「anisotropic solution」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The optical anisotropic layer 3 is formed by coating of resin solution with viscosity of 500 mPa s or less.例文帳に追加

光学異方層３は、粘度が５００ｍＰａ・ｓ以下である樹脂溶液を塗工することにより形成されている。 - 特許庁

To obtain a silicon substrate, having a smooth etched surface with a small undercut through anisotropic etching using an alkaline aqueous solution.例文帳に追加

アルカリ性水溶液を用いるシリコン基板の異方性エッチングにより、滑らかな、アンダーカットの小さいエッチング表面を得る。 - 特許庁

A problem is solved with anisotropic etching solution where silicon is dissolved into 3.0 to 20.0 mass % of TMAH water solution so that it becomes 0.9 to 8.0 mass % and oxidant is added or silicon anisotropic etching solution comprising 3.0 to 20.0 mass % of TMAH, silicon and ammonium nitrate.例文帳に追加

３．０〜２０．０質量％ＴＭＡＨ水溶液に、シリコンを０．９〜８．０質量％となるように溶解後、酸化剤を添加されてなるシリコン異方性エッチング液か、または、３．０〜２０．０質量％のＴＭＡＨと、シリコンと、硝酸アンモニウムとを含有してなるシリコン異方性エッチング液により課題は解決される。 - 特許庁

The monomer is polymerized by irradiating the monomer with the anisotropic light after coating a solution comprising the monomer and a solvent having low boiling point to a substrate.例文帳に追加

また、モノマーの低沸点溶媒からなる溶液を基板に塗布した後、異方的な光を照射してモノマーを重合させる。 - 特許庁

A TiN film 102 of normal temperature formation whose etching resistance to anisotropic etching solution is more excellent than that of a silicon oxide film or the like is used as an etching mask for performing anisotropic etching for a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板１０１の異方性エッチングを行う際のエッチングマスクとして、シリコン酸化膜等の膜よりも異方性エッチング液に対するエッチング耐性の優れる常温形成のＴｉＮ膜１０２を用いる。 - 特許庁

The rugged structure is formed by anisotropic etching using an aqueous solution containing hydrobromic acid as an etchant, without relying on a mask forming process.例文帳に追加

凹凸構造は臭化水素酸を含む水溶液をエッチャントとして用い、マスクを形成する工程を用いることなく異方性エッチングにより形成する。 - 特許庁

Anisotropic wet etching is applied using KOH aqueous solution via a thermal oxidation film 34 on a patterned upper surface to form a mirror surface 2.例文帳に追加

それから、パターニングされた上面の熱酸化膜３４を介して、ＫＯＨ水溶液を用いて異方性ウェットエッチングを施し、ミラー面２を形成する。 - 特許庁

To propose a method for manufacturing an optically anisotropic body, which generates no uneven drying and no repelling which are often generated in aligning a liquid crystalline compound by applying a solution of the liquid crystalline compound, and subsequently removing the solvent of the solution.例文帳に追加

液晶性化合物の溶液を塗布後、該溶液の溶剤を除去して液晶性化合物を配向させる際に発生する乾燥ムラやハジキを発生させない光学異方体の製造方法を提案する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the MEMS device, at the anisotropic etching step of anisotropic etching a part of a silicon substrate 1 for forming the cavity part 11, a TMAH solution dissolving Si is used as an alkali solution; and in the course of anisotropic etching the silicon substrate 1a down to a given depth dp, a cleaning step is carried out at least once, without drying the silicon substrate 1a.例文帳に追加

ＭＥＭＳデバイスの製造方法において、シリコン基板１の一部を異方性エッチングして空洞部１１を形成する異方性エッチング工程では、アルカリ系溶液としてＳｉを溶解させたＴＭＡＨ水溶液を用いるようにし、シリコン基板１ａを所定深さｄｐまで異方性エッチングする途中で、シリコン基板１ａを乾燥させることなく少なくとも１回の洗浄工程を行う。 - 特許庁

In the method of the silicon anisotropic etching, a silicon substrate 5 is subjected to etching processing using a silicon anisotropic etching liquid in which polyoxyalkylene alkyl ether is added at a rate of 0.1 to 10 ppm to a hydroxylation tetramethylammonium aqueous solution of 20 to 25 mass%.例文帳に追加

