the etching solution.例文帳に追加

異方性エッチング工程でのエッチングレートを、エッチング液温度またはエッチング液濃度を変化させることにより、エッチング最終段階で遅くして、エッチング液がメンブレン膜に与えるダメージを小さくして、メンブレン割れを抑制する。 - 特許庁