anisotropic solutionとは 意味・読み方・使い方

A problem is solved with anisotropic etching solution where silicon is dissolved into 3.0 to 20.0 mass % of TMAH water solution so that it becomes 0.9 to 8.0 mass % and oxidant is added or silicon anisotropic etching solution comprising 3.0 to 20.0 mass % of TMAH, silicon and ammonium nitrate.例文帳に追加

３．０〜２０．０質量％ＴＭＡＨ水溶液に、シリコンを０．９〜８．０質量％となるように溶解後、酸化剤を添加されてなるシリコン異方性エッチング液か、または、３．０〜２０．０質量％のＴＭＡＨと、シリコンと、硝酸アンモニウムとを含有してなるシリコン異方性エッチング液により課題は解決される。 - 特許庁

The monomer is polymerized by irradiating the monomer with the anisotropic light after coating a solution comprising the monomer and a solvent having low boiling point to a substrate.例文帳に追加

また、モノマーの低沸点溶媒からなる溶液を基板に塗布した後、異方的な光を照射してモノマーを重合させる。 - 特許庁

A TiN film 102 of normal temperature formation whose etching resistance to anisotropic etching solution is more excellent than that of a silicon oxide film or the like is used as an etching mask for performing anisotropic etching for a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板１０１の異方性エッチングを行う際のエッチングマスクとして、シリコン酸化膜等の膜よりも異方性エッチング液に対するエッチング耐性の優れる常温形成のＴｉＮ膜１０２を用いる。 - 特許庁

The rugged structure is formed by anisotropic etching using an aqueous solution containing hydrobromic acid as an etchant, without relying on a mask forming process.例文帳に追加

凹凸構造は臭化水素酸を含む水溶液をエッチャントとして用い、マスクを形成する工程を用いることなく異方性エッチングにより形成する。 - 特許庁

Anisotropic wet etching is applied using KOH aqueous solution via a thermal oxidation film 34 on a patterned upper surface to form a mirror surface 2.例文帳に追加

それから、パターニングされた上面の熱酸化膜３４を介して、ＫＯＨ水溶液を用いて異方性ウェットエッチングを施し、ミラー面２を形成する。 - 特許庁

To propose a method for manufacturing an optically anisotropic body, which generates no uneven drying and no repelling which are often generated in aligning a liquid crystalline compound by applying a solution of the liquid crystalline compound, and subsequently removing the solvent of the solution.例文帳に追加

液晶性化合物の溶液を塗布後、該溶液の溶剤を除去して液晶性化合物を配向させる際に発生する乾燥ムラやハジキを発生させない光学異方体の製造方法を提案する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the MEMS device, at the anisotropic etching step of anisotropic etching a part of a silicon substrate 1 for forming the cavity part 11, a TMAH solution dissolving Si is used as an alkali solution; and in the course of anisotropic etching the silicon substrate 1a down to a given depth dp, a cleaning step is carried out at least once, without drying the silicon substrate 1a.例文帳に追加

ＭＥＭＳデバイスの製造方法において、シリコン基板１の一部を異方性エッチングして空洞部１１を形成する異方性エッチング工程では、アルカリ系溶液としてＳｉを溶解させたＴＭＡＨ水溶液を用いるようにし、シリコン基板１ａを所定深さｄｐまで異方性エッチングする途中で、シリコン基板１ａを乾燥させることなく少なくとも１回の洗浄工程を行う。 - 特許庁

In the method of the silicon anisotropic etching, a silicon substrate 5 is subjected to etching processing using a silicon anisotropic etching liquid in which polyoxyalkylene alkyl ether is added at a rate of 0.1 to 10 ppm to a hydroxylation tetramethylammonium aqueous solution of 20 to 25 mass%.例文帳に追加

シリコン異方性エッチング方法において、２０〜２５質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルを０．１〜１０ｐｐｍの割合で添加したシリコン異方性エッチング液を用いて、シリコン基板５をエッチング加工する。 - 特許庁