シリコン異方性エッチング方法において、２０〜２５質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルを０．１〜１０ｐｐｍの割合で添加したシリコン異方性エッチング液を用いて、シリコン基板５をエッチング加工する。 - 特許庁

The inkjet recording head manufacturing method restrains membrane cracking by reducing damage given to a membrane by an etching solution by reducing an etching rate in an anisotropic etching process in a final etching phase by varying the temperature or the concentration of the etching solution.例文帳に追加

異方性エッチング工程でのエッチングレートを、エッチング液温度またはエッチング液濃度を変化させることにより、エッチング最終段階で遅くして、エッチング液がメンブレン膜に与えるダメージを小さくして、メンブレン割れを抑制する。 - 特許庁

Here, the anisotropic pattern light 14 has intensity that controls the orientation direction of the nanowires while making radiation pressure acting on the nanowires in the nanowire solution as driving force.例文帳に追加

ここで、異方性パターン光１４は、ナノワイヤ溶液中のナノワイヤに働く放射圧を駆動力としてナノワイヤの配向方向が制御されるような強度を持つ。 - 特許庁

The optical anisotropic layer 3 has negative refractive index anisotropy and is formed from an aqueous solution or an aqueous dispersion containing a water-soluble resin having lyotropic liquid crystalline property.例文帳に追加

光学異方層３は、負の屈折率異方性を有し、かつリオトロピック液晶性を有する水溶性樹脂を含む水溶液又は水分散液により形成されている。 - 特許庁

In performing anisotropic etching by using an alkali etching solution, the reflection member 106 which is the mirror formed just backside of the light receiver can be formed by an extremely inexpensive process.例文帳に追加

また、アルカリエッチング液を用いて異方性エッチングを行う場合は、きわめて安価な工程で受光装置直裏面の鏡である反射部材１０６を形成できる。 - 特許庁

Thereafter, anisotropic wet etching is performed to the crystal orientation with a KOH solution for approximately 10 minutes to obtain a flat crystal face (100) on the side wall face of a mirror 4.例文帳に追加

その後、ＫＯＨ溶液により結晶方位に対し異方性のウエットエッチングを１０分程度行って、ミラー４の側壁面を平滑な結晶面（１００）とする。 - 特許庁

The saccharide forms a solid solution with colorant molecules in the anisotropic colorant film, enhances a degree of association of a colorant association object, enhances molecular orientation of the colorant as a result and thereby, enhances the dichroism.例文帳に追加

糖類は、異方性色素膜中で色素分子と固溶し、色素会合体の会合度を向上させ、その結果として色素の分子配向を高めることで、二色性を高める。 - 特許庁

After the rigid polymer solution, having 1 to 1.3 times of concentration based on an optical-anisotropic lower limit concentration of solution C is formed, a solidifying agent is absorbed without removing of a solvent to be non-fluidized and thereafter a precursor for a composite is obtained by removing the solvent.例文帳に追加

剛直性ポリマーの光学異方性下限溶液濃度Ｃ２に対して１倍から１．３倍の溶液を成形したのちに、脱溶媒しない条件で凝固剤を吸収させて非流動性にした後に脱溶媒して複合体用プレカーサーを得る。 - 特許庁

A projection part 14a formed in the beam 1a passes through from the bottom surface of the beam 1a to the apex of the protrusion and is composed of the member having resistance to the solution of the crystal anisotropic etching.例文帳に追加

梁１ａ内に形成された突部１４ａは、梁１ａの底面から凸部の頂点まで貫通し、結晶異方性エッチングの溶液に対して耐性を有する部材で構成されている。 - 特許庁

An etching pit 12 of a pyramid shape is formed by an anisotropic etching with the use of a KOH solution or the like on a surface (100) of a monocrystal silicon wafer 11 of an electrically low resistance (conductivity).例文帳に追加

電気的に低抵抗（導電性）の単結晶シリコンウエハ１１の表面の（１００）面に、ＫＯＨ溶液等を使用して異方性エッチングすることにより角錐状のエッチングピット１２を形成する。 - 特許庁

An Si wafer 2 and a chemical tank 4 for charging a chemical solution 1 for conducting an anisotropic etching of the Si wafer 2 are arranged in the inside of an etching draft 7 with a pipe 6 for emission connected.例文帳に追加

排気用配管６が接続されたエッチングドラフト７の内部には、Ｓｉウェハ２及び当該Ｓｉウェハ２を異方性エッチングするための薬液１を入れるための薬液槽４が配置されている。 - 特許庁

The manufacturing method of the optical film at least includes a process of preparing a coating solution by dissolving and/or dispersing a mesomorphism compound in a solvent and a process of applying the coating solution onto the surface of a first optical anisotropic layer containing non-liquid crystalline polymer to form a second optical anisotropic layer on the first optical anisotropic layer.例文帳に追加

少なくとも液晶化合物を溶剤に溶解及び／又は分散させて塗布液を調製する工程、及び該塗布液を非液晶性ポリマーを含有する第１の光学異方性層の表面に塗布して、該層上に第２の光学異方性層を形成する工程を少なくとも含む光学フィルムの製造方法であって、前記塗布液の調製に用いられる溶剤が、該溶剤のみを第１の光学異方性層の表面に塗布した場合に、下記式（１）及び（２）を満足する溶剤から選択されることを特徴とする光学フィルムの製造方法である。 - 特許庁

As for the anisotropic conductive membranes, the coating solution containing an insulating binder is applied on the base material 2 and solidified to form the film and distribution state on the base material 2 of numerous metal particles 3 is fixed in the film.例文帳に追加

異方導電膜は、基材２上に、絶縁性のバインダを含む塗布液を塗布し、固化させて膜を形成することで、多数の金属粒子３の、基材２上での分布状態を膜中に固定した。 - 特許庁

The optical anisotropic layer 3 is formed of an aqueous solution or aqueous dispersion containing water soluble resin having lyotropic liquid crystal properties and an anionic surface activity compound constituting at least two sulfonate groups.例文帳に追加

光学異方層３は、リオトロピック液晶性を有する水溶性樹脂と、スルホン酸基を二つ以上有するアニオン性界面活性化合物とを含有する水溶液又は水分散液により形成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the optically anisotropic body is characterized, by adding 0.5-3 pts.wt. fluorine type surfactant in the solution of the liquid crystalline compound with respect to 100 pts.wt. liquid crystalline compound in aligning the liquid crystalline compound, by applying the solution of the liquid crystalline compound on a substrate surface subjected to alignment treatment, and subsequently removing the solvent of the solution.例文帳に追加

配向処理が施された基板表面に、液晶性化合物の溶液を塗布後、該溶液の溶剤を除去して液晶性化合物を配向させる際に、該液晶性化合物の溶液中にフッ素系界面活性剤を該液晶性化合物１００重量部に対して０．５〜３重量部添加することを特徴とする光学異方体の製造方法。 - 特許庁

The optical compensating film is provided which has an optical anisotropic layer on a transparent base, the optical anisotropic layer containing a liquid crystalline compound, a photopolymerization initiator, and two or more kinds of cellulose ester having a specific difference in solution viscosity in combination at a specific amount ratio; and the polarizing plate using the optical compensating film and the liquid crystal display device.例文帳に追加

透明支持体上に光学異方性層を有し、該光学異方性層に液晶性化合物、光重合開始剤、及び特定の溶液粘度の違いを有する２種類以上のセルロースエステルの、特定の量比の組み合わせを含有してなる光学補償フィルム、並びに該光学補償フィルムを用いた偏光板及び液晶表示装置。 - 特許庁

To provide an insulating resin solution composition and a multi-layered printed circuit board using it wherein realization of multi-layer is possible at low temperatures and wherein the insulating resin superior in a dimensional stability is capable of manufacturing because anisotropic property is small.例文帳に追加

容易に低温で多層化することが可能で、しかも異方性が小さいため寸法安定性に優れた絶縁性樹脂を製造し得る絶縁性樹脂溶液組成物、およびそれを用いた多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the method of manufacturing optical compensation element, having the optical anisotropic layer formed from the composition which contains at least the liquid crystalline compound, comprises a process of changing at least one of the in-plane retardations Re and the retardations Rth in the thickness direction of the optical anisotropic layer by 5 nm or larger, by making a part of liquid crystalline molecules in the optical anisotropic layer elute according to the solution treatment.例文帳に追加

また、少なくとも液晶性化合物を含有する組成物から形成された光学異方性層を有する光学補償素子の製造方法であって、溶液処理によって、前記光学異方性層中の液晶性分子の一部を溶出させて、前記光学異方性層の面内レターデーションＲｅ及び厚み方向のレターデーションＲｔｈのうち少なくとも一方を５ｎｍ以上変化させることを含む光学補償素子の製造方法である。 - 特許庁

A heat diffusion layer 7 is formed from a surface 2 of a wafer 1, a tapered trench 12 reaching the heat diffusion layer 7 is formed from a back surface 3 by anisotropic etching with an alkali solution, and a diffusion layer 21 within a trench is formed on a sidewall surface 13 of the trench 12.例文帳に追加

ウェハ１の表面２から熱拡散層７を形成し、裏面３からアルカリ溶液による異方性エッチングで熱拡散層７に達するテーパー状の溝１２を形成し、この溝１２の側壁面１３に溝内拡散層２１を形成する。 - 特許庁

The anisotropic-shape silica sol is obtained by controlling the pH of a silicic acid liquid (a) to 10.0 to 12.0 by addition of an alkali aqueous solution, then intermittently or continuously adding a mixture of a silicic acid liquid (b) and a water-soluble metal salt having the valance of 2 or more under the temperature condition of 60 to 150°C.例文帳に追加

珪酸液（ａ）にアルカリ性水溶液を添加してｐＨを１０．０〜１２．０に調整し、６０〜１５０℃の温度条件下、珪酸液（ｂ）と２価以上の水溶性金属塩との混合物を連続的にまたは断続的に添加する。 - 特許庁

The shape-anisotropic tabular particle is produced by dissolving the acrylic polymer in a solvent, adding the spherical particles thereto to prepare a dispersion solution, spreading the dispersion solution on the surface of a liquid immiscible with the solvent to form a thin film, taking out the thin film, thereafter removing the solvent from the thin film, and pulverizing the thin film.例文帳に追加

板状アクリル系重合体粒子と球状粒子からなる板状粒子であって、該板状粒子の一方の面がアクリル系重合体２で形成された平滑面ａであり、他方の面がアクリル系重合体から突出した球状粒子３で形成された凹凸面ｂである形状異方性の板状粒子である。 - 特許庁

Since the invasion preventing part 14 having the thickness of I_2 is formed to the nozzle mold material 4, a strong alkali solution penetrating from a crack of the etching stop layer 11 is prevented from reaching the rib-like projecting part 6 when the ink supply port 9 is formed by anisotropic etching.例文帳に追加

ノズル型材４に厚さｌ_2の浸入防止部１４が形成されているため、異方性エッチングによりインク供給口９を形成する際にエッチング停止層１１のクラックから浸入してきた強アルカリ溶液がリブ状突起部６まで到達することはない。 - 特許庁

The anisotropic-shape silica sol is manufactured by adjusting the pH of a silica sol having an average particle size within the range of 3-20 nm through a cation-removing process to pH2-5, then subjecting to an anion-removing process, thereafter adjusting its pH by adding an alkaline aqueous solution to pH7-9, and heating it to 60-250°C.例文帳に追加

平均粒子径が３〜２０ｎｍの範囲にあるシリカゾルを脱陽イオン処理してｐＨ２〜５の範囲に調整し、次いで脱陰イオン処理した後、アルカリ性水溶液を添加してｐＨ７〜９に調整した後、６０〜２５０℃で加熱することにより製造する。 - 特許庁

The optical film is characterized in that the fluorine-containing polymer is included in the optically anisotropic layer by 0.137 mass% and the surface tension S of MEK solution with respect to air is in the range of 21.0 to 22.0 mN/m.例文帳に追加

支持体上に含フッ素ポリマーと液晶化合物を含む光学異方性層を有する光学フィルムにおいて、該光学異方性層に含まれる含フッ素ポリマー０．１３７質量％MEK溶液の空気に対する表面張力Sが２１．０[mN/m]以上２２．０[mN/m]以下であることを特徴とする光学フィルム。 - 特許庁

The method of manufacturing has a process to form a foregoing hole by diagonally radiating a laser beam on a crystalline substrate composed of a silicon substrate whose plane direction is a (100) surface; and process to form a through-hole by performing anisotropic etching by a KOH solution of water or an organic alkali etching liquid to expand the foregoing hole.例文帳に追加

面方位が（１００）面のシリコン基板からなる結晶性基板にレーザ光を斜めに照射して先行穴を形成する工程と、ＫＯＨ水溶液又は有機アルカリエッチング液による異方性エッチングを行って前記先行穴を拡大してスルーホールを形成する工程とを有する。 - 特許庁

This method submerges a crystal silicon substrate in an alkaline solution and provides anisotropic etching on a surface of the substrate to form a projection-recess structure on the surface for concave-convex substrate fabrication.例文帳に追加

アルカリ性溶液中に結晶系シリコン基板を浸漬し、該基板の表面を異方性エッチングすることにより、該基板の表面に凹凸構造を形成して凹凸基板を製造する方法であって、アルカリ性溶液に、以下の一般式（１）で表わされる添加剤が含有されている。 - 特許庁

To provide an etchant which is used for wet anisotropic etching on silicon and consists of a solution of a quaternary ammonium compound such as tetramethyl ammonium hydroxide, the etchant having a fast etching speed, forming no stuck material, and being free of a decrease in etching speed even when continuously used.例文帳に追加

シリコンの湿式異方性エッチングで使用するテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等の第４級アンモニウム化合物の水溶液からなるエッチング液であって、エッチング速度が速く、付着物を形成することがなく、連続使用してもエッチング速度が低下し難いエッチング液を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises an etching process of carrying out an anisotropic etching of a silicon wafer 102 forming an etching mask by using alkali solution; and a breaking process of breaking a projection of the etching mask projecting against the opening 103 of the silicon wafer 102 so as to reside at the corner of the etching mask after the etching process.例文帳に追加

エッチングマスクを形成したシリコンウェハ１０２をアルカリ溶液を用いて異方性エッチングするエッチング工程と、エッチング工程の後に、エッチングマスクのコーナー部に位置するようにシリコンウェハの開口部１０３に対して突出するエッチングマスクの突出部を破断する破断工程と、を含む。 - 特許庁

The optical compensation film comprises an optical anisotropic layer, made of a composition containing at least a liquid crystalline compound on a plastic film, wherein both the change amounts of in-plane retardation Re and retardation Rth in the thickness direction of the optical anisotropic layer, after dipping the optical compensation film in an aqueous solution of sodium hydroxide 1.5 mol/L at 55°C for two min are smaller than 5 nm.例文帳に追加

プラスチックフィルム上に、少なくとも液晶性化合物を含有する組成物からなる光学異方性層を有する光学補償フィルムであって、該光学補償フィルムを、１．５ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液中に５５℃で２分間浸した後に、該光学異方性層の面内レターデーションＲｅ及び厚み方向のレターデーションＲｔｈのいずれの変化量も５ｎｍ未満であることを特徴とする光学補償フィルムである。 - 特許庁

In the manufacturing method of the optical anisotropic body containing a polymer liquid crystal compound, an organic solvent solution containing the liquid crystal compound is prepared, the organic solvent solution is applied onto the supporting body, is dried, is heated up to a glass transition temperature or above, is cooled below the glass transition temperature to fix alignment and then is transferred onto the supporting body made of a cellulose ester resin.例文帳に追加

高分子液晶化合物を含む光学異方体の製造方法において、該液晶化合物を含む有機溶媒溶液を調製し、該有機溶媒溶液を支持体上に塗布乾燥した後、該液晶化合物のガラス転移温度以上の温度とし、その後ガラス転移温度以下に降温して配向を固定化し、セルロースエステル樹脂からなる支持体上に転写することを特徴とする光学異方体の製造方法。 - 特許庁

Anisotropic etching of silicon is carried out by using the etching solution which contains a metal compound and has ≥18×10^3 Å/minute etching speed of a (110) plane at 80°C and a ≥1.7 etching speed ratio (110)/(100) of a (100) plane orientation to a (110) plane orientation at 80°C.例文帳に追加

シリコンの異方性エッチングに用いるエッチング液は、金属化合物を含有し、８０℃における（１１０）面のエッチング速度が１８×１０^３Å／分以上であり、かつ８０℃における（１１０）面面方位と（１００）面面方位のエッチング速度比（１１０）／（１００）が１．７以上であるエッチング液を用いてエッチングする。 - 特許庁